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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-06-24 to:2009-06-24」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 08:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］窒化物半導体基板上ヘテロ接合電子デバイスの設計と評価 ○葛原正明（福井大）  ED2009-70 SDM2009-65 |
[more] | ED2009-70 SDM2009-65 pp.87-92 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/GaNへテロ構造FET ○廣木正伸・前田就彦・小林 隆・重川直輝（NTT） ED2009-71 SDM2009-66 |
We report our recent development of an InAlN barrier layer f... [more] | ED2009-71 SDM2009-66 pp.93-98 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source ○Yasuyuki Miyamoto・Toru Kanazawa・Hisashi Saito・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-72 SDM2009-67 |
Recently, III-V thin films have been identified as potential... [more] | ED2009-72 SDM2009-67 pp.99-103 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 10:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | 4H-SiC Avalanche Photodiodes for 280 nm UV Detection. ○B. R. Park・H. Sung・Chun-Hyung Cho（Hongik Univ.）・P. M. Sandvik（GE）・Ho-Young Cha（Hongik Univ.） ED2009-73 SDM2009-68 |
[more] | ED2009-73 SDM2009-68 pp.105-108 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | 原子層堆積により形成したAl2O3/n-GaN構造の界面評価 ○大山公士（北大/Sumitomo Metal Mining）・水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-74 SDM2009-69 |
[more] | ED2009-74 SDM2009-69 pp.109-112 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | InP Gunn diodes with shallow-barrier Schottky contacts. ○M. R. Kim・J. K. Rhee・S. D. Lee・Y. S. Chae・S. K. Sharma・A. Kathalingam・C. W. Lee・H. J. Lim（Dongguk Univ.）・J. H. Choi・W. J. Kim（Agency for Defense Development） ED2009-75 SDM2009-70 |
[more] | ED2009-75 SDM2009-70 pp.113-116 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | InP pn接合基板へのポーラス構造の形成とデバイス応用 ○佐藤威友・吉澤直樹・オカザキ ヒロユキ・橋詰 保（北大） ED2009-76 SDM2009-71 |
We demonstrated to form InP porous structures on n-type epit... [more] | ED2009-76 SDM2009-71 pp.117-120 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A New Bottom-Gated Polysilicon Thin Film Transistors with Polysilicon spacer ○Y. J. Chen・T. C. Li・F. T. Chien（Feng Chia Univ.）・C. N. Liao・Y. T. Tsai（National Central Univ.） ED2009-77 SDM2009-72 |
[more] | ED2009-77 SDM2009-72 pp.121-124 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Stochastic Resonance in GaAs-based Nanowire Field-Effect Transistors and Their Summing Network ○Seiya Kasai（Hokkaido Univ./PRESTO JST）・Tetsuya Asai・Yuta Shiratori・Daisuke Nakata（Hokkaido Univ.） ED2009-78 SDM2009-73 |
Stochastic resonance phenomenon in GaAs-based nanowire field... [more] | ED2009-78 SDM2009-73 pp.125-128 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector ○Yasuyuki Miyamoto・Shinnosuke Takahashi・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-79 SDM2009-74 |
We investigated collector current spreading in InGaAs single... [more] | ED2009-79 SDM2009-74 pp.129-132 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of a PMD tolerance extension by InP HBT analog EDC IC without adaptive control in 43G DQPSK transmission ○Toshihiro Itoh・Kimikazu Sano・Hiroyuki Fukuyama・Koichi Murata（NTT） ED2009-80 SDM2009-75 |
We experimentally studied the polarization mode dispersion (... [more] | ED2009-80 SDM2009-75 pp.133-136 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Synthesis of small diameter silicon nanowires on SiO2 and Si3N4 surfaces ○J. H. Ahn（Korea University）・J. H. Lee・T. W. Koo（Sungkyunkwan Univ/Korea University）・M. G. Kang（Korea University）・D. M. Whang（Sungkyunkwan Univ/Korea University）・S. W. Hwang（Korea University） ED2009-81 SDM2009-76 |
[more] | ED2009-81 SDM2009-76 pp.137-140 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN ○Ji-Ho Park・Hiroshi Okada・Akihiro Wakahara・Yuzo Furukawa（Toyohashi Univ. of Tech.）・Yong-Tae Kim（Dankook Univ.）・Jonghan Song（KIST）・Ho-Jung Chang（Dankook Univ.）・Shin-ichiro Sato・Takeshi Ohshima（JAEA, Takasaki） ED2009-82 SDM2009-77 |
[more] | ED2009-82 SDM2009-77 pp.141-144 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array ○Yasuo Takahashi・Takuya Kaizawa・Mingyu Jo・Masashi Arita（Hokkaido Univ.）・Akira Fujiwar・Yukinori Ono（NTT）・Hiroshi Inokawa（Shizuoka Univ.）・Jung-Bum Choi（Chungbuk National Univ.） ED2009-83 SDM2009-78 |
シリコンナノドットアレイ構造における単電子効果を利用した高機能デバイスを実証した。このデバイスは、アレイ構造を取るため、... [more] | ED2009-83 SDM2009-78 pp.145-148 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］ラジカル反応プロセスを用いたシリコン（551）表面上Accumulation-Mode MOSトランジスタ ○寺本章伸・程 イトウ・戴 慶佛・須川成利・大見忠弘（東北大） ED2009-84 SDM2009-79 |
Though the electron mobility in the channel of MOSFET on Si(... [more] | ED2009-84 SDM2009-79 pp.149-152 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Si薄膜への有効な熱処理 ○野口 隆・宮平知幸・陳 訳・ジャン ムギラネーザ（琉球大） ED2009-85 SDM2009-80 |
[more] | ED2009-85 SDM2009-80 pp.153-156 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy ○Tomoyuki Suwa（Tohoku Univ.）・Takashi Aratani（Shin-Etsu Chemical）・Masaaki Higuchi（TOSHIBA）・Sigetoshi Sugawa（Tohoku Univ.）・Eiji Ikenaga（JASRI）・Jiro Ushio（Hitachi）・Hiroshi Nohira（Musashi Inst. of Tech.）・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.） ED2009-86 SDM2009-81 |
[more] | ED2009-86 SDM2009-81 pp.157-160 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor ○Hideki Murakami・Syed Mahboob・Kiyotaka Katayama・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Yumehiro Hata・Akio Kuroda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-87 SDM2009-82 |
We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protei... [more] | ED2009-87 SDM2009-82 pp.161-164 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Strain effects in van der Pauw (VDP) stress sensor fabricated on (111) silicon in electronic packages ○C. H. Cho・H. Y. Cha（Hongik Univ.） ED2009-88 SDM2009-83 |
[more] | ED2009-88 SDM2009-83 pp.165-168 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST-CREST） ED2009-89 SDM2009-84 |
We have studied transmission property of electron in vertica... [more] | ED2009-89 SDM2009-84 pp.169-172 |
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