11月24日(木)   座長: 中村 雄一 （豊橋技術科学大学） 10:00 - 11:15
	10:00-10:05	開会挨拶　（ 5分 ）
(1)	10:05-10:25	CBD法ZnOナノロッドのUV光検出器応用とCBD溶液濃度の素子特性への影響 ED2022-24 CPM2022-49 LQE2022-57	藤川大治・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
(2)	10:25-10:45	PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流特性と光応答 ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58	○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
(3)	10:45-11:05	2次元層状材料g-C3N4/SnS2/grapheneヘテロ接合のCVD成長 ED2022-26 CPM2022-51 LQE2022-59	○森　耀平・松岡晃汰・Baskar Malathi・中村篤志（静岡大）
	11:05-11:15	休憩　（ 10分 ）
11月24日(木) 午前  座長: 寺迫 智昭 （愛媛大学） 11:15 - 14:15
(4)	11:15-11:35	人工光合成光触媒のためのg-C3N4/SnS2コンポジットの合成 ED2022-27 CPM2022-52 LQE2022-60	○松岡晃汰・森　耀平・Baskar Malathi・中村篤志（静岡大）
(5)	11:35-11:55	電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61	○志村政英・安部功二（名工大）
(6)	11:55-12:15	コミュニケーションを取るためのハプティクスグローブの開発 ED2022-29 CPM2022-54 LQE2022-62	○竹田龍平・中村篤志・金武佳明（静岡大）
	12:15-13:05	昼休憩　（ 50分 ）
(7)	13:05-13:25	ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63	○安部功二・久保田　佑（名工大）
(8)	13:25-13:45	湿式紡糸法によるナノカーボン材料を用いた伸縮導電繊維の開発 ED2022-31 CPM2022-56 LQE2022-64	○近藤　光・神　悠・加藤玲奈・曽我哲夫・岸　直希（名工大）
(9)	13:45-14:05	sol-gel法を用いたMgSnO薄膜作製およびSnS/MgSnO薄膜太陽電池への応用 ED2022-32 CPM2022-57 LQE2022-65	○稲垣賢吾・高野　泰・塩田馨音（静岡大）
	14:05-14:15	休憩　（ 10分 ）
11月24日(木) 午後  座長: 山本 佳嗣 （三菱電機） 14:15 - 15:45
(10)	14:15-14:35	電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化 ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66	○今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・福原　昇（住友化学）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
(11)	14:35-14:55	低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価 ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67	○西田大生・大石敏之（佐賀大）・大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）
(12)	14:55-15:15	単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68	○田中さくら・川出智之・井上暁喜・江川孝志・三好実人（名工大）
(13)	15:15-15:35	GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69	○飯田悠介・間瀬　晃・滝本将也・二階祐宇・江川孝志・三好実人（名工大）
	15:35-15:45	休憩　（ 10分 ）
11月24日(木) 午後  座長: 久保 俊晴 （名古屋工大） 15:45 - 16:45
(14)	15:45-16:05	リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70	○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大）
(15)	16:05-16:25	高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71	○小池貴也・林　航希・早藤綾佑・久保俊晴・江川孝志（名工大）
(16)	16:25-16:45	AlN/AlGaN/GaN MISデバイスにおけるAlN/AlGaN界面制御層の効果 ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72	○デン ユウチェン・穴場　響・松山秀幸・鈴木寿一（北陸先端大）
11月25日(金)   座長: 平山 秀樹 （理化学研究所） 10:30 - 13:00
	10:30-10:35	2021年度 LQE奨励賞授与式　（ 5分 ）
(17)	10:35-11:05	［奨励講演］輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究 ED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73	○森　恵人・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙　進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）
(18)	11:05-11:25	窒化物半導体の励起子ダイナミクスのシミュレーションと実験的考察 ～ 励起子発光に与えるフォノン場の影響と温度依存性 ～ ED2022-41 CPM2022-66 LQE2022-74	○地﨑匡哉・大木健輔・石谷善博（千葉大）
(19)	11:25-11:45	半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性 ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75	○藤澤孝博・中林泰希・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大）・岡田成仁・只友一行（山口大）
	11:45-13:00	昼休憩　（ 75分 ）
11月25日(金) 午後  座長: 三好 実人 （名古屋工大） 13:00 - 14:10
(20)	13:00-13:20	サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作 ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76	○松田祥伸・船戸　充・川上養一（京大）
(21)	13:20-13:40	AlGaN 系 UV-B 半導体レーザーの作製とそのデバイス特性 ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77	○薮谷歩武・長谷川亮太・近藤涼輔・松原衣里（名城大）・岩山　章（名城大/三重大）・神　好人・松本竜弥・寅丸雅光（日本製鋼所）・鳥居博典（JSW afty）・今井大地・竹内哲也・上山　智・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）
(22)	13:40-14:00	組成傾斜層を用いた230nm帯AlGaN系LEDの高効率化 ED2022-45 CPM2022-70 LQE2022-78	○前田哲利・鹿嶋行雄・松浦恵理子（理研）・祝迫　恭（日本タングステン）・平山秀樹（理研）
	14:00-14:10	休憩　（ 10分 ）
11月25日(金) 午後  座長: 山口 敦史 （金沢工大） 14:10 - 15:15
(23)	14:10-14:30	様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用 ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79	○山田純平・水野　愛・富樫理恵・野村一郎・岸野克巳（上智大）
(24)	14:30-14:50	Terahertz quantum cascade lasers based on GaAs, GaN, ZnO semiconductor materials ED2022-47 CPM2022-72 LQE2022-80	○Li Wang・Hideki Hirayama（RIKEN）
(25)	14:50-15:10	前方励起ラマン増幅器用半導体インコヒーレント光源（i-Pump）の開発 ED2022-48 CPM2022-73 LQE2022-81	○吉田順自（古河電工）・北條直哉（FFOD）・畳田泰斗・大石智洋・高坂繁弘・古川拓哉・市原　了・杉崎隆一・木村俊雄（古河電工）
	15:10-15:15	閉会挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小谷 淳二(富士通研） TEL : 046-250-8243 E- :jun-01 堤 卓也(NTT) TEL: 046-240-3180 E-:
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	寺迫 智昭 (愛媛大学） TEL : 089-927-9789 E- : amze-u
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	藤田 和上（浜松ホトニクス（株）） TEL 053-586-7111 E-: kcrlhpk 田中 信介（富士通（株）） TEL 080-2203-4544 E-: n-
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2022-11-23 15:51:36