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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2022-03-01
13:30
ONLINE オンライン開催 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価
吉田一樹齋藤健太郎三浦正範鹿又健作廣瀬文彦山形大CPM2021-73
室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣... [more] CPM2021-73
pp.7-10
EMT, IEE-EMT
(連催)
2021-11-04
13:00
ONLINE オンライン開催 Maxwell方程式に対するisogeometric境界要素法における斜行メッシュ上でのCalderonの前処理について
竹内祐介新納和樹京大EMT2021-29
本研究では,Maxwell 方程式に対する選点法を用いた isogeometric 境界要素法における斜交メッシュ上で ... [more] EMT2021-29
pp.7-9
SDM 2021-06-22
13:10
ONLINE オンライン開催 [記念講演]イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質
間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大SDM2021-22
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて,イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] SDM2021-22
pp.1-6
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:50
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一久保俊晴江川孝志名工大ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
pp.29-32
SDM 2020-10-22
14:50
ONLINE オンライン開催 IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質
間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大SDM2020-19
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて,イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] SDM2020-19
pp.25-29
SDM 2020-01-28
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成
野口将希磯貝達典山下博幸澤 敬一藤塚良太山中孝紀岡田俊祐青山知憲相宗史記阿部淳子小川義宏中川聖士宮島秀史キオクシアSDM2019-82
信頼性の高い不揮発性メモリを実現するために、メモリセル絶縁膜の電荷保持特性の向上が望まれている。セル絶縁膜の一部であるト... [more] SDM2019-82
pp.1-4
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:55
静岡 静岡大学(浜松) ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
pp.37-40
IA, SITE
(共催)
IPSJ-IOT
(連催) [詳細]
2019-03-08
14:25
徳島 グランドエクシブ鳴門 ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬遅延推定
神田伶樹首藤一幸東工大SITE2018-85 IA2018-77
ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬に要する時間を推定する.そのためにネットワーク座標系を用いる.ネットワーク座標系... [more] SITE2018-85 IA2018-77
pp.317-322
IA 2019-01-25
16:50
東京 首都大秋葉原サテライトキャンパス 改良Vivaldiを用いた,ノード追加にロバストな無線アドホックネットワークにおける位置推定手法の提案と評価
奥山隆史林 隆史新潟大IA2018-59
現在,端末(ノード)の位置情報を利用した様々なサービスが展開されている.
端末の位置を推定する手法として主にGPSが利... [more]
IA2018-59
pp.31-37
QIT
(第二種研究会)
2018-06-04
13:20
広島 広島国際会議場 小会議室ラン [ポスター講演]伝令信号を用いた光子列の シリアルパラレル変換
清原孝行岡本 亮竹内繁樹京大
多光子量子干渉を用いた汎用型量子計算機の実現のために、互いに区別できない単一光子を複数個並列に出力するデバイスが重要であ... [more]
OME 2017-12-01
13:10
佐賀 サンメッセ鳥栖 脚光を浴びるダイラタンシー・パッドによるスマート加工 ~ ダイラタンシー・パッド材料とその評価法に基づくパワーデバイス用SiC基板の加工特性 ~
瀬下 清土肥俊郎大坪正徳塚本敬一九大)・高木正孝フジボウ愛媛)・市川大造不二越機械工業OME2017-42
サファイヤ,SiC,GaNなどの難加工性材料基板のスマートポリシング加工技術構築の鍵を握るのがダイラタンシー材料である.... [more] OME2017-42
pp.31-36
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:45
愛知 名古屋工業大学 XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
pp.73-76
SDM 2017-10-26
10:50
宮城 東北大学未来研 ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果
女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構/JST)・澤本直美明大)・大井暁彦池田直樹知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2017-57
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] SDM2017-57
pp.39-44
IA 2017-10-13
15:40
東京 東京大学 福武ホール ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬時間推定の試み
神田伶樹大西真晶首藤一幸東工大IA2017-20
ビットコインネットワーク上でのデータ伝搬に要する時間を推定する.そのためにネットワーク座標系を用いる.ネットワーク座標系... [more] IA2017-20
pp.7-12
ED 2017-04-20
13:30
宮城 東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室 ZrO2界面修飾による色素増感太陽電池の高効率化
野口雄祐鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大ED2017-1
色素増感太陽電池で高い発電効率を得るには、TiO_2電極表面の色素吸着量の増加、TiO_2電極と電解液間における電子の再... [more] ED2017-1
pp.1-4
ED 2017-04-20
15:50
宮城 東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室 フレキシブル無機ELの試作と評価
石川 誠鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大ED2017-6
分散型無機ELの長寿命化のために、材料である硫化亜鉛蛍光粒子への耐湿コーティングが必要となっている。本研究では室温原子層... [more] ED2017-6
pp.21-24
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
SDM 2016-10-27
10:00
宮城 東北大学未来研 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響
齋藤雅也諏訪智之寺本章伸黒田理人幸田安真杉田久哉石井秀和志波良信白井泰雪須川成利東北大)・林 真里恵土本淳一キヤノンアネルバSDM2016-73
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタへの応用が期待され... [more] SDM2016-73
pp.27-30
SDM 2016-06-29
11:55
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果
女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀澤田朋実物質・材料研究機構/JST)・栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・澤本直美明大)・大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2016-37
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] SDM2016-37
pp.27-32
QIT
(第二種研究会)
2016-05-30
13:00
高知 高知工科大学永国寺キャンパス [ポスター講演]光子対数識別と多重化を用いた伝令付き単一光子源の出力光子数分布の評価
清原孝行岡本 亮竹内繁樹京大
光子を 1 つずつ発生させる単一光子源は,光子を情報担体とする量子情報処理通信の分野で不可欠である. これまで広く用いら... [more]
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