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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-06-21 14:00 |
大阪 | 関西学院大学・梅田キャンパス | ［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 ○隈部岳瑠（名大）・吉川 陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・須田 淳・天野 浩（名大） |
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| SDM | 2024-01-31 13:05 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 ○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大）  SDM2023-75 |
AlSiO/p型GaN MOSFETにプラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を導入することで, 分極電荷を用いた... [more] | SDM2023-75 pp.5-8 |
| SDM | 2023-11-09 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 ○須田 淳（名大） SDM2023-63 |
GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる．GaN縦型パワーデバイスの設計... [more] | SDM2023-63 p.7 |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 ○高橋英匡・安藤裕二（名大）・土屋洋一・分島彰男（名工大）・林 宏暁・柳生栄治（三菱電機）・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）・須田 淳（名大） WPT2020-19 |
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] | WPT2020-19 pp.1-5 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 ○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田 淳・加地 徹（名大） ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 |
GaN系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現するための要素プロセス技術の一つである誘導結合型プラズマ反応性イオン... [more] | ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 pp.33-35 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 15:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題 ○須田 淳（京大） ED2016-99 MW2016-175 |
高耐圧，低オン抵抗の次世代パワーデバイスとしてGaN縦型パワーデバイスに期待が寄せられている．高性能デバイスの試作報告も... [more] | ED2016-99 MW2016-175 pp.17-18 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:50 |
京都 | 京大桂キャンパス | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・上野昌紀・山本喜之（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 |
[more] | ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 pp.9-14 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:40 |
京都 | 京大桂キャンパス | ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 ○鐘ヶ江一孝・金子光顕・木本恒暢・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 |
1016～1020 cm-3の範囲でドーピングされたn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。... [more] | ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 pp.21-26 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 14:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 ○榎薗太郎・木本恒暢・須田 淳（京大） EID2016-22 SDM2016-103 |
電気化学エッチングは、p型SiCのみをエッチングする手法である。電解液/SiC界面においてSiCが正孔により酸化され、生... [more] | EID2016-22 SDM2016-103 pp.59-62 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:10 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 |
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] | ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 pp.21-25 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:35 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価 ○澤田直暉（京大）・成田哲生・加地 徹・上杉 勉（豊田中研）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105 |
[more] | ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105 pp.27-32 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 |
[more] | ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 pp.33-37 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:00 |
京都 | 京都大学 | 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） EID2014-13 SDM2014-108 |
原子論的な手法である強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデ... [more] | EID2014-13 SDM2014-108 pp.1-6 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:15 |
京都 | 京都大学 | pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 ○藤原寛朗・森岡直也・田中 一・須田 淳・木本恒暢（京大） EID2014-14 SDM2014-109 |
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$，$langle$110$rangle$，$langl... [more] | EID2014-14 SDM2014-109 pp.7-11 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:45 |
京都 | 京都大学 | 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 ○浅田聡志・奥田貴史・木本恒暢・須田 淳（京大） EID2014-35 SDM2014-130 |
本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅... [more] | EID2014-35 SDM2014-130 pp.115-118 |
| SDM | 2013-12-13 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2013-131 |
強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデルを用いて，長方形断... [more] | SDM2013-131 pp.91-96 |
| SDM | 2013-12-13 17:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価 ○中澤成哉・南園悠一郎・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2013-133 |
4H-SiC (0001) MOS界面には応答速度の著しく異なる2種類の界面準位が存在することが確認されている. 本研究... [more] | SDM2013-133 pp.101-105 |
| SDM | 2012-12-07 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 ○梶 直樹・丹羽弘樹・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2012-115 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] | SDM2012-115 pp.1-5 |
| SDM | 2011-12-16 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 ○丹羽弘樹・馮 淦・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2011-135 |
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JT... [more] | SDM2011-135 pp.17-21 |
| SDM | 2011-12-16 16:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性 ○森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2011-146 |
強束縛近似法を用いて，長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し，断面形状の違いによ... [more] | SDM2011-146 pp.77-82 |
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