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すべての研究会開催スケジュール (すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2022-03-01 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価 ○吉田一樹・齋藤健太郎・三浦正範・鹿又健作・廣瀬文彦（山形大）  CPM2021-73 |
室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣... [more] | CPM2021-73 pp.7-10 |
| EMT, IEE-EMT (連催) |
2021-11-04 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | Maxwell方程式に対するisogeometric境界要素法における斜行メッシュ上でのCalderonの前処理について ○竹内祐介・新納和樹（京大） EMT2021-29 |
本研究では，Maxwell 方程式に対する選点法を用いた isogeometric 境界要素法における斜交メッシュ上で ... [more] | EMT2021-29 pp.7-9 |
| SDM | 2021-06-22 13:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大） SDM2021-22 |
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて，イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] | SDM2021-22 pp.1-6 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| SDM | 2020-10-22 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大） SDM2020-19 |
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて，イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] | SDM2020-19 pp.25-29 |
| SDM | 2020-01-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成 ○野口将希・磯貝達典・山下博幸・澤 敬一・藤塚良太・山中孝紀・岡田俊祐・青山知憲・相宗史記・阿部淳子・小川義宏・中川聖士・宮島秀史（キオクシア） SDM2019-82 |
信頼性の高い不揮発性メモリを実現するために、メモリセル絶縁膜の電荷保持特性の向上が望まれている。セル絶縁膜の一部であるト... [more] | SDM2019-82 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| IA, SITE (共催) IPSJ-IOT (連催) [詳細] |
2019-03-08 14:25 |
徳島 | グランドエクシブ鳴門 | ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬遅延推定 ○神田伶樹・首藤一幸（東工大） SITE2018-85 IA2018-77 |
ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬に要する時間を推定する．そのためにネットワーク座標系を用いる．ネットワーク座標系... [more] | SITE2018-85 IA2018-77 pp.317-322 |
| IA | 2019-01-25 16:50 |
東京 | 首都大秋葉原サテライトキャンパス | 改良Vivaldiを用いた，ノード追加にロバストな無線アドホックネットワークにおける位置推定手法の提案と評価 ○奥山隆史・林 隆史（新潟大） IA2018-59 |
現在，端末（ノード）の位置情報を利用した様々なサービスが展開されている． 端末の位置を推定する手法として主にGPSが利... [more] |
IA2018-59 pp.31-37 |
| QIT (第二種研究会) |
2018-06-04 13:20 |
広島 | 広島国際会議場 小会議室ラン | ［ポスター講演］伝令信号を用いた光子列の シリアルパラレル変換 ○清原孝行・岡本 亮・竹内繁樹（京大） |
多光子量子干渉を用いた汎用型量子計算機の実現のために、互いに区別できない単一光子を複数個並列に出力するデバイスが重要であ... [more] | |
| OME | 2017-12-01 13:10 |
佐賀 | サンメッセ鳥栖 | 脚光を浴びるダイラタンシー・パッドによるスマート加工 ～ ダイラタンシー・パッド材料とその評価法に基づくパワーデバイス用SiC基板の加工特性 ～ ○瀬下 清・土肥俊郎・大坪正徳・塚本敬一（九大）・高木正孝（フジボウ愛媛）・市川大造（不二越機械工業） OME2017-42 |
サファイヤ，SiC，GaNなどの難加工性材料基板のスマートポリシング加工技術構築の鍵を握るのがダイラタンシー材料である.... [more] | OME2017-42 pp.31-36 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] | ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 pp.73-76 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| IA | 2017-10-13 15:40 |
東京 | 東京大学 福武ホール | ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬時間推定の試み ○神田伶樹・大西真晶・首藤一幸（東工大） IA2017-20 |
ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬に要する時間を推定する．そのためにネットワーク座標系を用いる．ネットワーク座標系... [more] | IA2017-20 pp.7-12 |
| ED | 2017-04-20 13:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | ZrO2界面修飾による色素増感太陽電池の高効率化 ○野口雄祐・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2017-1 |
色素増感太陽電池で高い発電効率を得るには、TiO_2電極表面の色素吸着量の増加、TiO_2電極と電解液間における電子の再... [more] | ED2017-1 pp.1-4 |
| ED | 2017-04-20 15:50 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | フレキシブル無機ELの試作と評価 ○石川 誠・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2017-6 |
分散型無機ELの長寿命化のために、材料である硫化亜鉛蛍光粒子への耐湿コーティングが必要となっている。本研究では室温原子層... [more] | ED2017-6 pp.21-24 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| SDM | 2016-10-27 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響 ○齋藤雅也・諏訪智之・寺本章伸・黒田理人・幸田安真・杉田久哉・石井秀和・志波良信・白井泰雪・須川成利（東北大）・林 真里恵・土本淳一（キヤノンアネルバ） SDM2016-73 |
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM（Metal-Insulator-Metal）キャパシタへの応用が期待され... [more] | SDM2016-73 pp.27-30 |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| QIT (第二種研究会) |
2016-05-30 13:00 |
高知 | 高知工科大学永国寺キャンパス | ［ポスター講演］光子対数識別と多重化を用いた伝令付き単一光子源の出力光子数分布の評価 ○清原孝行・岡本 亮・竹内繁樹（京大） |
光子を 1 つずつ発生させる単一光子源は,光子を情報担体とする量子情報処理通信の分野で不可欠である. これまで広く用いら... [more] | |
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