研究会 - 電子デバイス研究会 (ED)

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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2006年度)

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
MW, ED (共催)	2007-01-18 13:50	東京	機械振興会館	FDTD法による共振器結合係数の算出 ○鈴木健司・石田哲也・粟井郁雄（龍谷大）	著者らが提案しているFDTD法を用いた時間領域での結合係数算出法において以前に提案した高速なプラスマイナス法の使用法を確... [more]	ED2006-219 MW2006-172 pp.105-110
MW, ED (共催)	2007-01-18 14:15	東京	機械振興会館	広帯域積層導波管バランスフィルタの一検討 ○福永達也（TDK）・和田光司（電通大）	[more]	ED2006-220 MW2006-173 pp.111-114
MW, ED (共催)	2007-01-18 14:50	東京	機械振興会館	FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討～ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定～ ○飯田幸雄・中尾公一・大村泰久・田村　進（関西大）	[more]	ED2006-221 MW2006-174 pp.115-120
MW, ED (共催)	2007-01-18 15:15	東京	機械振興会館	低融点樹脂を用いた粉体の複素比誘電率の測定法に関する検討大塚健二郎・○佐藤彰祐・橋本　修（青学大）	[more]	ED2006-222 MW2006-175 pp.121-124
MW, ED (共催)	2007-01-18 15:40	東京	機械振興会館	集光レンズアンテナを用いた高損失誘電材料の複素比誘電率テンソルの測定に関する検討 ○宮本昌尚・橋本　修・渡邊慎也（青学大）	[more]	ED2006-223 MW2006-176 pp.125-130
MW, ED (共催)	2007-01-18 16:15	東京	機械振興会館	石膏ボードと抵抗膜を用いた二周波対応型無線LAN用電波吸収体中村卓哉・大塚健二郎・○祥雲勇一・橋本　修（青学大）	本研究では建材として多用される石膏ボード及び抵抗膜を用いて，無線LANに使用されるIEEE\ 802.11g(2.4... [more]	ED2006-224 MW2006-177 pp.131-135
MW, ED (共催)	2007-01-18 16:40	東京	機械振興会館	耐環境性に優れたゴムシートを用いた円形格子型電波吸収体に関する検討 ○小澤　健・松本好太・三浦　裕（青学大）・岡田　治（ブリヂストン）・橋本　修（青学大）	本研究では,ETCレーン間用電波吸収体の実現を目標に,耐環境性に優れるゴムシートに円形格子を設けた構造を提案し,反射... [more]	ED2006-225 MW2006-178 pp.137-142
MW, ED (共催)	2007-01-19 09:45	東京	機械振興会館	CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器 ○森脇孝雄・山本和也・小川喜之・三浦　猛・前村公正・紫村輝之（三菱電機）	2.4Vの低レファレンス電圧動作900MHz帯CDMA端末用InGaP/GaAs-HBT MMIC電力増幅器モジュールの... [more]	ED2006-226 MW2006-179 pp.143-148
MW, ED (共催)	2007-01-19 10:10	東京	機械振興会館	携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ ○竹中　功・石倉幸治・高橋英匡・長谷川浩一・上田　隆・栗原俊道・麻埜和則・岩田直高（NECエレクトロニクス）	携帯電話基地局向けに低歪ドハティ高出力増幅器を開発した。本増幅器は28V動作の150W GaAs ヘテロ接合FETにより... [more]	ED2006-227 MW2006-180 pp.149-154
MW, ED (共催)	2007-01-19 10:35	東京	機械振興会館	GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET ○後藤清毅・國井徹郎・井上　晃（三菱電機）・大植利和（Wave Technology）・河野正基・奥　友希・石川高英（三菱電機）	ブロードバンド無線通信基地局に用いる高出力増幅器を低歪化することを目的として、GaAs 基板上に高調波処理回路を一体化し... [more]	ED2006-228 MW2006-181 pp.155-160
MW, ED (共催)	2007-01-19 11:10	東京	機械振興会館	高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル ○井上　晃・天清宗山・後藤清毅・國井徹郎・奥　友希・石川高英（三菱電機）	非線形ドレイン抵抗を考慮したミリ波帯高出力PHEMTモデルを提案する．高出力ミリ波帯HEMTでは動作電圧を高くするために... [more]	ED2006-229 MW2006-182 pp.161-166
MW, ED (共催)	2007-01-19 11:35	東京	機械振興会館	InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC ○上綱秀樹（NTT）・山根康郎（NEL）・徳光雅美（NTT）・菅原裕彦（NTT-AT）・榎木孝知（NTT）	Cold FETとしてInP HEMTを使用したSP8Tスイッチと三層配線プロセスで構成した伝送線路を組み合わせた8x8... [more]	ED2006-230 MW2006-183 pp.167-171
MW, ED (共催)	2007-01-19 13:00	東京	機械振興会館	GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器 ○山本和也・宮下美代・小川喜之・三浦　猛・紫村輝之（三菱電機）	GaAs-HBTプロセスで作製可能なベース・コレクタダイオードを用いた3.5GHz帯無線通信用0/20-dBステップ減衰... [more]	ED2006-231 MW2006-184 pp.173-178
MW, ED (共催)	2007-01-19 13:25	東京	機械振興会館	ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 ○田村隆博・小谷淳二・葛西誠也・橋詰　保（北大）	AlGaN/GaN HEMT構造をメサ形状に加工してショットキーラップゲート(WPG)を形成したナノ細線FETを作製し、... [more]	ED2006-232 MW2006-185 pp.179-182
MW, ED (共催)	2007-01-19 13:50	東京	機械振興会館	Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ ○渡邉則之・横山春喜・廣木正伸・小田康裕（NTT）・八木拓真（NTT-AT）・小林　隆（NTT）	MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rm... [more]	ED2006-233 MW2006-186 pp.183-187
MW, ED (共催)	2007-01-19 14:25	東京	機械振興会館	AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化 ○松尾尚慶・上野弘明・上田哲三・田中　毅（松下電器）	[more]	ED2006-234 MW2006-187 pp.189-192
MW, ED (共催)	2007-01-19 14:50	東京	機械振興会館	ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原　学・上田哲三・田中　毅・上田大助（松下電器）	我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more]	ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197
MW, ED (共催)	2007-01-19 15:15	東京	機械振興会館	絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス ○金村雅仁・多木俊裕・今西健治・牧山剛三・岡本直哉（富士通/富士通研）・原　直紀（富士通研）・吉川俊英・常信和清（富士通/富士通研）	[more]	ED2006-236 MW2006-189 pp.199-203
MW, ED (共催)	2007-01-19 15:50	東京	機械振興会館	GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 ○齋藤　渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝）	GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more]	ED2006-237 MW2006-190 pp.205-208
MW, ED (共催)	2007-01-19 16:15	東京	機械振興会館	X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発 ○松下景一・柏原　康・増田和俊・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝）	Ｘ帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMT... [more]	ED2006-238 MW2006-191 pp.209-212

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