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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-11-11 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究 ○望月和浩（産総研）  SDM2016-85 |
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する，市販プロセス・デバイ... [more] | SDM2016-85 pp.37-42 |
| EE, WPT (併催) |
2016-10-06 16:25 |
京都 | 龍谷大学 セミナーハウス ともいき荘 (京都市) | マイクロ波絶縁ゲートドライバーを用いたパワーデバイス駆動技術 ○崔 成伯・永井秀一・根来 昇・河井康史・田畑 修・山田康博・上野弘明・上田哲三（パナソニックAIS） EE2016-23 WPT2016-29 |
新しい電力形態である双方向に電力を送電する分散型電源システムは、小型化や低損失化が今後の設備普及において課題となっている... [more] | EE2016-23 WPT2016-29 pp.25-30(EE), pp.55-60(WPT) |
| EMCJ | 2016-05-13 16:20 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | ［特別講演］パワーエレクトロニクス分野におけるEMCの研究開発動向 ○和田圭二（首都大東京）・綾野秀樹（東京高専）・小笠原悟司（北大）・清水敏久（首都大東京） EMCJ2016-18 |
パワーエレクトロニクス回路は，家電・産業機器への導入により省エネルギーに大きく貢献してきた．近年では，太陽光・風力発電装... [more] | EMCJ2016-18 pp.53-58 |
| ICD, CPSY (共催) |
2015-12-18 10:50 |
京都 | 京都工芸繊維大学 | ［招待講演］GaNパワーデバイスとGaN集積回路の展開 ○永井秀一（パナソニック） ICD2015-86 CPSY2015-99 |
近年、高速・高温で動作し、低損失特性に優れたGaNパワー半導体デバイスが注目されている。本論分では、GaNパワーデバイス... [more] | ICD2015-86 CPSY2015-99 pp.83-85 |
| R | 2015-11-19 14:50 |
大阪 | 大阪中央電気倶楽部 | 反射率変化観測と変化率イメージングによるパワーMOSFETの動作解析 ○遠藤幸一（東芝）・中村共則（浜松ホトニクス）・中前幸治（阪大） R2015-58 |
誘導負荷スイッチング(UIS)条件にあるパワー用MOSFETの表面の温度変化の観測を行った．測定装置としては光学プローブ... [more] | R2015-58 pp.11-16 |
| EE | 2015-01-30 10:00 |
熊本 | 桜の馬場 城彩苑（熊本県） | SiCパワーデバイスを使った変換器の高周波スイッチング動作に関する検討 ○佐藤伸二・谷澤秀和・高橋弘樹・安在岳士・樋山浩平・村上善則・佐藤 弘（FUPET） EE2014-34 |
SiCパワーデバイスは従来から用いられているSiと比較して高温で動作させることができる。また高速スイッチングを利用して高... [more] | EE2014-34 pp.31-35 |
| SDM | 2014-11-06 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 ○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト） SDM2014-98 |
[more] | SDM2014-98 pp.13-18 |
| EE | 2014-01-23 16:35 |
宮崎 | 宮崎観光ホテル | 経路選択が可能な電力パケット伝送ネットワークの実験的一検討 ○藤居直章・高橋 亮・梶山拓也・引原隆士（京大） EE2013-38 |
近年, 多様な電源の使い分けを可能とする新たな配電システムの一つとして電力パケット伝送システムが提案されている. 電... [more] |
EE2013-38 pp.43-48 |
| SDM | 2013-11-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］計算科学に基づく電子デバイス設計の現状 ○白石賢二（名大） SDM2013-101 |
最近の計算科学は材料・デバイス開発においても大きな役割を占めるようになってきている。中でも第一原理計算に代表される物質設... [more] | SDM2013-101 pp.9-14 |
| EE, CPM (共催) |
2013-01-25 10:15 |
熊本 | 阿蘇ファームランド | 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発 ○松吉 峻（九工大）・附田正則（国際東アジア研究センター）・平井秀敏・大村一郎（九工大） EE2012-46 CPM2012-168 |
高耐圧パワーデバイス評価用テストベッドを開発した。本テストベッドは超低寄生インダクタンスを実現する専用デバイスパッケージ... [more] | EE2012-46 CPM2012-168 pp.105-109 |
| SDM | 2012-11-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ～ 低抵抗，高耐熱によるシステムの小型化 ～ ○中村 孝・明田正俊・中野佑紀・大塚拓一・花田俊雄（ローム） SDM2012-100 |
超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し，超小型・高効率モジュールを実現． [more] | SDM2012-100 pp.9-10 |
| SDM | 2012-11-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法 ○野村勝也・近藤継男・石川 剛・川本敦史・松森唯益・杉山隆英（豊田中研） SDM2012-101 |
トポロジー最適化の考え方を適用したパワーデバイスの構造設計手法の初期検討を行った。オン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を目... [more] | SDM2012-101 pp.11-14 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 10:05 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［招待講演］マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路 ○永井秀一・根来 昇・福田健志・河井康史・上田哲三・田中 毅・大塚信之・上田大助（パナソニック） SDM2012-79 ICD2012-47 |
ゲート制御信号を5.8ＧＨｚの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] | SDM2012-79 ICD2012-47 pp.89-92 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2012-07-26 14:20 |
山形 | 山形大学米沢キャンパス | ［招待講演］パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ ～ 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発 ～ ○畑迫健一・新田哲也・羽根正巳・前川繁登（ルネサス エレクトロニクス） ICD2012-23 |
電気機器や電装品は“高効率かつ省エネルギー”が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位... [more] | ICD2012-23 pp.25-29 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 大電流動作GaN MOSFET ○野村剛彦・神林 宏・佐藤義浩・新山勇樹・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合） ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 |
Si基板上に形成した、AlGaN/GaNヘテロ接合をゲート・ドレイン間に用いたGaN系MOSFETの大電流動作について報... [more] | ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 pp.133-137 |
| ED | 2008-06-13 14:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春（阪大）・奥村幸彦（舞鶴高専）・杉野 隆（阪大） ED2008-25 |
現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界... [more] | ED2008-25 pp.17-22 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［基調講演］Aspect of SiC R&D in Japan ○Kazuo Arai（AIST） |
SiC半導体によるパワーデバイスの研究開発において、省エネルギー化への期待から実用化への動きが活発になってきている。技術... [more] | |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications ○Yasuhiro Uemoto・Masahiro Hikita・Hiroaki Ueno・Tomohiro Murata・Hisayoshi Matsuo・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Matsushita） |
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more] | |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
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