研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
ICD |
2024-04-12 10:45 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館 9階第2研修室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]NANDフラッシュメモリーインターフェースの概要と最新の研究開発動向 ○都井 敬(キオクシア) ICD2024-11 |
多様な機械学習アプリケーションやビッグデータ解析などに使用されるデータ量の爆発的な増加により、ストレージシステムの広帯域... [more] |
ICD2024-11 p.36 |
ICD |
2024-04-12 13:50 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館 9階第2研修室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[依頼講演]高速・大容量ストレージシステムをスケーラブルに実現するブリッジチップの開発 ○池田真一・岩田 彰・大友吾一・鈴木智明・飯島浩晃・白石幹雄・川上愼也・永光正知・松岡良樹・佐藤聖人・土屋滋洋・繁田良則・青山琢磨(キオクシア) ICD2024-14 |
高速・大容量ストレージシステムを実現するブリッジチップについて述べる.提案するブリッジチップは,既存NANDインターフェ... [more] |
ICD2024-14 p.43 |
ICD |
2023-04-10 10:20 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館10階第4会議室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[依頼講演]単結晶チャネルと極低温動作による3次元フラッシュメモリの特性向上 ○田中 瞳・饗場悠太・前田高志・澤 敬一・菊島史恵・佐貫朋也(キオクシア) |
本報告では,単結晶チャネルと液体窒素を用いた77 Kでの極低温動作の組み合わせにより,3次元フラッシュメモリのセルトラン... [more] |
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ICD |
2023-04-11 11:00 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館10階第4会議室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read ○田中智晴(MMJ) ICD2023-9 |
メモリセル当たり4ビット(QLC)の記憶方式を用いた、1Tビットの記憶容量の3D-NANDフラッシュメモリを示す。本メモ... [more] |
ICD2023-9 p.17 |
EE |
2023-01-20 10:25 |
福岡 |
九州工業大学(戸畑キャンパス 附属図書館AVホール) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
NANDフラッシュ用ブースト・コンバータの高速昇圧動作設計 ○金山湧司・丹沢 徹(静岡大) EE2022-44 |
SSD(Solid-state drive)の書込みや消去にはワード線容量負荷を高電圧まで充電するための昇圧回路が用いら... [more] |
EE2022-44 pp.101-106 |
SDM |
2020-01-28 15:45 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing ○石丸一成(キオクシア) SDM2019-87 |
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] |
SDM2019-87 p.19 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 14:15 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法 ○阿部真輝・竹内 健(中大) ICD2019-30 IE2019-36 |
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネ... [more] |
ICD2019-30 IE2019-36 pp.7-12 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 15:45 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 ○高井良貴・福地 守・松井千尋・木下怜佳・竹内 健(中大) ICD2019-41 IE2019-47 |
NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより,容量密度を大きくし,ビットコストを低減させてきた... [more] |
ICD2019-41 IE2019-47 pp.59-63 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 09:15 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
[招待講演]汎用メモリを利用した量子アニーリング機械の提案 ○棚本哲史(帝京大) SDM2019-40 ICD2019-5 |
量子アニーリング装置は、デジタルコンピュータより効率的に組み合わせ最適化問題を解く可能性があり、研究者を含めた多くの人々... [more] |
SDM2019-40 ICD2019-5 pp.21-26 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 13:45 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法 ○松井千尋・竹内 健(中大) CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 |
ストレージクラスメモリ(SCM)をNAND型フラッシュメモリの不揮発性キャッシュとして用いることで,ハイブリッドストレー... [more] |
CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 pp.29-30 |
DC, SS (共催) |
2018-10-04 14:25 |
愛知 |
犬山国際観光センター「フロイデ」 |
NANDフラッシュメモリにおける信頼性に合わせた多段階誤り訂正 ○小倉 涼・北神正人(千葉大) SS2018-19 DC2018-20 |
[more] |
SS2018-19 DC2018-20 pp.7-12 |
ICD |
2018-04-19 10:10 |
東京 |
機械振興会館 |
3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法 ○鈴木 峻・出口慶明・中村俊貴・溝口恭史・竹内 健(中大) ICD2018-1 |
NAND型フラッシュメモリ向けの高信頼化手法として Asymmetric Coding(AC)が提案されている.本研究で... [more] |
ICD2018-1 pp.1-6 |
ICD |
2018-04-19 10:35 |
東京 |
機械振興会館 |
ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化 ○松井千尋・竹内 健(中大) ICD2018-2 |
データセンターストレージでは特性の異なるストレージアプリケーションに適切な半導体不揮発性メモリを組み合わせることが必要で... [more] |
ICD2018-2 pp.7-10 |
ICD |
2018-04-20 11:10 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto(TMC)・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee(WDC)・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura(TMC) ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] |
ICD2018-10 pp.39-44 |
SDM |
2018-01-30 13:30 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 ○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健(中大) SDM2017-93 |
Near Data Computingでは, アプリケーションの一部を高速に処理するためにSSDコントローラー内に多くの... [more] |
SDM2017-93 pp.9-12 |
ICD |
2017-04-20 13:50 |
東京 |
機械振興会館 |
[依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 ○鶴見洸太・田中誠大・竹内 健(中大) ICD2017-5 |
IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバ... [more] |
ICD2017-5 pp.23-28 |
ICD |
2017-04-20 14:15 |
東京 |
機械振興会館 |
[依頼講演]リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 ○中村俊貴・小林惇朗・竹内 健(中大) ICD2017-6 |
クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々な... [more] |
ICD2017-6 pp.29-34 |
ICD |
2017-04-20 16:10 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology ○Ryuji Yamashita・Sagar Magia(WDC)・Tsutomu Higuchi・Kazuhide Yoneya・Toshio Yamamura(Toshiba)・Hiroyuki Mizukoshi・Shingo Zaitsu・Minoru Yamashita・Shunichi Toyama・Norihiro Kamae・Juan Lee・Shuo Chen・Jiawei Tao・William Mak・Xiaohua Zhang(WDC) ICD2017-9 |
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] |
ICD2017-9 pp.45-50 |
CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-03-10 17:00 |
沖縄 |
具志川農村環境改善センター |
ビッグデータ解析に向けたスケーラブルなデータセントリックコンバージドシステム ○佐々木勇輝・高橋健治・坂主圭史・木下敦寛(東芝) CPSY2016-162 DC2016-108 |
成長を続けるIoT市場におけるデータ解析の要求に対応する為に、スケールアウト可能な分散アーキテクチャが求められている。し... [more] |
CPSY2016-162 DC2016-108 pp.399-404 |
ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 |
東京工業大学 |
[ポスター講演]NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析 ○渡邉 光・小林惇朗・竹内 健(中大) ICD2016-66 CPSY2016-72 |
近年、クラウド技術やSNSの普及により、データが局所的に読み出されるアプリケーションが増加している。ソリッド・ステート・... [more] |
ICD2016-66 CPSY2016-72 p.51 |