| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| RCC, ISEC, IT, WBS (共催) |
2024-03-13 - 2024-03-14 |
大阪 | 大阪大学吹田キャンパス | 量子Reed-Solomon符号に基づいた量子削除誤り訂正符号に対する挿入誤り訂正法 ○佐々木公規・野﨑隆之（山口大）  IT2023-91 ISEC2023-90 WBS2023-79 RCC2023-73 |
量子挿入，削除誤り訂正符号の研究が活発になったのは近年のことである．2023年に萩原によって，複数個の削除誤りを訂正可能... [more] | IT2023-91 ISEC2023-90 WBS2023-79 RCC2023-73 pp.102-107 |
| MI | 2023-07-03 10:00 |
宮城 | 東北大学片平さくらホール | 拡散MRIのFree Water Imagingモデルのパラメタ推定のためのハイブリッド手法のHCPデータにおける検討 ～ b0画像なしデータに対する拡散テンソル計算法の比較 ～ ○増谷佳孝（東北大）・山崎奎吾・内田 航・鎌形康司（順天堂大）・佐々木 公（HHC）・青木茂樹（順天堂大） MI2023-7 |
我々は、Free Water Imaging (FWI)モデルのパラメタ推定のために生成型Q空間学習と従来のフィッティン... [more] | MI2023-7 pp.1-2 |
| RISING (第三種研究会) |
2021-11-17 09:00 |
東京 | 東京都内+EventIn （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
UAVを用いたIoTデータ収集ネットワークの性能解析 ○佐々木公威・木村達明・滝根哲哉（阪大） |
近年，医療・生活・交通などの様々な場面で生成される多様な情報を収集するための手段として，Internet of Thin... [more] | |
| RCS, SR, NS, SeMI, RCC (併催) |
2021-07-14 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | UAVを用いたデータ収集ネットワークの性能解析 ○佐々木公威・木村達明・滝根哲哉（阪大） RCC2021-26 NS2021-36 RCS2021-81 SR2021-24 SeMI2021-12 |
近年，医療・生活・交通・工業などの様々な場面で生成される多様な情報を収集するための手段として， Internet of ... [more] | RCC2021-26 NS2021-36 RCS2021-81 SR2021-24 SeMI2021-12 pp.23-28(RCC), pp.25-30(NS), pp.25-30(RCS), pp.28-33(SR), pp.7-12(SeMI) |
| MI | 2018-07-24 15:45 |
岩手 | アイーナ(岩手県盛岡市) | ［ショートペーパー］Deep Regressionによる拡散MRIの各種モデルパラメタ推定 ～ 生成型学習データの分布が及ぼす影響について ～ ○増谷佳孝・佐々木 公（広島市大） MI2018-31 |
[more] | MI2018-31 pp.51-52 |
| MI | 2017-07-06 17:15 |
宮城 | 東北大学 | 拡散MRIのQ空間データにおける補間および線積分に基づく線維に垂直な方向の信号減衰比の再構成法の比較 ○増谷佳孝・佐々木 公（広島市大） MI2017-30 |
[more] | MI2017-30 pp.23-26 |
| MI | 2016-11-14 15:30 |
鳥取 | 鳥取大学 | ［ショートペーパー］拡散MRIのQ空間データにおける補間および線積分に基づく線維方向およびその垂直方向の拡散尖度の計算方法 ○増谷佳孝・佐々木 公（広島市大） MI2016-70 |
[more] | MI2016-70 pp.33-34 |
| ED | 2016-07-23 15:05 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2016-29 |
現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ... [more] | ED2016-29 pp.11-15 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| ED | 2015-07-24 15:10 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2015-40 |
[more] | ED2015-40 pp.21-24 |
| ED | 2014-08-01 15:50 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT） ED2014-60 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] | ED2014-60 pp.41-46 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ） ED2013-116 MW2013-181 |
我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイ... [more] | ED2013-116 MW2013-181 pp.35-39 |
| ED | 2013-08-08 17:10 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価 ○上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所）・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2013-43 |
[more] | ED2013-43 pp.29-32 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所） ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結... [more] | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 pp.25-28 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes ○Masataka Higashiwaki（NICT/JST）・Kohei Sasaki（Tamura Corp./NICT）・Akito Kuramata（Tamura Corp.）・Takekazu Masui（Koha Co., Ltd.）・Shigenobu Yamakoshi（Tamura Corp.） |
[more] | |
| CPM | 2009-10-30 09:50 |
富山 | 富山県立大学 | 高濃度BドープSi/SiGeB多層膜の熱電特性 ○的場彰成・佐々木公洋（金沢大） CPM2009-98 |
[more] | CPM2009-98 pp.43-46 |
| CPM | 2009-10-30 10:25 |
富山 | 富山県立大学 | 制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO2薄膜のアニール効果の検討 ○猪阪直也・周 英・佐々木公洋（金沢大） CPM2009-99 |
[more] | CPM2009-99 pp.47-51 |
| CPM | 2006-11-10 09:00 |
石川 | 金沢大学 | IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGeの表面ラフネス制御 ○山本 純・坂口勇太・成瀬公博・佐々木公洋（金沢大） |
[more] | CPM2006-122 pp.53-57 |
| CPM | 2006-11-10 09:25 |
石川 | 金沢大学 | 劣化エピタキシャル成長したSiGe薄膜の熱電性能 ～ 基板の影響 ～ ○的場彰成・早平寿夫・都築崇博・佐々木公洋（金沢大）・岡本庸一・守本 純（防衛大） |
[more] | CPM2006-123 pp.59-63 |
| CPM | 2006-11-10 10:50 |
石川 | 金沢大学 | 制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜作製における成長遅れ時間 ○杉山英孝・小島述央・山岸大朗・周 英・佐々木公洋（金沢大） |
[more] | CPM2006-126 pp.75-79 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]