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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2007年度)
「from:2007-06-15 to:2007-06-15」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2007-06-15 13:00 |
富山 | 富山大学 | 低コストプロセスで作製した0.10umGaAs MESFET ○渡邉昌崇・福士大地・矢野 浩・中島 成（ユーディナデバイス）  ED2007-31 |
我々は低コストのプロセスを用いてゲート長0.1μmのGaAs MESFETを作製する事に成功した．このFETはi線リソグ... [more] | ED2007-31 pp.1-5 |
| ED | 2007-06-15 13:25 |
富山 | 富山大学 | ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～ ○天清宗山・井上 晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥 友希・石川高英（三菱電機） ED2007-32 |
ミリ波帯増幅器の出力低下の要因である非線形ドレイン抵抗を低減するため、新たに「ステップリセス構造」を採用したGaAs p... [more] | ED2007-32 pp.7-11 |
| ED | 2007-06-15 13:50 |
富山 | 富山大学 | デルタドープGaAs構造における局在スピンの研究 ○J.p. Noh・鄭 大原・A. z. m. Touhidul Islam・大塚信雄（北陸先端大） ED2007-33 |
[more] | ED2007-33 pp.13-16 |
| ED | 2007-06-15 14:25 |
富山 | 富山大学 | InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-34 |
分子線エピタキシー法によって成長したInAs トップ層/AlAs 犠牲層/InAs バッファ層/GaAs(001) 格子... [more] | ED2007-34 pp.17-20 |
| ED | 2007-06-15 14:50 |
富山 | 富山大学 | 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 ○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村 悠・森 雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大） ED2007-35 |
Si(111)面上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を超高真空チャンバー内で成長温度200-420℃の範囲で行っ... [more] | ED2007-35 pp.21-25 |
| ED | 2007-06-15 15:15 |
富山 | 富山大学 | Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成 ○斉藤光史・森 雅之・山下勇司・丹保豊和・前澤宏一（富山大） ED2007-36 |
[more] | ED2007-36 pp.27-32 |
| ED | 2007-06-15 15:50 |
富山 | 富山大学 | コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 ○高橋新之助・三浦 司・山下浩明（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） ED2007-37 |
HBTのInPコレクタ層内に低誘電率絶縁体のSiO2を埋め込んだ素子ではベースコレクタ間容量が低減され、トランジスタの高... [more] | ED2007-37 pp.33-37 |
| ED | 2007-06-15 16:15 |
富山 | 富山大学 | MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード ○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林 隆（NTT） ED2007-38 |
MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード（RTD）を作製... [more] | ED2007-38 pp.39-43 |
| ED | 2007-06-15 16:40 |
富山 | 富山大学 | 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 ○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京） ED2007-39 |
微分負性抵抗素子である共鳴トンネルダイオード２個とFET１個用いて構成する集積型ジャイレータ回路を提案した。2ポート回路... [more] | ED2007-39 pp.45-50 |
| ED | 2007-06-15 17:05 |
富山 | 富山大学 | 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御 ○山口雅史・横井美典（名大）・高木英俊（宇部高専）・澤木宣彦（名大） ED2007-40 |
全光デバイスを目指し，量子ディスク系において外部からの電子状態の制御・読み出しを行う方法を検討している．そこで我々は量子... [more] | ED2007-40 pp.51-56 |
| ED | 2007-06-16 09:30 |
富山 | 富山大学 | ［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ○塩島謙次（福井大） ED2007-41 |
低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金... [more] | ED2007-41 pp.57-60 |
| ED | 2007-06-16 10:10 |
富山 | 富山大学 | 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化 ○塩崎奈々子・橋詰 保（北大） ED2007-42 |
光電気化学を用いたGaN表面の酸化プロセスについて検討した。グリコールを用いた中性溶液に浸したGaN表面にUV光を照射し... [more] | ED2007-42 pp.61-65 |
| ED | 2007-06-16 10:35 |
富山 | 富山大学 | AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-43 |
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. ... [more] | ED2007-43 pp.67-70 |
| ED | 2007-06-16 11:00 |
富山 | 富山大学 | 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 ○野本一貴・田島 卓（法政大）・三島友義（日立電線）・佐藤政孝・中村 徹（法政大） ED2007-44 |
本研究では低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGa... [more] | ED2007-44 pp.71-74 |
| ED | 2007-06-16 11:35 |
富山 | 富山大学 | Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性 ○佐藤政孝・宮川晋悟・工藤尚宏・永田翔平・田島 卓・中村 徹（法政大） ED2007-45 |
[more] | ED2007-45 pp.75-78 |
| ED | 2007-06-16 12:00 |
富山 | 富山大学 | バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性 ○小野修一・新井 学（新日本無線） ED2007-46 |
4H-SiC PiNダイオードのターミネーションとして、メサ構造とガードリング構造の２種類を形成して、逆方向特性を比較し... [more] | ED2007-46 pp.79-83 |
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