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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-11-11 to:2010-11-11」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性 三浦仁嗣・大谷孝史・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治（長岡技科大）  ED2010-142 CPM2010-108 LQE2010-98 |
[more] | ED2010-142 CPM2010-108 LQE2010-98 pp.1-6 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 10:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 ○荒木 努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 |
[more] | ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 pp.7-10 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 10:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 ○本田 徹・林 才人・後藤大雅・井垣辰浩（工学院大） ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100 |
GaN系低コスト集積化発光素子の実現は小型フラットパネルディスプレイの高輝度化の点から注目されている．集積密度向上のため... [more] | ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100 pp.11-14 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 11:15 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 ○田辺 悟・西尾 礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之（東工大） ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101 |
今回，MOCVD法を用いて，Si基板上へのGaNP層成長及びInAs系量子ドット成長の基礎特性の検討を行った．Si基板上... [more] | ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101 pp.15-19 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 13:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長 ○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・江龍 修（名工大） ED2010-146 CPM2010-112 LQE2010-102 |
[more] | ED2010-146 CPM2010-112 LQE2010-102 pp.21-24 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 13:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN ○藤田浩平・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研） ED2010-147 CPM2010-113 LQE2010-103 |
[more] | ED2010-147 CPM2010-113 LQE2010-103 pp.25-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 13:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価 ○島原佑樹・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） |
[more] | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 14:30 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 ○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大） ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104 |
非極性InGaN量子井戸の偏光特性の実験データから材料パラメータを逆算的に求める解析手法を開発した。その手法に基づいてこ... [more] | ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104 pp.29-32 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 14:55 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 |
InGaN 単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop 現象を解明するために, 本研究では, 内部量子... [more] | ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 pp.33-36 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:20 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 |
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である．その物理的原因として，p型のホ... [more] | ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 pp.37-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:45 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 ○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大） ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 |
AlNテンプレート上にMOCVD成長させたAlInN/GaN構造の評価を行い、ショットキー型紫外線受光素子を試作した。A... [more] | ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 pp.41-45 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し，評価を... [more] | ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 pp.47-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | ミリ波高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田 哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109 |
[more] | ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109 pp.51-54 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 pp.55-58 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 ○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉 勉・加地 徹（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車） ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111 |
p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光（HAX-PES）法を... [more] | ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111 pp.59-62 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 |
2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイ... [more] | ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 pp.63-66 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 11:15 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 低転位GaN基板上縦型HFET ○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫（住友電工） ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 |
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] | ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 pp.67-70 |
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