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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| SDM | 2016-06-29 15:05 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果 ○速水脩平・豊田智史・福田勝利（京大）・菅谷英生（パナソニック）・森田将史・中田明良・内本喜晴・松原英一郎（京大） SDM2016-42 |
ReRAMの材料設計を行う際の指針として、絶縁層とSi基板の界面バンドオフセットはリーク電流の抑制を考える上で重要なパラ... [more] | SDM2016-42 pp.53-58 |
| SDM | 2015-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM ○池上一隆・野口紘希・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・落合隆夫・下村尚治・板井翔吾・才田大輔・田中千加・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） SDM2014-142 |
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] | SDM2014-142 pp.29-32 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 pp.55-58 |
| ED | 2009-06-12 11:25 |
東京 | 東京工業大学 | GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 ○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2009-48 |
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である．しかしながら... [more] | ED2009-48 pp.63-67 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2008-221 MW2008-186 |
ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] | ED2008-221 MW2008-186 pp.129-133 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (共催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2008-11-18 13:45 |
福岡 | 北九州学術研究都市 | ［招待講演］スーパーコンピューターSXにおける熱設計およびオンチップ温度観測 ○梶田幹浩・實吉永典・野瀬浩一・水野正之（NEC） CPM2008-91 ICD2008-90 |
NECでは、最先端のプロセステクノロジを用いたスーパーコンピュータの開発を行っている。最新のプロセッサでは、集積密度が著... [more] | CPM2008-91 ICD2008-90 pp.13-18 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:55 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2008-60 SDM2008-79 |
In this paper, the device performances of sub-10nm Vertical ... [more] | ED2008-60 SDM2008-79 pp.107-111 |
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