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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2018年度)
「from:2018-11-29 to:2018-11-29」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 13:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 ○船戸 充・市川修平・川上養一（京大）  ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86 |
[more] | ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86 pp.1-4 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 13:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 |
[more] | ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 13:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN深紫外LDの実現に向けた最近の進展 ○前田哲利（理研）・山田陽一（山口大）・定 昌史・平山秀樹（理研） ED2018-34 CPM2018-68 LQE2018-88 |
[more] | ED2018-34 CPM2018-68 LQE2018-88 pp.9-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたG... [more] | ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 pp.13-16 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 |
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] | ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 pp.17-20 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 15:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ナノインプリントによるモスアイ構造作製法に関する評価実験 ○平賀健太・久保田 繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大） ED2018-37 CPM2018-71 LQE2018-91 |
近年、ナノインプリントはナノメートルからマイクロメートルオーダーまでの微細なパターンを容易に複製できるため、注目されてい... [more] | ED2018-37 CPM2018-71 LQE2018-91 pp.21-26 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 15:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD法を用いたフレキシブルフィルム上へのゼオライト薄膜の試作とイオン吸着特性評価 ○森 義晴・野口雄祐・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2018-38 CPM2018-72 LQE2018-92 |
近年ゼオライトは薄膜化により新分野への応用研究進んでいる。一般にゼオライト薄膜の成膜は水熱合成法が用いられる。我々はTr... [more] | ED2018-38 CPM2018-72 LQE2018-92 pp.27-30 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 16:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | フォト電極修飾によるCdS量子ドット太陽電池の効率向上に関する研究 ○木幡優弥・三浦正範・鹿又健作・久保田 繁・廣瀬文彦・有馬 ボシール アハンマド（山形大） ED2018-39 CPM2018-73 LQE2018-93 |
[more] | ED2018-39 CPM2018-73 LQE2018-93 pp.31-33 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 16:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製 ○季 ぶん・市村正也（名工大） ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 |
FeS2 はバンドギャップの狭い p 型半導体であるため、ヘテロ接合太陽電池では良好な吸収体とみなされている。半透明 F... [more] | ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 pp.35-39 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大） ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] | ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 pp.41-44 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 ○古岡啓太・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 |
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] | ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 pp.45-48 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 岡田英之・○寺迫智昭・五丁健治・林本直也（愛媛大） ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 |
硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加... [more] | ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 pp.49-54 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 10:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成 小原翔平・○寺迫智昭・難波 優・橋国直人（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・野本淳一・山本哲也（高知工科大） ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 |
硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法... [more] | ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 pp.55-60 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO透明太陽電池の作製 ○古山実季・市村正也（名工大） ED2018-45 CPM2018-79 LQE2018-99 |
p型NiOとn型ZnOは共に優れた光学的透明性を示す。また、両材料によるpn接合は整流性と光起電力が報告され、透明太陽電... [more] | ED2018-45 CPM2018-79 LQE2018-99 pp.61-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大） ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 |
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] | ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 pp.65-70 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 12:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ○飯田涼介（名城大）・林 菜摘，村永 亘・岩山 章・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 |
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] | ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 pp.71-74 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 13:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 ○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102 |
InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺... [more] | ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102 pp.75-78 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 ○大島一輝・池田優真・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 |
InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この... [more] | ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 pp.79-82 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 14:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価 ○福田 涼・正直花奈子・蒋 楠・上杉謙次郎・林 侑介・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104 |
[more] | ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104 pp.83-86 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 14:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの実現に向けた最近の進展 ○王 科・王 利・林 宗澤・平山秀樹（理研） ED2018-51 CPM2018-85 LQE2018-105 |
[more] | ED2018-51 CPM2018-85 LQE2018-105 pp.87-90 |
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