Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2009-18
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
○以西雅章・倉地雄史・山田典史・武内俊憲・宝珍敬志（静岡大）
pp. 1 - 5
ED2009-19
青色EL素子用SrS：Cu薄膜の評価
○山田典史・宝珍敬志・以西雅章（静岡大）
pp. 7 - 10
ED2009-20
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成における石英円筒の効果
○細川貴之・関川智士・以西雅章（静岡大）
pp. 11 - 15
ED2009-21
Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価
○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大）
pp. 17 - 20
ED2009-22
RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成と光触媒特性
○伊藤達也・遠藤立弥・以西雅章（静岡大）・境 哲也・星 陽一（東京工芸大）
pp. 21 - 24
ED2009-23
A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications
○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）
pp. 25 - 30
ED2009-24
第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析
○中島佑基・市村正也（名工大）
pp. 31 - 35
ED2009-25
Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates
○Akihiko Hiroe・Tetsuya Goto・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）
pp. 37 - 42
ED2009-26
Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method
○Govindasamy Rajesh・Hisashi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Akira Tanaka（Shizuoka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
pp. 43 - 47
ED2009-27
Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長
○山口雅史・白 知鉉・市橋弘英・堀内 功（名大）・澤木宣彦（愛知工大）
pp. 49 - 52
ED2009-28
Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLP
○Mouleeswaran Deivasigamani.・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
pp. 53 - 58
ED2009-29
MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長
○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野 泰（静岡大）
pp. 59 - 64
ED2009-30
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用
○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 65 - 70
ED2009-31
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性
○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 71 - 76
ED2009-32
AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光
○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）
pp. 77 - 81
ED2009-33
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長
○馬 ベイ・宮川鈴衣奈・胡 衛国・三宅秀人・平松和政（三重大）
pp. 83 - 86
ED2009-34
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価
○田島正文・橋詰 保（北大）
pp. 87 - 90
ED2009-35
GaNの電気化学酸化による表面制御
○原田脩央・塩崎奈々子・橋詰 保（北大）
pp. 91 - 94
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．