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誘電・絶縁材料研究会 (IEE-DEI)
電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
半導体電力変換研究会 (IEE-SPC)
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ヒューマンインフォメーション研究会 (ITE-HI)
情報ディスプレイ研究会 (ITE-IDY)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
,
SDM
(共催)
2017-02-24
10:00
北海道
北海道大学百年記念会館
コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価
○
内田貴史
・
福地 厚
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2016-130 SDM2016-147
高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで...
[more]
ED2016-130
SDM2016-147
pp.1-6
OME
2016-10-28
14:00
東京
機械振興会館
Au/pentacene/Au接合デバイスのDC伝導特性
○
林 稔晶
・
中 章圭
・
藤原 聡
(
NTT
)・
横田知之
・
染谷隆夫
(
東大
)
OME2016-40
Au / pentacene / Au接合デバイスの直流伝導測定をおこなった.光伝導、スキャン方向依存性、経時変化という...
[more]
OME2016-40
pp.9-12
OME
2016-10-28
14:40
東京
機械振興会館
Molecular Nanoarrays: from conductance statistics to high-frequency molecular electronics
Jorge Trasobares
・
Kacem Smaali
(
CNRS
)・
Akira Fujiwara
(
NTT
)・
Didier Theron
・
Dominique Vuillaume
(
CNRS
)・○
Nicolas Clement
(
NTT
)
OME2016-42
[more]
OME2016-42
pp.17-20
OME
2015-11-06
14:40
東京
機械振興会館
Ag/pentacene/Ag接合におけるホッピング伝導
○
林 稔晶
(
NTT
)・
横田知之
・
志立 錬
(
東大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
染谷隆夫
(
東大
)
OME2015-62
[more]
OME2015-62
pp.11-14
SDM
,
ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道
北海道大学(百年記念会館)
多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
○
吉岡 勇
・
佐藤 光
・
内田貴史
・
福地 厚
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2014-141 SDM2014-150
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この...
[more]
ED2014-141
SDM2014-150
pp.17-22
SDM
,
ED
(共催)
2013-02-28
09:25
北海道
北海道大学(百年記念会館)
二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価
○
内田貴史
・
竹中浩人
・
吉岡 勇
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2012-138 SDM2012-167
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD...
[more]
ED2012-138
SDM2012-167
pp.53-58
NS
2012-04-19
13:00
高知
高知県立大学
節電施策における装置状態管理手法の提案
○
藤原聡一郎
・
青木良昭
・
矢崎啓之
・
成田真也
(
NTT
)
NS2012-1
CO2削減および電力供給不足等による節電の社会的要請が強まる中で、企業は生産活動に支障をきたすことなく節電を実施するため...
[more]
NS2012-1
pp.1-6
ED
,
SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道
北海道大学 百年記念会館
パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
○
竹中浩人
・
篠原迪人
・
内田貴史
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2011-145 SDM2011-162
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ...
[more]
ED2011-145
SDM2011-162
pp.19-24
ED
,
SDM
(共催)
2012-02-07
16:55
北海道
北海道大学 百年記念会館
シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
○
登坂仁一郎
・
西口克彦
・
影島博之
・
藤原 聡
(
NTT
)
ED2011-149 SDM2011-166
薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOS...
[more]
ED2011-149
SDM2011-166
pp.41-46
ED
,
SDM
(共催)
2012-02-08
11:25
北海道
北海道大学 百年記念会館
急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
○
西口克彦
・
藤原 聡
(
NTT
)
ED2011-154 SDM2011-171
Subthreshold swing (S値)が小さいシリコンMOSFETを利用した確率共鳴について報告する.細線チャネ...
[more]
ED2011-154
SDM2011-171
pp.71-76
SDM
,
ED
(共催)
2011-02-24
10:45
北海道
北海道大学 百年記念会館
Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性
○
篠原迪人
・
加藤勇樹
・
三上 圭
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2010-203 SDM2010-238
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電...
[more]
ED2010-203
SDM2010-238
pp.63-66
SDM
,
ED
(共催)
2011-02-24
11:35
北海道
北海道大学 百年記念会館
単一電子を利用した確率共鳴
○
西口克彦
・
藤原 聡
(
NTT
)
ED2010-205 SDM2010-240
シリコンMOSFETに流れる単一電子を利用した確率共鳴について報告する.ナノ・スケールMOSFETに微小信号を入力すると...
[more]
ED2010-205
SDM2010-240
pp.73-77
SDM
,
ED
(共催)
2009-02-26
14:10
北海道
北海道大学
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
○
宮崎康晶
(
NTT/慶大
)・
小野行徳
・
影島博之
・
永瀬雅夫
・
藤原 聡
(
NTT
)・
太田英二
(
慶大
)
ED2008-225 SDM2008-217
[more]
ED2008-225
SDM2008-217
pp.7-11
SDM
,
ED
(共催)
2009-02-27
09:25
北海道
北海道大学
Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性
○
曹 民圭
・
開澤拓弥
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
(
NTT
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2008-233 SDM2008-225
SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できるこ...
[more]
ED2008-233
SDM2008-225
pp.53-58
SDM
,
ED
(共催)
2008-07-10
09:00
北海道
かでる2・7(札幌)
電界効果トランジスタを利用した単一電子エレクトロメータ
○
西口克彦
・
チャーリー カクラン
・
小野行徳
・
藤原 聡
・
猪川 洋
・
山口浩司
(
NTT
)
ED2008-62 SDM2008-81
[more]
ED2008-62
SDM2008-81
pp.119-124
ED
,
SDM
(共催)
2008-01-31
11:40
北海道
北海道大学
Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作
○
開澤拓弥
・
曹 民圭
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
・
山崎謙治
・
小野行徳
(
NTT
)・
猪川 洋
(
静岡大
)・
高橋庸夫
(
北大
)
ED2007-250 SDM2007-261
[more]
ED2007-250
SDM2007-261
pp.69-73
ED
,
SDM
(共催)
2008-01-31
12:05
北海道
北海道大学
ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ~ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ~
○
西口克彦
・
藤原 聡
(
NTT
)
ED2007-251 SDM2007-262
シリコンMOSFETを利用した確率的情報処理回路について報告する.ナノ・スケールMOSFETに流れる電流をアトアンペア以...
[more]
ED2007-251
SDM2007-262
pp.75-79
ED
,
SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国
[招待講演]シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス
○
西口克彦
・
小野行徳
・
藤原 聡
(
NTT
)・
猪川 洋
(
静岡大
)・
高橋庸夫
(
北大
)
シリコンMOSFETを利用した単一電子転送・検出を行なうデバイスを作製した.MOSFETゲートでチャネルのエネルギーバリ...
[more]
SDM
,
ED
(共催)
2007-02-01
16:20
北海道
北海道大学 百年記念会館
Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
○
開澤拓弥
・
有田正志
(
北大
)・
藤原 聡
・
山崎謙治
・
小野行徳
(
NTT
)・
猪川 洋
(
静岡大
)・
高橋庸夫
(
北大
)
[more]
ED2006-246
SDM2006-234
pp.35-40
CPM
2006-08-08
09:30
岩手
岩手大学
EuBa2Cu3O7-δ薄膜用CeO2バッファ層の厚膜化
○
菊地景大
・
佐久間 純
・
藤原 聡
・
太田靖之
・
道上 修
(
岩手大
)
[more]
CPM2006-48
pp.43-46
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