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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明
副委員長 橋詰 保
幹事 高谷 信一郎, 新井 学
幹事補佐 原 直紀, 村田 浩一

日時 2007年 6月15日(金) 13:00 - 17:30
2007年 6月16日(土) 09:30 - 12:25
議題 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 
会場名 富山大学 工学部 五福キャンパス 
住所 〒930-8555 富山市五福3190番地
交通案内 バス:富山空港からJR富山駅まで約20分、JR富山駅から約20分
http://www.u-toyama.ac.jp/jp/access/gofuku/index.html
会場世話人
連絡先
前澤 宏一
お知らせ ◎6月15日研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加下さい。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月15日(金) 午後 
13:00 - 17:30
(1) 13:00-13:25 低コストプロセスで作製した0.10umGaAs MESFET ED2007-31 渡邉昌崇福士大地矢野 浩中島 成ユーディナデバイス
(2) 13:25-13:50 ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ~ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ~ ED2007-32 天清宗山井上 晃後藤清毅國井徹郎山本佳嗣奥 友希石川高英三菱電機
(3) 13:50-14:15 デルタドープGaAs構造における局在スピンの研究 ED2007-33 J.p. Noh鄭 大原A. z. m. Touhidul Islam大塚信雄北陸先端大
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(4) 14:25-14:50 InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ED2007-34 滝田隼人Jeong Yonkil有田潤哉鈴木寿一北陸先端大
(5) 14:50-15:15 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 ED2007-35 村田和範ノルスルヤティ ビンティ アハド田村 悠森 雅之丹保豊和前澤宏一富山大
(6) 15:15-15:40 Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成 ED2007-36 斉藤光史森 雅之山下勇司丹保豊和前澤宏一富山大
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(7) 15:50-16:15 コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 ED2007-37 高橋新之助三浦 司山下浩明東工大)・宮本恭幸古屋一仁東工大/JST
(8) 16:15-16:40 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード ED2007-38 杉山弘樹松崎秀昭小田康裕横山春喜榎木孝知小林 隆NTT
(9) 16:40-17:05 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 ED2007-39 須原理彦植木絵理奥村次徳首都大東京
(10) 17:05-17:30 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御 ED2007-40 山口雅史横井美典名大)・高木英俊宇部高専)・澤木宣彦名大
6月16日(土) 午前 
09:30 - 12:25
(11) 09:30-10:10 [招待講演]金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ED2007-41 塩島謙次福井大
(12) 10:10-10:35 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化 ED2007-42 塩崎奈々子橋詰 保北大
(13) 10:35-11:00 AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ED2007-43 田中成明北陸先端大)・住田行常パウデック)・鈴木寿一北陸先端大
(14) 11:00-11:25 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 ED2007-44 野本一貴田島 卓法政大)・三島友義日立電線)・佐藤政孝中村 徹法政大
  11:25-11:35 休憩 ( 10分 )
(15) 11:35-12:00 Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性 ED2007-45 佐藤政孝宮川晋悟工藤尚宏永田翔平田島 卓中村 徹法政大
(16) 12:00-12:25 バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性 ED2007-46 小野修一新井 学新日本無線

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E--mail: erlci
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E--mail: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E--mail: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl 


Last modified: 2007-04-26 21:39:47


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