11月11日(木) 午前  10:00 - 11:40
(1)	10:00-10:25	触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性 ED2010-142 CPM2010-108 LQE2010-98	三浦仁嗣・大谷孝史・黒田朋義・西山　洋・○安井寛治（長岡技科大）
(2)	10:25-10:50	RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99	○荒木　努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）
(3)	10:50-11:15	疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100	○本田　徹・林　才人・後藤大雅・井垣辰浩（工学院大）
(4)	11:15-11:40	Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101	○田辺　悟・西尾　礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之（東工大）
11月11日(木) 午後  13:00 - 17:15
(5)	13:00-13:25	SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長 ED2010-146 CPM2010-112 LQE2010-102	○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・江龍　修（名工大）
(6)	13:25-13:50	減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN ED2010-147 CPM2010-113 LQE2010-103	○藤田浩平・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松　潤・平山秀樹（理研）
(7)	13:50-14:15	電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価	○島原佑樹・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）
	14:15-14:30	休憩　（ 15分 ）
(8)	14:30-14:55	非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104	○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大）
(9)	14:55-15:20	空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105	○橋谷　享・金田昭男・船戸　充・川上養一（京大）
(10)	15:20-15:45	電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106	○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡　研（ウシオ電機）・船戸　充・川上養一（京大）
(11)	15:45-16:10	AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107	○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大）
	16:10-16:25	休憩　（ 15分 ）
(12)	16:25-16:50	多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108	○大井幸多（北大）・橋詰　保（北大/JST）
(13)	16:50-17:15	ミリ波高出力GaN-HEMT ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109	○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田　哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原　直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）
11月12日(金) 午前  10:00 - 11:40
(14)	10:00-10:25	GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110	○堀　祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰　保（北大/JST）
(15)	10:25-10:50	硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111	○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉　勉・加地　徹（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車）
(16)	10:50-11:15	GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112	○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井　彰（古河機械金属）
(17)	11:15-11:40	低転位GaN基板上縦型HFET ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113	○岡田政也・斎藤　雄・横山満徳・中田　健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山　誠・勝山　造・中村孝夫（住友電工）
11月12日(金) 午後  13:00 - 17:00
	-	【パネルセッション】「GaNトランジスターの進展と課題」 １）ノーマリオフのためのデバイス構造（70分） 司会：橋詰保（北大） （休憩10分） ２）電流変動（コラプス）の機構と制御法（70分） 司会：橋詰保（北大） （休憩10分） ３）GaNデバイスの長所・弱点（70分） 司会：加地徹（豊田中研）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t 上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-： zopac
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	佐藤 健二（日本電気株式会社） TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619 E-: snc 宮本 智之（東京工業大学） TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977 E-: ttpi
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2010-11-05 13:44:13