Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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OME2010-1
［招待講演］生体超分子を用いた高機能化ナノシステム ～ シリコン薄膜の低温結晶化 ～
○浦岡行治・山下一郎（奈良先端大）
pp. 1 - 4
OME2010-2
ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT
○原 明人・渋谷 潤・佐藤 旦（東北学院大）・北原邦紀（島根大）
pp. 5 - 8
OME2010-3
ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察
○部家 彰・長谷川裕師・松尾直人（兵庫県立大）
pp. 9 - 12
OME2010-4
ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム
○川畑直之（九大）・黒澤昌志（九大/学振）・佐道泰造・宮尾正信（九大）
pp. 13 - 17
OME2010-5
a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
○坂本明典・野口 隆（琉球大）・大鉢 忠（同志社大）・大城文明・ジョン デ ディウ ムジラネザ（琉球大）
pp. 19 - 22
OME2010-6
［招待講演］スパッタリング法によるSi膜と高性能多結晶Si薄膜トランジスタ
○芹川 正（阪大）
pp. 23 - 28
OME2010-7
Influence of Grain Size on Gate Voltage Swing and Threshold Voltage of Poly-Si Thin Film Transistor
○Fumiaki Oshiro・Akinori Sakamoto・Takashi Noguchi（Univ. of Ryukyus）・Tadashi Ohachi（Doshisha Univ.）
pp. 29 - 32
OME2010-8
Characterization of Sputtered-Si Films for Photo-Sensor Diodes
○Jean de Dieu Mugiraneza・Tomoyuki Miyahira・Akinori Sakamoto・Takashi Noguchi（Univ. of Ryukyus）・Ching-Ping Chiu・Meng-Hsin Chen・Wen-Chang Yeh（NTUST）
pp. 33 - 37
OME2010-9
［招待講演］大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用
○東 清一郎（広島大）
pp. 39 - 44
OME2010-10
エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果
○部家 彰・山田和史（兵庫県立大）・河本直哉（山口大）・松尾直人（兵庫県立大）
pp. 45 - 48
OME2010-11
SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)の形成のシード基板面方位・成長方向依存性
○大田康晴・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大）
pp. 49 - 52
OME2010-12
Formation of Defect-Free Ge Island on Insulator by Ni-Imprint Induced Si Micro-Seeding Rapid Melting
○Takashi Sakane・Kaoru Toko・Takanori Tanaka・Taizoh Sadoh・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.）
pp. 53 - 57
OME2010-13
［招待講演］光学的手法で見る有機薄膜トランジスタにおける電荷のダイナミクス
○間中孝彰・岩本光正（東工大）
pp. 59 - 64
OME2010-14
時間分解スラブ光導波路分光法を用いた固液界面におけるタンパク質の吸着反応と機能のその場観察
○松田直樹・岡部浩隆（産総研）
pp. 65 - 66
OME2010-15
Single-walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor Made by Using Solution Process
○Xun Yi・Hiroaki Ozawa・Gou Nakagawa・Tsuyohiko Fujigaya・Naotoshi Nakashima・Tanemasa Asano（Kyushu Univ.）
pp. 67 - 70
OME2010-16
Fabrication and characterization of IGZO-channel ferroelectric-gate TFTs with P(VDF-TrFE) film
○Gwang-Geun Lee（Tokyo Inst. of Tech.）・Sung-Min Yoon（ETRI）・Joo-Won Yoon（Tokyo Inst. of Tech.）・Yoshihisa Fujisaki（Hitachi）・Hiroshi Ishiwara・Eisuke Tokumitsu（Tokyo Inst. of Tech.）
pp. 71 - 75
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．