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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
TL 2022-11-26
14:35
山形 山形大学 量的表現を伴わない「量」を含む文の解釈における知覚的手がかりとグループ化の効果
安田哲也東大)・小林春美東電機大TL2022-19
「私の研究室には,お金持ちな学生がいます」という文は,何人がお金持ちかは明示していないが、研究室(i.e., グループ)... [more] TL2022-19
pp.6-10
SR 2022-11-08
14:00
福岡 福岡大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[技術展示]無線双方向時刻比較技術(Wi-Wi)の時刻同期オフセット実測評価
赤坂瀬玲菜亀田 卓広島大)・安田 哲志賀信泰NICTSR2022-64
IoT(Internet of things)デバイスの急速な普及に伴う上り回線の大容量化や干渉低減のための手法として,... [more] SR2022-64
pp.101-104
SR 2021-05-21
14:00
ONLINE オンライン開催 [技術展示]Wi-Wiを用いた同期SS-CDMA送信タイミング制御機能のUSRPへの実装
本間優作亀田 卓末松憲治東北大)・安田 哲志賀信泰NICTSR2021-17
IoT (Internet of things) デバイスの急速な普及に伴う上り回線の大容量化や干渉低減のための手法とし... [more] SR2021-17
pp.113-119
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明
岡 博史松川 貴加藤公彦飯塚将太水林 亘遠藤和彦安田哲二森 貴洋産総研SDM2020-6 ICD2020-6
シリコン量子コンピューターは半導体微細加工技術を用いた量子ビットの大規模集積化に大きな期待が寄せられている。高性能なシリ... [more] SDM2020-6 ICD2020-6
pp.25-30
CCS 2019-03-26
15:30
東京 NICT(小金井) [招待講演]時空間同期 ~ 無線双方向時刻同期技術の活用 ~
志賀信泰安田 哲NICTCCS2018-50
 [more] CCS2018-50
pp.21-26
RCS 2017-10-20
10:00
宮城 東北工業大学 製造現場における多種無線通信 ~ 製造現場における電波環境の実例 ~
板谷聡子長谷川 淳長谷川晃朗小林 宰雨海明博尾関 敦辻 聡安田 哲志賀信泰江連裕一郎伊藤 睦丸橋建一児島史秀NICTRCS2017-189
 [more] RCS2017-189
pp.119-124
AP 2016-01-14
15:35
東京 拓殖大 八王子キャンパス [依頼講演]地上デジタル放送波の伝搬遅延を用いた水蒸気推定手法の研究開発 ~ 反射波を用いた実験結果 ~
川村誠治太田弘毅花土 弘山本真之志賀信泰木戸耕太安田 哲後藤忠広市川隆一雨谷 純今村國康藤枝美穂石津健太郎岩井宏徳杉谷茂夫NICTAP2015-176
地上デジタル放送波の伝搬遅延を精密測定することで、水蒸気を面的に常時モニターするシステムの開発を目指している。ソフトウェ... [more] AP2015-176
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
森 貴洋森田行則右田真司水林 亘福田浩一宮田典幸安田哲二昌原明植太田裕之産総研SDM2014-67 ICD2014-36
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] SDM2014-67 ICD2014-36
pp.29-34
ED 2013-08-09
09:25
富山 富山大学工学部 大会議室 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
後藤高寛藤川紗千恵藤代博記東京理科大)・小倉睦郎安田哲二前田辰郎産総研ED2013-45
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた.GaSb/GaAs界... [more] ED2013-45
pp.37-42
SDM 2012-11-16
14:15
東京 機械振興会館 Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~
福田浩一森 貴洋水林 亘森田行則田邊顕人昌原明植安田哲二右田真司太田裕之産総研SDM2012-111
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] SDM2012-111
pp.63-68
SDM 2011-07-04
10:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価
大野真也井上 慧森本真弘新江定憲豊島弘明横浜国大)・吉越章隆寺岡有殿原子力機構)・尾形祥一横浜国大)・安田哲二産総研)・田中正俊横浜国大SDM2011-54
面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Sin+(n=1-4)... [more] SDM2011-54
pp.23-27
SDM 2010-06-22
14:10
東京 東京大学(生産研An棟) High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係
安田哲二宮田典幸卜部友二石井裕之板谷太郎前田辰郎産総研)・山田 永福原 昇秦 雅彦住友化学)・大竹晃浩物質・材料研究機構)・星井拓也横山正史竹中 充高木信一東大SDM2010-42
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] SDM2010-42
pp.49-54
SDM 2008-06-10
09:55
東京 東京大学(生産研 An棟) III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
安田哲二宮田典幸産総研)・大竹晃浩物質・材料研究機構SDM2008-49
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] SDM2008-49
pp.41-46
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