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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-04-11 to:2008-04-11」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 09:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］マイクロレンズを利用したSi膜エキシマレーザ誘起結晶粒の位置制御 ○葉 文昌・戴 漢昇（台湾科技大）・陳 信吉（台湾科技大/蘭陽技術学院）・陳 秉群（台湾科技大）  SDM2008-1 OME2008-1 |
[more] | SDM2008-1 OME2008-1 pp.1-6 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］圧縮性流体及び衝撃波のPLAへの応用に関する研究 ○屋我 実・福岡 寛・峰 秀樹（琉球大）・滝谷俊夫（日立造船） SDM2008-2 OME2008-2 |
パルスレーザアブレーションによる薄膜生成の過程において，アブレーションが発生する際に生じる高速流れとその前方で伝播する衝... [more] | SDM2008-2 OME2008-2 pp.7-12 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Poly-Si TFT特性から観たSi薄膜 ○芹川 正（阪大） SDM2008-3 OME2008-3 |
移動度が400 cm2/V.sと非常に高いpoly-SiTFTから10 cm2/V.s までのpoly-Si TFTを、... [more] | SDM2008-3 OME2008-3 pp.13-16 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 10:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ガラス基板上の不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化 ○野口 隆・宮平知幸・川井健司（琉球大）・鈴木俊治・佐藤正輝（SEN） SDM2008-4 OME2008-4 |
高濃度にホウ素やリンをドープしたSi薄膜に対して、紫外光でパルスであるエキシマレーザアニール(ELA)が施され、その導電... [more] | SDM2008-4 OME2008-4 pp.17-22 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価 ○秋山浩司・渡邉一徳・浅野種正（九大） SDM2008-5 OME2008-5 |
レーザスキャン法により横方向に結晶粒を成長させた多結晶Si (poly-Si)膜上にストライプ型のチャネル形状をもつ多結... [more] | SDM2008-5 OME2008-5 pp.23-26 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 11:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価 ○掛村康人・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・野口 隆（琉球大） SDM2008-6 OME2008-6 |
低温ポリシリコン（LTPS）薄膜はシステムオングラス実現のためのキーマテリアルである。我々は、高精度・高空間分解能をもつ... [more] | SDM2008-6 OME2008-6 pp.27-32 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 11:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Si系薄膜光センサデバイス ○田井光春・昆野康隆・波多野睦子（日立）・宮沢敏夫（日立ディスプレイズ） SDM2008-7 OME2008-7 |
ディスプレイへの機能付加を目的として，薄膜トランジスタの光誘起電流特性を調べ，光センサ素子としての適用可能性を検討した．... [more] | SDM2008-7 OME2008-7 pp.33-36 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 13:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明 ○河瀬和雅・本谷 宗・谷村純二（三菱電機）・津村直樹・長山顕祐・石賀展昭（メルコ・ディスプレイ・テクノロジー）・井上和式（三菱電機） SDM2008-8 OME2008-8 |
AlNiNd 上にITO をスパッタ成膜した際の，ITO/AlNiNd 界面の化学結合状態，結晶状態，元素分布を詳細に調... [more] | SDM2008-8 OME2008-8 pp.37-40 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 13:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価 ○曽根川富博・上原和浩・前濱剛廣（琉球大） SDM2008-9 OME2008-9 |
次世代LSI層間絶縁膜として期待されているLow-ｋ薄膜材料を，陽極化成により多孔質化した陽極化成Si を熱酸化すること... [more] | SDM2008-9 OME2008-9 pp.41-46 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化 ○藤井茉美・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・Ji Sim Jung・Jang Yeon Kwon（サムスン総合技術院） SDM2008-10 OME2008-10 |
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO（GIZO）薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] | SDM2008-10 OME2008-10 pp.47-50 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ ○徳光永輔・柴田 宏・大岩朝洋・近藤洋平（東工大） SDM2008-11 OME2008-11 |
強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料... [more] | SDM2008-11 OME2008-11 pp.51-56 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 15:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］有機半導体材料の構造とFET特性 ○阿澄玲子・近松真之・吉田郵司・八瀬清志（産総研） SDM2008-12 OME2008-12 |
有機薄膜デバイスの性能は、材料の分子構造のみならず、薄膜中での分子のパッキングや、基板や電極に対する分子の配向などに大き... [more] | SDM2008-12 OME2008-12 pp.57-60 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 15:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］スラブ光導波路分光法を用いた固液界面におけるタンパク質の吸収スペクトルのその場観察 ○松田直樹・綾戸勇輔・松井雅義（産総研） |
[more] | |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 16:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上 ○部家 彰・佐藤真彦・長谷川裕師・松尾直人（兵庫県立大） SDM2008-13 OME2008-13 |
加熱触媒体線で分解・生成した原子状水素をゲート絶縁膜に吹き付ける「原子状水素アニール（AHA）処理」を行うことで，絶縁膜... [more] | SDM2008-13 OME2008-13 pp.61-66 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 16:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 有機TFTにおけるデバイスシミュレーション ～ 構造依存性 ～ ○沈 昌勲・服部励治・丸岡史人（九大） SDM2008-14 OME2008-14 |
有機TFTにおいてソース／ドレインコンタクトをショットキー障壁接合とし，プラナ型とスタガ型構造において2次元デバイスシミ... [more] | SDM2008-14 OME2008-14 pp.67-72 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 09:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化 ○宇佐美徳隆・藤原航三・沓掛健太朗・中嶋一雄（東北大） SDM2008-15 OME2008-15 |
[more] | SDM2008-15 OME2008-15 pp.73-76 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究 ○板倉 賢・宮尾正信（九大） SDM2008-16 OME2008-16 |
a-SiGe薄膜のNi金属誘起横方向結晶化（Ni-MILC）法による低温結晶化機構を解明するために，Si_{0.6}Ge... [more] | SDM2008-16 OME2008-16 pp.77-82 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長 ○中尾勇兼・都甲 薫（九大）・野口 隆（琉球大）・佐道泰造（九大） SDM2008-17 OME2008-17 |
石英上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長(≦500℃)を検討した。ラマン散乱分光測定より、多結晶Ge薄膜には伸張歪み(... [more] | SDM2008-17 OME2008-17 pp.83-88 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 10:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成 ○吉本千秋・大参宏昌・志村考功・垣内弘章・渡部平司・安武 潔（阪大） SDM2008-18 OME2008-18 |
現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は... [more] | SDM2008-18 OME2008-18 pp.89-94 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析 ○池田賢一（九大）・廣田 健（三菱重工）・藤本健資（九大）・杉本陽平（セイコーエプソン）・高田尚記（東工大）・井 誠一郎（崇城大）・中島英治・中島 寛（九大） SDM2008-19 OME2008-19 |
アルミニウム誘起結晶化法（AIC法）により形成された多結晶シリコン（Si）薄膜の形成挙動を透過電子顕微鏡（TEM）内その... [more] | SDM2008-19 OME2008-19 pp.95-100 |
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