Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2013-116
パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析
○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 1 - 5
SDM2013-117
高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 7 - 11
SDM2013-118
多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ
○大山翔平・松村 篤・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 13 - 18
SDM2013-119
インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価
○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 19 - 23
SDM2013-120
キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池
○若宮彰太・小林孝裕・松尾直人・部家 彰（兵庫県立大）
pp. 25 - 29
SDM2013-121
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製
○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 31 - 35
SDM2013-122
リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製
○岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人）
pp. 37 - 41
SDM2013-123
Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発
○井上雅志・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 43 - 47
SDM2013-124
スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT
○目黒達也・原 明人（東北学院大）
pp. 49 - 53
SDM2013-125
［招待講演］BLDA(青色半導体ダイオードアニール)によるSi薄膜結晶化と応用
○野口 隆・岡田竜弥（琉球大）
pp. 55 - 59
SDM2013-126
軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ～ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ～
○草壁 史・丸山裕樹・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）
pp. 61 - 66
SDM2013-127
軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発
○部家 彰・草壁 史・丸山裕樹・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大）・野口 隆（琉球大）
pp. 67 - 72
SDM2013-128
［招待講演］グラフェン誘導体表面に構築したオンチップ型FRETアプタセンサ
○上野祐子・古川一暁（NTT）
pp. 73 - 78
SDM2013-129
Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響
○長谷川 祥・榎本雄太郎・片田直伸・伊藤敏幸・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大）
pp. 79 - 83
SDM2013-130
誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング
○渡辺和貴・山口正樹・西川宏之（芝浦工大）
pp. 85 - 89
SDM2013-131
長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性
○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）
pp. 91 - 96
SDM2013-132
界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察
○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 97 - 100
SDM2013-133
コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価
○中澤成哉・南園悠一郎・須田 淳・木本恒暢（京大）
pp. 101 - 105
SDM2013-134
三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化
○堀 良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 107 - 112
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．