| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-05-19 to:2011-05-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:00 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 ○楊 凱・中島佑基・市村正也（名工大）  ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 |
CuxS薄膜を電気化学堆積法(ECD法)により作製した。pH調整剤として硫酸または乳酸を用いて堆積を行った。硫酸を用いた... [more] | ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 pp.1-6 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 ○高木雄太・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2011-2 CPM2011-9 SDM2011-15 |
[more] | ED2011-2 CPM2011-9 SDM2011-15 pp.7-10 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価 ○楊 士波・宮川鈴衣奈・三宅秀人・平松和政（三重大）・播磨 弘（京都工繊大） ED2011-3 CPM2011-10 SDM2011-16 |
[more] | ED2011-3 CPM2011-10 SDM2011-16 pp.11-14 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 ○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大） ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 |
SiCによる超高耐圧デバイス作製において，キャリアライフタイム制御は必須であるが，SiCでは表面再結合速度に関する報告が... [more] | ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 pp.15-20 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 ○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 |
3C-SiCは低損失・高耐圧のパワーデバイスへの応用が期待されている材料である．しかし3C-SiCのパワーデバイスへの実... [more] | ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 pp.21-26 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 ○安田智成・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19 |
太陽光を利用した水の光分解による水素生成は次世代エネルギー技術として期待されている。水の光分解材料には半導体が用いられる... [more] | ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19 pp.27-31 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 ○木村允哉・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 |
[more] | ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 pp.33-38 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 ○内山翔太・林 家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥（名城大） ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 |
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保... [more] | ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 pp.39-43 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 ○田畑拓也・白 知鉉・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 |
従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想され... [more] | ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 pp.45-48 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 |
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] | ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 pp.49-54 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | BGaPの分子線エピタキシー成長 ○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 |
Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層の... [more] | ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 pp.55-58 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 14:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 ○大内澄人・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2011-12 CPM2011-19 SDM2011-25 |
[more] | ED2011-12 CPM2011-19 SDM2011-25 pp.59-62 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大） ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 |
MOVPE 法により(1-101)GaN/Si 上にInGaN 厚膜の成長を試みた。InGaN を成長するとGaN にみ... [more] | ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 pp.63-66 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 ○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 |
グラファイトは軽量かつ熱伝導性に優れており、窒化物半導体の下地基板に用いると様々なデバイス応用が期待できることから、近年... [more] | ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 pp.67-70 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン ○高野 泰・高木達也・見崎 龍・宮原 亮（静岡大） ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2°オフ基板と4°オフ基板を使用した。4°オフ基板... [more] | ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 pp.71-75 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 ○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 |
beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基... [more] | ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 pp.77-81 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 17:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 ○田中大樹・飯田大輔・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大） ED2011-17 CPM2011-24 SDM2011-30 |
[more] | ED2011-17 CPM2011-24 SDM2011-30 pp.83-87 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 ○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 |
AlN/GaN多層膜は、?族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の... [more] | ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 pp.89-93 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:00 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 ○森 雅之・中山幸二・中谷公彦・安井雄一郎・前澤宏一（富山大） ED2011-19 CPM2011-26 SDM2011-32 |
[more] | ED2011-19 CPM2011-26 SDM2011-32 pp.95-98 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 |
窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電... [more] | ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 pp.99-104 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]