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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 11:55 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | カーボンナノチューブバイオセンサの電気的特性に対する電解液の影響 ○長谷川加奈・牛山拓也・岸本 茂・大野雄高（名大）  ED2017-108 SDM2017-108 |
カーボンナノチューブ(CNT)薄膜電界効果トランジスタのバイオセンサ応用において、電解液中の電気的特性を理解することが重... [more] | ED2017-108 SDM2017-108 pp.19-22 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:30 |
京都 | 京都大学 | Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ ○西口尚希・内海弘樹・原 明人（東北学院大） EID2017-24 SDM2017-85 |
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] | EID2017-24 SDM2017-85 pp.67-70 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:45 |
京都 | 京都大学 | 薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証 ○三宅康平・冨岡圭佑・三澤慶悟・木村 睦（龍谷大） EID2017-25 SDM2017-86 |
薄膜トランジスタ (TFT) の特性から医療分野への応用が期待されている．そこで,生体刺激デバイスに TFT が使用でき... [more] | EID2017-25 SDM2017-86 pp.71-76 |
| ED | 2017-04-20 16:15 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | プラズマ法による凸版反転印刷電極の表面処理と有機トランジスタ特性評価 ○圓岡 岳・竹田泰典（山形大）・岡本朋子・片山嘉則（DIC）・福田 貴（東ソー）・熊木大介・松井弘之・泉 小波・時任静士（山形大） ED2017-7 |
印刷法による高精細な電極を形成する技術は、有機トランジスタのさらなる高性能化に加え、センシングデバイスや有機無線タグの実... [more] | ED2017-7 pp.25-28 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 10:50 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング ○木村史哉・アブドゥラ ハナキ・孫 屹・佐々木祥太・永山幸希・小山政俊・前元利彦・佐々誠彦（阪工大） ED2016-132 SDM2016-149 |
酸化亜鉛(ZnO)は3.37 eVのエネルギーバンドギャップを有するため，可視光領域において透明である．また，次世代ディ... [more] | ED2016-132 SDM2016-149 pp.13-16 |
| OME | 2016-10-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析 ○野田 啓・長浜陽生・山本 亮・和田恭雄（慶大）・鳥谷部 達（東洋大） OME2016-38 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した，デバイス作製評価と... [more] | OME2016-38 pp.1-4 |
| SDM | 2016-06-29 16:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 ○大橋 匠・松浦賢太朗（東工大）・石原聖也・日比野祐介・澤本直美（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） SDM2016-46 |
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから，柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] | SDM2016-46 pp.75-78 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 16:25 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 中谷太一・原田大夢・○東 清一郎（広島大） SDM2016-9 OME2016-9 |
大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を石英基板上のアモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜へ照射し形成した結晶(... [more] | SDM2016-9 OME2016-9 pp.35-38 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 09:30 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 ○尹 聖民・金 昭淨・朴 珉智・尹 多貞（慶熙大） SDM2016-12 OME2016-12 |
可視光に対する透明性及び機械的な柔軟性を持ち備えた不揮発性メモリ素子は多様な興味深い応用に用いることができる。本稿では電... [more] | SDM2016-12 OME2016-12 pp.49-52 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 10:50 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ ○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大） SDM2016-14 OME2016-14 |
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] | SDM2016-14 OME2016-14 pp.57-60 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 14:00 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | ［招待講演］酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開 ○前元利彦・孫 屹・松田宗平・佐々木翔太・芦田浩平・カルトシュタイン オリバー・小山政俊・小池一歩・矢野満明・佐々誠彦（阪工大） ED2015-121 SDM2015-128 |
酸化物半導体のデバイス応用として，フレキシブル酸化亜鉛（Zinc oxide; ZnO）薄膜トランジスタの開発と高性能化... [more] | ED2015-121 SDM2015-128 pp.1-6 |
| OME | 2016-03-03 14:20 |
東京 | 東工大南3号館S322講義室 | ［招待講演］n型半導体高分子の分子設計と有機デバイスへの応用 ○道信剛志（東工大） OME2015-88 |
高性能なn型半導体高分子の開発を目指し，3つのアプローチを試みたので報告する．まず，n型半導体であるフラーレン（C60）... [more] | OME2015-88 pp.11-14 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-16 SDM2015-99 |
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] | EID2015-16 SDM2015-99 pp.31-34 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ～ TFTのin vitro実験 ～ ○春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-22 SDM2015-105 |
薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発を行っている．今回は，薄膜トランジスタで作製したCMOSインバータとリングオシ... [more] | EID2015-22 SDM2015-105 pp.57-60 |
| SDM | 2015-10-30 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］大画面シート型ディスプレイ実現に向けたディスプレイ材料・プロセス技術 ○藤崎好英（NHK） SDM2015-79 |
高臨場感放送メディアの進展,スマートフォンなど情報端末の急速な普及に伴い,いつでもどこでも高品質な映像コンテンツを視聴で... [more] | SDM2015-79 pp.45-48 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 10:35 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 ○岡田広美・藤井茉美・石河泰明（奈良先端大）・三輪一元（電中研）・浦岡行治（奈良先端大）・小野新平（電中研） R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 |
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は，優れた電気特性，低温作製可能，ワイドバンドギャップとい... [more] | R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 pp.5-8 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 11:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド（奈良先端大）・高橋英治・安東靖典（日新電機）・浦岡行治（奈良先端大） R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] | R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 pp.9-11 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2015-07-29 15:00 |
富山 | 富山大学工学部 | 異なる界面層を持つ有機薄膜トランジスタ ○サフィザン シャアリ・中 茂樹・岡田裕之（富山大） OME2015-38 |
[more] | OME2015-38 pp.23-27 |
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