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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
DC 2010-02-15
09:00
東京 機械振興会館 統計的手法による微小Iddq変動外れ値の検出
中村芳行田中正史NECエレクトロニクスDC2009-65
プロセスの微細化に伴いIddqのばらつきが増大しており、Iddqテストが困難になっている。このため、Iddqの変動を観測... [more] DC2009-65
pp.1-5
SDM 2010-02-05
10:50
東京 機械振興会館 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
林 喜宏田上政由古武直也井上尚也中沢絵美子有田幸司NECエレクトロニクスSDM2009-183
28nm世代以降の最先端LSIや車載用途などの高い信頼性が必要とされるLSIに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたCuダマシ... [more] SDM2009-183
pp.7-11
SDM 2010-02-05
13:30
東京 機械振興会館 CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発
井口 学横川慎二相澤宏一角原由美土屋秀昭岡田紀雄今井清隆戸原誠人藤井邦宏NECエレクトロニクス)・渡部忠兆東芝SDM2009-186
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜(k=2.4)と低誘電率積層バリア膜(k=3.9)を用いた32nmノード配線構... [more] SDM2009-186
pp.25-29
SDM 2010-02-05
15:15
東京 機械振興会館 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
山道新太郎森 健太郎菊池 克村井秀哉大島大輔中島嘉樹NEC)・副島康志川野連也NECエレクトロニクス)・村上朝夫NECSDM2009-189
インターポーザ基板製造プロセスをベースとするチップ-パッケージ間の多層Cuめっき配線技術を開発した。Cu配線の厚さは5~... [more] SDM2009-189
pp.43-48
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
MW 2009-09-25
17:15
東京 電通大 [特別講演]動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器
山之内慎吾青木雄一國弘和明NEC)・平山知央NECエレクトロニクス)・宮崎 孝NEC)・樋田 光NECエレクトロニクスMW2009-90
変調波信号入力時のAM-AMとAM-PM(動的歪特性)を補償する動的プリディストータ(PD)技術を開発しWCDMA用電力... [more] MW2009-90
pp.93-98
WBS 2009-07-24
14:40
静岡 静岡大工学部 ハイバンドUWB装置の基本特性とアグリゲーション実験
望月拓志NECエレクトロニクス)・李 還幇NICT)・広谷 光日立国際電気WBS2009-20
平成20年度「マイクロ波帯を用いた通信用途のUWB無線システムの高度化に関する調査検討会」のハイバンド実験作業班で行なわ... [more] WBS2009-20
pp.75-80
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
14:10
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM
深見俊輔鈴木哲広永原聖万大嶋則和NEC)・尾崎康亮NECエレクトロニクス)・齊藤信作根橋竜介崎村 昇本庄弘明森 馨五十嵐忠二三浦貞彦石綿延行杉林直彦NECSDM2009-114 ICD2009-30
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] SDM2009-114 ICD2009-30
pp.91-95
ICD 2008-12-12
13:20
東京 東工大(大岡山)国際交流会館 [依頼講演] DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式
池永佳史野村昌弘NECエレクトロニクス)・中澤陽悦NEC)・林 喜宏NECエレクトロニクスICD2008-121
 [more] ICD2008-121
pp.95-100
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(共催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2008-11-19
11:15
福岡 北九州学術研究都市 電流容量比を用いたデカップリング容量分配手法
小林 進土居直史NECエレクトロニクスCPM2008-95 ICD2008-94
近年のLSIの高速化および低電圧化により電源ノイズの問題が顕在化しており、電源ノイズを抑制するための効果的な手段としてデ... [more] CPM2008-95 ICD2008-94
pp.37-42
ICD, ITE-IST
(共催)
2008-10-22
14:45
北海道 北海道大学 情報教育館3F Cyclic方式D/Aコンバータの特徴を生かしたリニアリティ特性改善手法
齋藤 航小林英尚松本哲也四柳道夫NECエレクトロニクスICD2008-62
Cyclic方式D/Aコンバータ(DAC)の単調性を保証できるようにするために、このDACの特徴を生かしながら、リニアリ... [more] ICD2008-62
pp.19-24
ICD, ITE-IST
(共催)
2008-10-24
08:30
北海道 北海道大学 情報教育館3F 素子ばらつきを考慮した温度センサ回路の最適化設計
田島英幸小山哲弘山口 基早田征明四柳道夫NECエレクトロニクスICD2008-78
 [more] ICD2008-78
pp.113-118
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
09:50
東京 機械振興会館 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減
筒井 元角田一晃刈谷奈由太秋山 豊阿部倫久丸山信也深瀬 匡鈴木三惠子山縣保司今井清隆NECエレクトロニクスSDM2008-130 ICD2008-40
 [more] SDM2008-130 ICD2008-40
pp.11-16
RECONF 2007-09-21
09:30
滋賀 立命館大学びわこくさつキャンパス (滋賀) SoPCをベースとした組込みシステムのハードウェア/ソフトウェア分割手法
島田健市NECエレクトロニクス)・○福士 将堀口 進東北大RECONF2007-23
(事前公開アブストラクト) ソフトプロセッサを用いるSoPCをベースとした組込みシステム向けの,新たなハードウェア/ソフ... [more] RECONF2007-23
pp.47-52
R 2007-09-14
11:20
高知 高知工科大学 RC回路網による故障モデルの考案とトランジスタレベル故障診断試行
吉澤 豊NECエレクトロニクスR2007-31
RC回路網による故障モデルを考案した。 本モデルによりショート故障、抵抗性ショート/オープン故障、オープン故障とこれらの... [more] R2007-31
pp.11-16
ICD, SDM
(共催)
2006-08-17
10:55
北海道 北海道大学 ランプ波形分割方式を用いたオンチップサンプリングオシロスコープ
稲垣賢一東大)・ダナルドノ ドゥイ アントノソニー)・高宮 真東大)・熊代成孝NECエレクトロニクス)・桜井貴康東大
90nm CMOSプロセスにおいて、タイミング生成にランプ波形分割方式を用いた最高1psの時間分解能をもつオンチップサン... [more] SDM2006-129 ICD2006-83
pp.25-30
EMCJ, EMD
(共催)
2006-07-28
13:25
東京 機械振興会館 LSIを搭載したプリント回路基板のEMIシミュレーション
賀 文寿渡辺 毅飯塚裕一NECエレクトロニクスEMCJ2006-40 EMD2006-20
今回,実用性が高いボードレベルのEMIシミュレーション技術を開発した.本報告では,電源系に対する高周波電流及び放射電磁界... [more] EMCJ2006-40 EMD2006-20
pp.25-28
ICD 2005-12-15
11:20
高知 高知工科大 HSDPAコプロセッサ拡張用スケーラブルバスインタフェース
竹内俊樹井倉裕之NEC)・橋本 剛NECエレクトロニクス)・津村聡一西 直樹NEC
本稿では,W-CDMAベースバンドプロセッサのHSDPAコプロセッサ拡張用に開発したスケーラブルバスについて報告する.H... [more] ICD2005-184
pp.7-11
ICD, SDM
(共催)
2005-08-18
14:55
北海道 函館国際ホテル 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式
池永佳史野村昌弘武田晃一中澤陽悦NEC)・相本代志治NECエレクトロニクス)・萩原靖彦NEC
(事前公開アブストラクト) 我々は回路の動作時および待機時において電源電圧VDDとしきい電圧Vthを動的に制御することに... [more] SDM2005-139 ICD2005-78
pp.67-72
ICD, CPM
(共催)
2005-01-27
13:30
東京 機械振興会館 90nmデバイスのLVP測定容易性評価とLVP測定用素子の開発
野中淳平和田慎一NECエレクトロニクス
90nm以降のプロセスでは、トランジスタサイズがLVPで使用されるレーザ波長の回折限界に到達するため、LVP測定が困難に... [more] CPM2004-156 ICD2004-201
pp.7-12
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