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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-05-14 to:2009-05-14」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 13:30 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ○以西雅章・倉地雄史・山田典史・武内俊憲・宝珍敬志（静岡大）  ED2009-18 CPM2009-8 SDM2009-8 |
青色EL発光特性向上のために、SrS:Cu薄膜EL (Electroluminescent Element) 素子の作製... [more] | ED2009-18 CPM2009-8 SDM2009-8 pp.1-5 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 13:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 青色EL素子用SrS：Cu薄膜の評価 ○山田典史・宝珍敬志・以西雅章（静岡大） ED2009-19 CPM2009-9 SDM2009-9 |
青色EL素子の高輝度化を目的として、SrS:Cu薄膜を生成し、結晶特性およびPL(Photoluminescent)発光... [more] | ED2009-19 CPM2009-9 SDM2009-9 pp.7-10 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 14:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成における石英円筒の効果 ○細川貴之・関川智士・以西雅章（静岡大） ED2009-20 CPM2009-10 SDM2009-10 |
RFマグネトロンスパッタリング法により、Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している。ターゲットには、LiMn2... [more] | ED2009-20 CPM2009-10 SDM2009-10 pp.11-15 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 14:45 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 ○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大） ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 pp.17-20 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 15:25 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成と光触媒特性 ○伊藤達也・遠藤立弥・以西雅章（静岡大）・境 哲也・星 陽一（東京工芸大） ED2009-22 CPM2009-12 SDM2009-12 |
本研究では,RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の低温生成について検討した.RFマグネトロンスパッタリング... [more] | ED2009-22 CPM2009-12 SDM2009-12 pp.21-24 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 15:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 |
Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto ... [more] | ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 pp.25-30 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 16:15 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 ○中島佑基・市村正也（名工大） ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14 |
Cu2ZnSnS4(CZTS)はヘテロ接合型太陽電池の光吸収層材料の新材料として期待されている物質である。本研究では、第... [more] | ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14 pp.31-35 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 16:40 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | マグネトロンスパッタによるSiO2基板上への微結晶SiGeの堆積 ○廣江昭彦・後藤哲也・寺本章伸・大見忠弘（東北大） ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 |
マグネトロンスパッタを用いて、微結晶Si1-xGex (x~0.8)をSiO2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を... [more] | ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 pp.37-42 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 09:00 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method ○Govindasamy Rajesh・Hisashi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Akira Tanaka（Shizuoka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） ED2009-26 CPM2009-16 SDM2009-16 |
[more] | ED2009-26 CPM2009-16 SDM2009-16 pp.43-47 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 09:25 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 ○山口雅史・白 知鉉・市橋弘英・堀内 功（名大）・澤木宣彦（愛知工大） ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 |
我々は，光-電子集積回路（OEIC）やMEMSへの応用を考えて分子線エピタキシー（MBE）法とVapor-Liquid-... [more] | ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 pp.49-52 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 09:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLP ○Mouleeswaran Deivasigamani.・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） ED2009-28 CPM2009-18 SDM2009-18 |
[more] | ED2009-28 CPM2009-18 SDM2009-18 pp.53-58 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:30 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 ○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野 泰（静岡大） ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19 |
有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなか... [more] | ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19 pp.59-64 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上... [more] | ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 pp.65-70 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 pp.71-76 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 13:00 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 ○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22 |
発光素子，受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化，発光効率の向上が求められている．本研究では... [more] | ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22 pp.77-81 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 13:25 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 ○馬 ベイ・宮川鈴衣奈・胡 衛国・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23 |
[more] | ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23 pp.83-86 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 13:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24 |
[more] | ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24 pp.87-90 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 14:15 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | GaNの電気化学酸化による表面制御 ○原田脩央・塩崎奈々子・橋詰 保（北大） ED2009-35 CPM2009-25 SDM2009-25 |
[more] | ED2009-35 CPM2009-25 SDM2009-25 pp.91-94 |
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