(1)	12:55-13:00	開会のあいさつ 津田 邦男（東芝）
11月29日(木) 午後  LQE1 座長: 川口真生(Panasonic) 13:00 - 14:15
(1)	13:00-13:25	GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86	○船戸　充・市川修平・川上養一（京大）
(2)	13:25-13:50	c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87	○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大）
(3)	13:50-14:15	AlGaN深紫外LDの実現に向けた最近の進展 ED2018-34 CPM2018-68 LQE2018-88	○前田哲利（理研）・山田陽一（山口大）・定　昌史・平山秀樹（理研）
11月29日(木) 午後  ED1 座長: 大石敏之（佐賀大） 14:15 - 15:05
(4)	14:15-14:40	GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89	○梶原瑛祐・新留　彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡　啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝）
(5)	14:40-15:05	n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90	○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大）
	15:05-15:15	休憩　（ 10分 ）
11月29日(木) 午後  CPM1 15:15 - 16:55
(6)	15:15-15:40	ナノインプリントによるモスアイ構造作製法に関する評価実験 ED2018-37 CPM2018-71 LQE2018-91	○平賀健太・久保田　繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大）
(7)	15:40-16:05	ALD法を用いたフレキシブルフィルム上へのゼオライト薄膜の試作とイオン吸着特性評価 ED2018-38 CPM2018-72 LQE2018-92	○森　義晴・野口雄祐・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田　繁・廣瀬文彦（山形大）
(8)	16:05-16:30	フォト電極修飾によるCdS量子ドット太陽電池の効率向上に関する研究 ED2018-39 CPM2018-73 LQE2018-93	○木幡優弥・三浦正範・鹿又健作・久保田　繁・廣瀬文彦・有馬 ボシール アハンマド（山形大）
(9)	16:30-16:55	酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製 ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94	○季　ぶん・市村正也（名工大）
11月30日(金) 午前  ED2 座長: 久保俊晴（名工大） 09:00 - 09:50
(10)	09:00-09:25	歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95	○細見大樹・古岡啓太・陳　珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大）
(11)	09:25-09:50	ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96	○古岡啓太・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大）
11月30日(金) 午前  CPM2 座長: 久保俊晴（名工大）/津田 邦男（東芝） 09:50 - 11:40
(12)	09:50-10:15	化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97	岡田英之・○寺迫智昭・五丁健治・林本直也（愛媛大）
	10:15-10:25	休憩　（ 10分 ）
(13)	10:25-10:50	化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成 ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98	小原翔平・○寺迫智昭・難波　優・橋国直人（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・野本淳一・山本哲也（高知工科大）
(14)	10:50-11:15	電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO透明太陽電池の作製 ED2018-45 CPM2018-79 LQE2018-99	○古山実季・市村正也（名工大）
(15)	11:15-11:40	光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100	○梅村将成・市村正也（名工大）
	11:40-12:40	昼食　（ 60分 ）
11月30日(金) 午後  LQE2 座長: 江川孝志(名工大)/山口敦史(金沢工大) 12:40 - 15:25
(16)	12:40-13:05	SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101	○飯田涼介（名城大）・林　菜摘，村永　亘・岩山　章・竹内哲也・上山　智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑　勇（名城大/名大）
(17)	13:05-13:30	InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102	○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）
(18)	13:30-13:55	光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103	○大島一輝・池田優真・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）
	13:55-14:05	休憩　（ 10分 ）
(19)	14:05-14:30	r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価 ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104	○福田　涼・正直花奈子・蒋　楠・上杉謙次郎・林　侑介・肖　世玉・三宅秀人（三重大）
(20)	14:30-14:55	Recent Progress towards realizing GaN/AlGaN Quantum Cascade Lasers ED2018-51 CPM2018-85 LQE2018-105	○Ke Wang・Li Wang・Lin Tsung Tse・Hideki Hirayama（RIKEN）
(21)	14:55-15:20	GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討 ED2018-52 CPM2018-86 LQE2018-106	○小泉朋朗・江本　渓（スタンレー電気）・石崎賢司・デ ゾイサ メーナカ・田中良典（京大）・園田純一（スタンレー電気）・野田　進（京大）
(22)	15:20-15:25	閉会のあいさつ 浜本 貴一(九大)

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	東脇 正高（情報通信研究機構） TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527 E- : m 大石 敏之(佐賀大学) TEL : 0952-28-8642 E- :oi104cc-u
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	八木 英樹（住友電気工業） TEL 045-851-2174 E-: gi-dei 川北 泰雅（古河電気工業） TEL 045-311-1219 E-: electc
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2018-11-28 16:46:48