| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | マイクロ熱プラズマジェット結晶化におけるアモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いた結晶成長制御 ○藤田悠二・林 将平・東 清一郎（広島大）  SDM2012-15 OME2012-15 |
アモルファスシリコン(a-Si)膜上にシリコンウェハにより作製したスリットマスクを配置し、マイクロ熱プラズマジェット(μ... [more] | SDM2012-15 OME2012-15 pp.67-70 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-12-15 16:30 |
愛媛 | 愛媛大学 | MgO単結晶基板上におけるFePt，FePd，CoPt，およびCoPd合金薄膜のエピタキシャル成長 ○大竹 充・大内翔平（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2011-31 |
超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によりMgO単結晶基板上にエピタキシャルFePt，FePd，CoPt，およびCo... [more] | MR2011-31 pp.41-48 |
| ED | 2011-12-15 13:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | ［招待講演］テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望 ○平山秀樹・寺嶋 亘・林 宗澤（理研） ED2011-113 |
テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）は、小型・高効率、長寿命、狭線幅、連続出力、安価なテラヘルツレーザ光源と... [more] | ED2011-113 pp.75-78 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 15:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大） ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] | ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 pp.127-130 |
| CPM | 2011-10-27 09:30 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製 ○坂口優也・牛草遼平・周 澤宇・山上朋彦・阿部克也（信州大） CPM2011-118 |
SiCコーティンググラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形... [more] | CPM2011-118 pp.47-50 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-07-15 14:50 |
東京 | 中央大学 後楽園キャンパス | GaAs単結晶基板上に形成した準安定bcc構造をもつエピタキシャルCo，Ni，NiFe薄膜の構造解析 ○野中雄介・大竹 充・二本正昭（中大） MR2011-4 |
超高真空RFマグネトロンスパッタ法によりGaAs(100)，(111)，(110)単結晶基板上に40 nm厚のCo，Ni... [more] | MR2011-4 pp.19-26 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | CVD法及び溶液成長法による酸化物ナノ構造の形成と形状制御 ○寺迫智昭・藤原哲郎・竹川晃平・白方 祥（愛媛大） EMD2011-9 CPM2011-45 OME2011-23 |
様々な形状を有するZnO，CdO及びMgOナノ構造が，Auナノコロイドを触媒に用いた大気圧CVD法によって得られた．Zn... [more] | EMD2011-9 CPM2011-45 OME2011-23 pp.5-10 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 ○内山翔太・林 家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥（名城大） ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 |
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保... [more] | ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 pp.39-43 |
| OME, SDM (共催) |
2011-04-15 11:05 |
佐賀 | 産総研九州センター | Role of vacancy annihilation in electrical activation of P implanted in Ge ○Mohammad Anisuzzaman・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.） SDM2011-4 OME2011-4 |
Due to the scaling limit faced by Si CMOS technology, much i... [more] | SDM2011-4 OME2011-4 pp.13-16 |
| SDM | 2010-06-22 09:55 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 ○右田真司・森田行則・太田裕之（産総研） SDM2010-34 |
平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として，シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている．このトラ... [more] | SDM2010-34 pp.5-10 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-28 17:40 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 波長1μm帯高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化 ○中村拓也（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT）・菅原宏治（首都大東京） PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168 |
波長1um帯量子ドットレーザを試作・評価したので報告する。 高速MBE成長を用いて、高密度InGaAs量子ドットを形成し... [more] | PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168 pp.71-74 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-12-11 09:00 |
愛媛 | 愛媛大学 工学部 | MgO単結晶基板上に形成したエピタキシャルCo薄膜の構造解析 ○額賀友理・大竹 充・藪原 穣（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2009-44 |
超高真空分子線エピタキシー法を用いてMgO単結晶基板上にCo薄膜を形成し，基板結晶方位や基板温度がエピタキシャルCo薄膜... [more] | MR2009-44 pp.51-58 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-12-11 09:30 |
愛媛 | 愛媛大学 工学部 | hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜のエピタキシャル成長 ○大竹 充・田中孝浩（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2009-45 |
分子線エピタキシー法によりAu(100)単結晶下地層上にエピタキシャルNiおよびNiFe薄膜を形成し，構造と磁気特性を調... [more] | MR2009-45 pp.59-66 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ ○荒木 努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 |
InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビ... [more] | ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 pp.19-24 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 ○小林 篤・下元一馬・上野耕平・梶間智文・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST） ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 |
ZnO結晶は?族窒化物結晶と構造的に類似性が高く，また，大面積バルク結晶も容易に入手できることから，無極性面窒化物薄膜の... [more] | ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 pp.43-46 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］グラフェンデバイスの開発と今後の展望 ○尾辻泰一（東北大） SDM2009-116 ICD2009-32 |
本稿では、ポストシリコンCMOS技術として我々が開発を進めているSi基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその光・電... [more] | SDM2009-116 ICD2009-32 pp.101-106 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 ○尾辻泰一・末光哲也・姜 顯澈・唐澤宏美・宮本 優・半田浩之・末光眞希（東北大）・佐野栄一（北大）・リズィー マキシム・リズィー ヴィクトール（会津大） ED2008-224 SDM2008-216 |
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する．グラフェンの形成技術として... [more] | ED2008-224 SDM2008-216 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 10:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価 ○小林 篤・上野耕平・下元一馬・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST）・天内英貴・長尾 哲・堀江秀善（三菱化学） ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 |
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ，十分な結晶品質が得られなかった非極性面?族... [more] | ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 pp.17-20 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-10-09 15:30 |
秋田 | 秋田県産業技術総合センター 秋田県高度技術研究所 | SrTiO3単結晶基板上にエピタキシャルしたFe薄膜の構造と磁気特性 ○田渕健司・田中孝浩・鹿田昂平・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2008-22 |
3種類の異なる結晶方位を持つSrTiO3単結晶基板上でFe薄膜を形成し，Fe薄膜の構造と磁気特性を調べた．SrTiO3(... [more] | MR2008-22 pp.19-24 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]