| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 15:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 ○間脇武蔵・黒田理人（東北大）  SDM2023-57 |
我々はアレイテスト回路などから構成される測定システム全体を，電気特性計測プラットフォーム技術と呼称し，様々な半導体素子の... [more] | SDM2023-57 pp.21-26 |
| MW | 2023-03-02 13:00 |
鳥取 | 鳥取大学(鳥取) 鳥取キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
70 %超ドレイン効率を有する1.6-2.2 GHz帯GaN HEMT連続B/J級高出力増幅器 ○青沼奏志・田中愼一（芝浦工大） MW2022-162 |
連続B/J級増幅器は，2次高調波までインピーダンスを制御することで理論的にはB級増幅器の電力効率78.5%を広帯域で維持... [more] | MW2022-162 pp.31-36 |
| MW | 2023-03-02 14:55 |
鳥取 | 鳥取大学(鳥取) 鳥取キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
FETを用いた負性抵抗発振器による直流-マイクロ波相互変換 ○前田貫成・木山大暉・佐薙 稔（岡山大） MW2022-166 |
パッケージ化されたFETをドレーン接地で用いると帰還回路がなくてもゲート端子から見て負性抵抗を示すので, ゲート端子に共... [more] | MW2022-166 pp.54-59 |
| SDM | 2020-10-22 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析 ○秋元 瞭・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・間脇武蔵・市野真也・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2020-21 |
本研究では, 長方形と台形のゲートを有する, 各11520個のトランジスタのランダムノイズ特性を測定し, 振幅や時定数と... [more] | SDM2020-21 pp.34-39 |
| EMD, R (共催) |
2019-02-15 14:55 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | ［招待講演］MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション ○田中浩治・雨宮真一郎・岡村 均・嶌末政憲（モーデック） R2018-56 EMD2018-57 |
今日，半導体製品は様々な製品に用いられており，車載部品や医療機器に代表される高信頼性が必須な製品にも数多く使われている．... [more] | R2018-56 EMD2018-57 pp.25-30 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2017-82 |
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] | ED2017-82 pp.37-40 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 12:00 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション ○浅井栄大・森 貴洋・服部淳一・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴（産総研） SDM2017-35 ICD2017-23 |
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] | SDM2017-35 ICD2017-23 pp.21-24 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～ ○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2016-108 MW2016-184 |
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が，GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流，ゲートリーク電流... [more] | ED2016-108 MW2016-184 pp.63-68 |
| ED | 2016-12-19 14:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2016-81 |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] | ED2016-81 pp.7-12 |
| ED | 2016-01-20 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀（富士通研） ED2015-118 |
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] | ED2015-118 pp.37-41 |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| EE, CPM (共催) |
2014-02-27 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について ○井 幸孝・小川晃史・田中哲郎（鹿児島大） EE2013-56 CPM2013-157 |
本稿の目的は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(SiC-BGSIT)のドレイン-ゲート間相互作用による... [more] | EE2013-56 CPM2013-157 pp.43-48 |
| SDM | 2014-01-29 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術 ○水林 亘（産総研）・おの田 博・中島良樹（日新イオン機器）・石川由紀・松川 貴・遠藤和彦・Yongxun Liu・大内真一・塚田順一・山内洋美・右田真司・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2013-138 |
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] | SDM2013-138 pp.13-16 |
| ED | 2013-12-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研 | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2013-92 |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては... [more] | ED2013-92 pp.13-17 |
| ED | 2013-12-16 14:20 |
宮城 | 東北大通研 | 高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発 ○芝 祥一・佐藤 優・松村宏志・高橋 剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原 直紀（富士通） ED2013-93 |
110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として，InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発し... [more] | ED2013-93 pp.19-23 |
| SDM | 2013-11-15 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 ○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2013-111 |
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] | SDM2013-111 pp.65-70 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2013-10-24 13:50 |
宮城 | 東北大 青葉山キャンパス | アウトフェージング増幅器を用いた携帯電話基地局用送信機の効率改善 ○木村重一・玉野井 健・馬庭 透・高野 健（富士通研） EMCJ2013-69 MW2013-109 EST2013-61 |
携帯電話システムでは，近年のトラフィック増加に伴い，基地局の増設が行われている．一方，環境負荷低減の面から低消費電力化が... [more] | EMCJ2013-69 MW2013-109 EST2013-61 pp.53-58 |
| SDM | 2013-06-18 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 ○山本圭介・佐田隆宏・王 冬・中島 寛（九大） SDM2013-49 |
高性能GeチャネルCMOS実現には、寄生抵抗を極限まで低減したメタル・ソース/ドレイン（S/D）の導入が望ましい。我々は... [more] | SDM2013-49 pp.29-32 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| MW | 2012-12-13 14:00 |
山梨 | 山梨大学 | E級電力増幅回路のEPWM送信機への応用に関する一検討 ○大山修毅・太郎丸 真（福岡大） MW2012-128 |
E,F級などのスイッチング増幅器はPAEが優れているが，非線形である．このアンプをOFDMなどの線型変調へ適用することが... [more] | MW2012-128 pp.7-12 |
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