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電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		藤代博記 (東京理科大)
副委員長		葛西誠也 (北大)
幹事		大石敏之 (佐賀大)，堤卓也 (NTT)
幹事補佐		小山政俊 (阪工大)，山本佳嗣 (三菱電機)

日時	2022年12月 8日(木)　12:30 - 16:50 2022年12月 9日(金)　09:50 - 16:50
議題	電子・イオンビーム応用
会場名	【初日、２日目で会場が異なります】12/8 名古屋大学東山キャンパス未来材料・システム研究所研究所共同館II ２Fホール、12/9（金）ウインク愛知（愛知県産業労働センター）１３階１３０９会議室
お知らせ	◎【重要・会場が変更になりました】初日、２日目で会場が異なります。以下、ご確認ください。【初日】 12月8日（木）名古屋大学東山キャンパス未来材料・システム研究所研究所共同館II ２Fホール住所：〒464-8601 愛知県名古屋市千種区不老町研究所共同館II 交通案内：https://www.imass.nagoya-u.ac.jp/contact 【２日目】 12月9日（金）ウインク愛知（愛知県産業労働センター）１３階１３０９会議室住所：〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅4丁目4-38 交通案内：https://www.winc-aichi.jp/access/
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（ED研究会）についてはこちらをご覧ください．

12月8日(木) 午前 12:30 - 14:35
(1)	12:30-12:55	超高実装密度エレクトロスプレーイオン源のための二重エミッタ構造の試作 ED2022-49	○郭　樹俊（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久・村田博雅（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）
(2)	12:55-13:20	超小型衛星のための厚膜レジストSU-8を用いたエレクトロスプレーイオン源 ED2022-50	○新宮拓実（横浜国大/産総研）・長尾昌善・村上勝久・村田博雅（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）
(3)	13:20-13:45	Co/Pt tip上のナノ構造体からの電界放出電子のスピン偏極度測定 ED2022-51	○宮田啓太郎・打越　伯・桑畑裕一・畑　浩一・永井滋一（三重大）
(4)	13:45-14:10	飽和磁性体を含む系の磁界計算を行うための境界磁荷法の改善 ED2022-52	○杉浦元哉・村田英一・六田英治・田中崇之（名城大）
(5)	14:10-14:35	直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 ED2022-53	○大住知暉（京大）・長尾昌善（産総研）・後藤康仁（京大）
	14:35-14:45	休憩　（ 10分）
12月8日(木) 午後 14:45 - 16:50
(6)	14:45-15:10	Ga液体金属電子源の仕事関数評価 ED2022-54	○小田陸人・林　哲平・根尾陽一朗・文　宗鉉（静岡大）
(7)	15:10-15:35	少電荷近似空間電荷制限電流の近似式の検討 ED2022-55	○後藤康仁（京大）
(8)	15:35-16:00	表面拡散法におけるPt薄膜積層数が単原子終端Wピラミッドの形成に与える効果 ED2022-56	○國枝夕夏・浅井泰尊・吉田真子・稲葉雪乃・村田英一・六田英治（名城大）
(9)	16:00-16:25	転写モールド法微小突起型陰極アレイを用いた紫外線発光源用大気圧プラズマ源の研究 ED2022-57	○文　宗鉉・清水皓介（静岡大）
(10)	16:25-16:50	GIS構造電子源におけるグラフェンの電子透過のシミュレーション ED2022-58	○若家冨士男・寺門大地・河嶋祥吾・阿保　智（阪大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）
12月9日(金) 午前 09:50 - 11:05
(11)	09:50-10:15	深紫外光フィールドエミッションランプに向けた蛍光体の開発 ED2022-59	○橋本　凱・根尾陽一郎（静岡大）・松本貴裕（名古屋市大）
(12)	10:15-10:40	液中動作用グラフェン平面電子源の開発 ED2022-60	○村上勝久・村田博雅・長尾昌善（産総研）
(13)	10:40-11:05	h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子放出デバイスへの応用 ED2022-61	○山本将也（静岡大/産総研）・村田博雅・長尾昌善（産総研）・三村秀典・根尾陽一郎（静岡大）・村上勝久（産総研）
	11:05-11:15	休憩　（ 10分）
12月9日(金) 午前 11:15 - 12:30
(14)	11:15-11:40	電子放出サイトのsub-nm光選択技術の開発 ED2022-62	○柳澤啓史（東大/JST）
(15)	11:40-12:05	転写モールド法により形成したプラズモニック結晶ホトカソードの作製 ED2022-63	○岸本透弥・根尾陽一朗・文　宗鉉（静岡大）
(16)	12:05-12:30	通常より低い加熱温度でのLaB6熱電子放出およびショットキー放出の電子放出特性 ED2022-64	○梶田寵太郎・岡田風杜・田中崇之・村田英一・六田英治（名城大）
	12:30-13:45	休憩　（ 75分）
12月9日(金) 午後 13:45 - 15:25
(17)	13:45-14:35	［招待講演］長辺振動水晶振動子による顕微ナノメカニクス計測法の開発～原子間結合強度の測定～ ED2022-65	○大島義文・チョウカキ（北陸先端大）・新井豊子（金沢大）・富取正彦（北陸先端大）
(18)	14:35-15:00	3D数値シミュレーションによるヘリックス型TWTのアッテネータの最適設計 ED2022-66	○中島研二（GSST/NECスペーステクノロジー/NECネットワーク・センサ）・蔦木邦夫（静岡大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大/GSST）
(19)	15:00-15:25	時間依存密度汎関数法によるカーボンナノチューブのエミッション放出メカニズムの検討 ED2022-67	○樋口敏春，山田洋一・佐々木正洋（筑波大）
	15:25-15:35	休憩　（ 10分）
12月9日(金) 午後 15:35 - 16:50
(20)	15:35-16:00	ナノ結晶シリコンを用いた平面型電子源からの電子放出特性 ED2022-68	○嶋脇秀隆（八戸工大）・村田博雅・長尾昌善・村上勝久（産総研）
(21)	16:00-16:25	電界誘起水及び酸素エッチングによるタングステン針からの特異な電子放出 ED2022-69	○稲葉雪乃・壁谷　桜・森岡咲帆・脇　彩花・吉田真子・國枝夕夏・村田英一・六田英治（名城大）
(22)	16:25-16:50	大電流動作に向けた電子源要素技術の開発 ED2022-70	○村田博雅・村上勝久・長尾昌善（産総研）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	堤卓也(NTT) TEL: 046-240-3180 E-: 大石敏之(佐賀大学） E-: oi104cc-u