| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-10 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション ○橋本風渡・鈴木刀真・三成英樹・中﨑暢也・小町 潤（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・佐野伸行（筑波大）  SDM2023-69 |
本研究では、不純物の離散性とトラップによるキャリア捕獲励起過程をモンテカルロデバイスシミュレーションに正しく導入し、n型... [more] | SDM2023-69 pp.31-34 |
| QIT (第二種研究会) |
2023-05-29 16:30 |
京都 | 京都大学 桂キャンパス | ［ポスター講演］ラベルの入れ替えによる量子GANの性能向上 古賀亮佑・○佐野裕一（京大）・濵村一航（日本IBM） |
数値積分を行う際にモンテカルロシミュレーションを用いることがあるが、量子コンピュータではこのモンテカルロシミュレーション... [more] | |
| RCS | 2020-06-25 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | Massive MIMOにおけるマルコフ連鎖モンテカルロ法を用いた信号検出に関する研究 ○松村和士・萩原淳一郎・西村寿彦・大鐘武雄・小川恭孝・佐藤孝憲（北大） RCS2020-38 |
無線伝送の新技術であるMassive MIMO (大規模MIMO) では，アンテナ本数の上昇に伴い，信号検出処理の計算量... [more] | RCS2020-38 pp.91-95 |
| SDM | 2016-11-11 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ダブルゲート構造における自己無撞着モンテカルロシミュレーション ○坂本 萌・六郷泰昭・佐野伸行（筑波大） SDM2016-88 |
クーロン相互作用を高精度に導入した３次元自己無撞着モンテカルロシミュレーションを用いて、ダブルゲート構造MOSFETでの... [more] | SDM2016-88 pp.55-58 |
| ICD | 2016-04-14 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 ○小池洋紀・三浦貞彦・本庄弘明・渡辺俊成・佐藤英夫・佐藤創志・那須野 孝・野口靖夫・安平光雄・谷川高穂・丹羽正昭・伊藤顕知・池田正二・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2016-10 |
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な，高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧（Vref）生成回路，... [more] | ICD2016-10 pp.51-56 |
| SDM | 2015-11-05 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析 ○南谷夏海（阪大）・Vu Truon Son Dao・下ノ村和弘・江藤剛治（立命館大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大） SDM2015-86 |
裏面照射型CCDを用いた超高速撮像素子を想定した基礎的なシミュレーション解析を行った。光電変換層で生成した光電子がコレク... [more] | SDM2015-86 pp.13-17 |
| NS, IN (併催) |
2014-03-06 10:10 |
宮崎 | 宮崎シーガイア | 格子状に配置したバイナリセンサを用いた歩行者数推定手法 ○藤井崇渡・谷口義明・長谷川 剛・松岡茂登（阪大） NS2013-188 |
本報告では，商店街の通路や歩道のように複数の歩行者が2方向に移動する幅が広い環境において移動方向別の歩行者数を推定する手... [more] | NS2013-188 pp.67-72 |
| ED | 2013-12-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研 | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2013-92 |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては... [more] | ED2013-92 pp.13-17 |
| SDM | 2013-11-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション ○金村貴永・加藤弘一・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明（東芝） SDM2013-102 |
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍... [more] | SDM2013-102 pp.15-20 |
| EST, MWP, OPE, MW, EMT, IEE-EMT (共催) [詳細] |
2013-07-18 17:20 |
北海道 | 稚内総合文化センター | ［特別招待講演］グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術 ○佐野栄一（北大） MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18 |
炭素六員環構造の単原子層からなるグラフェンは、その特異な電子構造のため物理実験のプラットホームとして興味深く、さらには高... [more] | MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18 pp.77-82 |
| ED | 2012-12-17 13:00 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2012-93 |
InAlAs/InGaAs系HEMTをより高速化する手段の一つとして，InGaAsチャネル層内にInAs層を導入したIn... [more] | ED2012-93 pp.1-6 |
| PRMU, NLC (共催) |
2012-06-29 11:20 |
東京 | 早稲田大学 | 複眼センサシステムのためのモンテカルロ法に基づく歩行者数推定手法の提案と評価 ○藤井崇渡・谷口義明・長谷川 剛・中野博隆（阪大） NLC2012-3 PRMU2012-23 |
本報告では，廊下のように歩行者が2方向に移動するような屋内環境を対象として，歩行者の有無のみを判別可能なバイナリセンサを... [more] | NLC2012-3 PRMU2012-23 pp.13-18 |
| NLP | 2012-04-20 09:45 |
三重 | いせシティプラザ | Statistical Mechanics of Phase Unwrapping Using the Q-Ising Model ○Yohei Saika（Gunma NCT）・Tatsuya Uezu（Nara Women's Univ.） NLP2012-12 |
光計測技術における位相アンラッピングの問題にたいして，情報統計力学にもとづく最大事後周辺確率推定による位相アンラッピング... [more] | NLP2012-12 pp.61-65 |
| ED | 2011-12-14 13:40 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ～ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ～ ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2011-101 |
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして，InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI... [more] | ED2011-101 pp.7-12 |
| CPSY | 2011-10-21 14:35 |
兵庫 | 神戸大学大学院 | 量子モンテカルロ法による分子系のシミュレーション ○田中成典（神戸大） CPSY2011-33 |
量子多体系の厳密なシミュレーション手法である量子モンテカルロ法について，著者の成果を中心に紹介する．分子系の物性の第一原... [more] | CPSY2011-33 pp.47-48 |
| ED | 2010-12-17 11:15 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2010-168 |
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして，InGaAs チャネル層内に電子の... [more] | ED2010-168 pp.59-64 |
| VLD | 2010-03-10 16:15 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | 超球の一部を用いた歩留り推定における不良領域の効率的探索手法 ○伊達貴徳・萩原 汐・益 一哉（東工大）・佐藤高史（京大） VLD2009-105 |
SRAM セルの不良率を推定するため，従来よりMonte Carlo 法による解析が行われている．しかし，ばらつきによっ... [more] | VLD2009-105 pp.37-42 |
| ED | 2009-11-29 15:30 |
大阪 | 大阪科学技術センター | モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-163 |
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには，主にゲート長Lg の短縮，及び短チャネル効果を抑制す... [more] | ED2009-163 pp.19-23 |
| SDM | 2009-11-13 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・谷口研二（阪大） SDM2009-142 |
ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを... [more] | SDM2009-142 pp.39-44 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]