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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-05-15 to:2008-05-15」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 13:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成へのドーナツ円板の効果 ○細川貴之・中村功一・細江俊介・酒井 里・以西雅章（静岡大）  ED2008-1 CPM2008-9 SDM2008-21 |
RFマグネトロンスパッタリング法により、Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している。ターゲットには、LiMn2... [more] | ED2008-1 CPM2008-9 SDM2008-21 pp.1-6 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 13:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成 ○中村功一・細川貴之・酒井 里・細江俊介・以西雅章（静岡大） ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22 |
Li二次電池の正極物質として、Mn酸化物が注目されている。この物質は材料費が安く、環境への影響も少ないという利点を持つ。... [more] | ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22 pp.7-10 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 13:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価 ○山田典史・板倉巧周・倉地雄史・以西雅章（静岡大） ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23 |
青色EL素子の高輝度化を目的として、SrS:Cu薄膜を生成し、結晶特性および発光特性の熱処理(ステップアニール)条件依存... [more] | ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23 pp.11-14 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 14:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ○倉地雄史・板倉功周・山田典史・以西雅章（静岡大） ED2008-4 CPM2008-12 SDM2008-24 |
[more] | ED2008-4 CPM2008-12 SDM2008-24 pp.15-18 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 14:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成 ○堀内郁志・以西雅章（静岡大） ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25 |
近年環境問題に対する関心は年々高まってきている。そのため排気ガスの制御に利用される高温用酸素ガスセンサとして酸化ガリウム... [more] | ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25 pp.19-22 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 15:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成 ○遠藤立弥・水地裕一・以西雅章（静岡大） ED2008-6 CPM2008-14 SDM2008-26 |
TiO2薄膜は、近紫外光の照射により、有機物分解特性や親水特性を示すことから、光触媒材料として注目されている。近年、可視... [more] | ED2008-6 CPM2008-14 SDM2008-26 pp.23-28 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 |
Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circui... [more] | ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 pp.29-34 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価 ○松野文弥・畠中 奨・中西快之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） |
GaP0.98N0.02はSiに格子整合可能であり，光電子融合集積回路(OEIC: optoelectronic int... [more] | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 16:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 超音波を用いたガラス基板上ZnOナノ構造の作製 ○Kasimayan Uma・曽我哲夫・神保孝志（名工大） ED2008-8 CPM2008-16 SDM2008-28 |
[more] | ED2008-8 CPM2008-16 SDM2008-28 pp.35-40 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 超音波ネブライザを用いた単層カーボンナノチューブの合成 ○Ishwor Khatri・曽我哲夫・神保孝志（名工大） ED2008-9 CPM2008-17 SDM2008-29 |
[more] | ED2008-9 CPM2008-17 SDM2008-29 pp.41-46 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 銅の熱酸化による酸化亜銅ナノ構造の成長 ○梁 剣波・Kasimayan Uma・曽我哲夫・神保孝志（名工大） ED2008-10 CPM2008-18 SDM2008-30 |
[more] | ED2008-10 CPM2008-18 SDM2008-30 pp.47-50 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT） ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として，Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた． 1x10-5&... [more] | ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 pp.51-56 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析 ○森 俊晶・浅井俊晶・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤さき 勇（名城大） ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32 |
[more] | ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32 pp.57-60 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 |
低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向... [more] | ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 pp.61-66 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性 ○広森公一・石川博康・十倉史行・嶋中啓太・森 直人・森本智彦（名工大） ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34 |
Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNについて、諸特性のリアクタ圧力依存性を調べた。成長圧力が高くなるに従いAl... [more] | ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34 pp.67-70 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 12:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 温度差法を用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長 ○手嶋康将・鈴木堅志郎・成塚重弥・丸山隆浩（名城大） ED2008-15 CPM2008-23 SDM2008-35 |
[more] | ED2008-15 CPM2008-23 SDM2008-35 pp.71-74 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 13:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係 ○前多悠也・金 秀光・谷奥雅俊・渕 真悟・宇治原 徹・竹田美和・山本尚人・真野篤志・中川靖英・山本将博・奥見正治・中西 彊（名大）・坂 貴（大同工大）・堀中博道（阪府大）・加藤俊宏（大同特殊鋼） ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36 |
我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功し... [more] | ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36 pp.75-80 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 13:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I) ○渡邊彰伸・甲斐康寛・山田 航・市橋 果・米山知宏・加藤大祐・松本和也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37 |
有機金属気相成長法による，Si基板上のCdTe層のヨウ素ドーピング特性について検討を行った．成長原料として，DMCdとD... [more] | ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37 pp.81-84 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 14:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II) ○市橋 果・山田 航・甲斐康寛・渡邊彰伸・中西智哉・岡 寛樹・仲島 甫・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38 |
エチルヨウ素をn型不純物としてMOVPE法によるp型CdTe層の高抵抗化について検討を行った。成長温度510℃と610℃... [more] | ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38 pp.85-88 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 ○小野英則・小川和也・加藤正史・市村正也（名工大） ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 |
4H-SiCショットキーダイオードは高速，高耐圧の整流器への応用が期待されている．しかし，SiCショットキーダイオードに... [more] | ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 pp.89-94 |
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