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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, CAS, MSS, SIP (共催) |
2016-06-17 09:50 |
青森 | 弘前市立観光館 | 不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価 ○赤池純也・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大）  CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19 |
近年、携帯情報端末の普及により、高性能化かつバッテリーの長持ちする製品が求められるようになってきた。そこで本研究では、不... [more] | CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19 pp.103-108 |
| SDM | 2016-01-28 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ ○池上一隆・野口紘希・高谷 聡・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・北川英二・落合隆夫・下村尚治・才田大輔・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） SDM2015-126 |
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] | SDM2015-126 pp.27-30 |
| SDM | 2015-03-02 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-166 |
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて，メモリアレイのデータ保持特性... [more] | SDM2014-166 pp.23-28 |
| SDM | 2015-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM ○池上一隆・野口紘希・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・落合隆夫・下村尚治・板井翔吾・才田大輔・田中千加・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） SDM2014-142 |
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] | SDM2014-142 pp.29-32 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2014-10-03 09:30 |
新潟 | 柏崎エネルギーホール、新潟 | 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発 ○才田大輔・下村尚治・北川英二・鎌田親義・矢ヶ部 恵・大沢裕一・藤田 忍・伊藤順一（東芝） MR2014-18 |
東芝では，スマートフォン等の携帯機器に搭載されているL2, L3キャッシュメモリにSTT-MRAMを用いることで，SRA... [more] | MR2014-18 pp.27-31 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-68 ICD2014-37 |
本論文では，エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ，不揮発，無限回書き換え，高... [more] | SDM2014-68 ICD2014-37 pp.35-38 |
| ICD | 2014-04-17 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ 松永翔雲（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・杉林直彦（NEC）・夏井雅典・○望月 明・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2014-8 |
全文検索システムにおけるエネルギー消費を極限にまで低減させるため，90nm CMOS技術と垂直MTJ技術による1Mb不揮... [more] | ICD2014-8 pp.39-44 |
| ICD | 2014-04-18 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦（NEC）・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-17 |
磁気トンネル接合素子（MTJ）による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路（NV-F/F）を用いた，パワーゲーティング... [more] | ICD2014-17 pp.85-90 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2014-01-29 15:15 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計 ○篠原寛行・柳澤政生・木村晋二（早大） VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 |
LSI の低消費電力化のために，モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない． それと同時に，電源復帰後も動作の継続性を... [more] |
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84 pp.167-172 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2013-11-27 13:25 |
鹿児島 | 鹿児島県文化センター | MTJ素子を用いた不揮発FPGAの電力効最適化手法 ○鈴木大輔・夏井雅典・望月 明・羽生貴弘（東北大） CPM2013-116 ICD2013-93 |
本稿では，MTJ (Magnetic Tunnel Junction)素子を用いた不揮発FPGAの電力効率を最適化する手... [more] | CPM2013-116 ICD2013-93 pp.49-53 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 16:35 |
東京 | 中央大学 | スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討 ○伊藤順一・與田博明・藤田 忍・下村尚治・北川英二・安部恵子・野村久美子・野口紘希（東芝） MR2013-13 |
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] | MR2013-13 pp.37-41 |
| ICD | 2013-04-11 09:50 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ ○角田浩司・能代英之・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・射場義久・畑田明良・中林正明・長永隆志・青木正樹・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-2 |
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した．このMTJはCoFeB/MgO界... [more] | ICD2013-2 pp.5-10 |
| ICD | 2013-04-11 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～ ○遠藤哲郎・大澤 隆・小池洋紀（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明・徳留圭一（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男（東北大） ICD2013-6 |
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] | ICD2013-6 pp.27-32 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-03-08 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 | TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転 ○藤澤佑樹・吉川大貴・加藤剛志・岩田 聡（名大）・綱島 滋（名古屋産業科学研） MR2012-50 |
大きな垂直磁気異方性を有し, 低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした[Co/Pd] / MgO / TbFe垂直磁気... [more] | MR2012-50 pp.33-37 |
| ICD | 2012-12-17 13:30 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） ICD2012-90 |
本論文では，超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して，開発の背景... [more] | ICD2012-90 pp.17-20 |
| SDM | 2011-11-11 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成 ○勝俣 翠・松永翔雲・羽生貴弘（東北大） SDM2011-126 |
高速な並列パターンマッチング処理を実現する専用ハードウェアである Ternary Content-Addressable... [more] | SDM2011-126 pp.63-68 |
| ICD | 2011-04-18 10:00 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ［招待講演］スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） ICD2011-1 |
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続し... [more] | ICD2011-1 pp.1-5 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-03-11 16:45 |
愛知 | 名古屋大学 | TbFe層を用いた垂直磁化MTJの熱アシスト磁化反転 ○野田晃司・藤澤佑樹・加藤剛志・岩田 聡（名大）・綱島 滋（名古屋産業科学研） MR2010-63 |
希土類-遷移金属(RE-TM)膜をメモリー層とした垂直磁化型のTbFe / CoFeB / Al-O / [Co/Pd]... [more] | MR2010-63 pp.47-51 |
| SDM | 2010-11-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） SDM2010-173 |
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続... [more] | SDM2010-173 pp.11-15 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 11:35 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of Current Controlled-MOS Current Mode Logic /Magnetic Tunnel Junction Hybrid Circuit for Stable and High-speed Operation ○Tetsuo Endoh・Masashi Kamiyanagi・Masakazu Muraguchi・Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki（Tohoku Univ.） ED2010-109 SDM2010-110 |
In order to realize Integrated Circuits (IC) with operation ... [more] | ED2010-109 SDM2010-110 pp.257-262 |
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