Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2023-35
［招待講演］最先端CMOSプロセスを適用した小型高分解能サイクリックA/D変換器の開発
○大島 俊・山本敬亮・小野豪一（日立）
pp. 1 - 5
SDM2023-36
量子デバイスの環境モニタリングに向けた極低温AD変換器の検討
○山田友弥・髙橋亮蔵・三木拓司・永田 真（神戸大）
pp. 6 - 9
SDM2023-37
量子コンピュータ向けフリップチップシリコンインターポーザの極低温評価
○田口美里・高橋亮蔵（神戸大）・加藤薫子・楠野順弘（日立）・三木拓司・永田 真（神戸大）
pp. 10 - 13
SDM2023-38
［招待講演］低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大 ～ 43年間の半導体研究を振り返って ～
○石橋孝一郎（電通大）
pp. 14 - 15
SDM2023-39
［招待講演］低消費電力センサと無線技術の研究動向
○道正志郎・石原 昇・伊藤浩之（東工大）
pp. 16 - 21
SDM2023-40
［招待講演］短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源
○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研）
pp. 22 - 27
SDM2023-41
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善
○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋（産総研）
pp. 28 - 31
SDM2023-42
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
○李 龍聖・森 貴之（金沢工大）・岡 博史・森 貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大）
pp. 32 - 35
SDM2023-43
［招待講演］10Gbps/Wのネットワークルーティング、40ms CANバス 起動および1.4mWの待機電力を実現する 33k DMIPS・6.4W車載コミュニケーションゲートウェイプロセッサ
○島田健市・佐野啓一郎・福岡一樹・森田浩史・大東正行・亀井達也・浜崎博幸・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 36 - 40
SDM2023-44
1W/8R 20T SRAMコードブックメモリによる深層学習プロセッサの主記憶帯域削減
○大原遼太郎・加太雅也・太地正和・福永 篤・安田祐人・濱邉理玖・和泉慎太郎・川口 博（神戸大）
pp. 41 - 44
SDM2023-45
［招待講演］原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ
○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎（東大）・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 45 - 49
SDM2023-46
［招待講演］先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向 ～ FinFET, BS-PDN, GAA-NS-FET, CFET, 2D-CFET ～
○若林 整（東工大）
pp. 50 - 55
SDM2023-47
センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET
○原田知親（山形大）
pp. 56 - 59
SDM2023-48
［招待講演］二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望
○長汐晃輔（東大）
p. 60
SDM2023-49
［招待講演］ビットコスト低減と持続可能性に向けた極低温7ビットセルフラッシュメモリの回復アニールによる再生利用
○饗場悠太・田中 瞳・菊島史恵・田中洋毅・藤澤俊雄・向田秀子・佐貫朋也（キオクシア）
p. 61
SDM2023-50
［招待講演］エネルギーの場，コンピューターのカタチ
○三浦典之（阪大）
pp. 62 - 63
SDM2023-51
［招待講演］パワーデバイス用負荷適応型アクティブゲートドライバ集積回路の研究開発
○川井秀介・上野武司・高谷 聡・宮崎耕太郎（東芝）・鬼塚浩平（東芝欧州社）・石原寛明（東芝）
pp. 64 - 69
SDM2023-52
Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs
○Dibo Zhang・Kohei Horii・Katsuhiro Hata・Makoto Takamiya（UTokyo）
pp. 70 - 73
SDM2023-53
Gate Driver IC with Fully Integrated Overcurrent Protection Function by Measuring Gate-to-Emitter Voltage
○Haifeng Zhang・Dibo Zhang・Hiromu Yamasaki・Katsuhiro Hata（Univ. of Tokyo）・Keiji Wada（Tokyo Metropolitan Univ.）・Kan Akatsu（Yokohama National Univ.）・Ichiro Omura（Kyusyu Institute of Technology）・Makoto Takamiya（Univ. of Tokyo）
pp. 74 - 78
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．