電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 107, Number 251

電子デバイス

開催日 2007-10-11 - 2007-10-12 / 発行日 2007-10-04

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目次

ED2007-156
窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性
○山口敦史(金沢工大)
pp. 1 - 6

ED2007-157
単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光
○金田昭男(京大/JST)・金井聡庸(京大)・船戸 充・川上養一(京大/JST)・菊池昭彦・岸野克己(上智大/JST)
pp. 7 - 12

ED2007-158
RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価
○関口寛人(上智大/JST)・加藤 圭・田中 譲(上智大)・菊池昭彦・岸野克巳(上智大/JST)
pp. 13 - 17

ED2007-159
高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED
○福島康之・高瀬裕志・薄田 学・折田賢児・上田哲三・田中 毅(松下電器)
pp. 19 - 23

ED2007-160
アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 ~ MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理 ~
万行大貴・小野宏之・○小林芳彦・松本 功・渋谷和信(大陽日酸)
pp. 25 - 28

ED2007-161
p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED
○藤川紗千恵(理研)・高野隆好・近藤行廣(松下電工)・平山秀樹(理研)
pp. 29 - 34

ED2007-162
端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制
○後藤 修(ソニー)・大泉善嗣・庄司美和子・田中隆之・保科幸男・太田 誠(ソニー白石セミコンダクタ)・矢吹義文・冨谷茂隆・池田昌夫(ソニー)
pp. 35 - 37

ED2007-163
AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性
○川西英雄・新倉栄一郎(工学院大)
pp. 39 - 42

ED2007-164
絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用
○水江千帆子・松山哲也・小谷淳二・ミツェーク マルチン・橋詰 保(北大)
pp. 43 - 46

ED2007-165
多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討
○酒井亮輔・西田猛利・塩島謙次・葛原正明(福井大)
pp. 47 - 52

ED2007-166
無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ
○黒田正行・上田哲三・田中 毅(松下電器)
pp. 53 - 56

ED2007-167
ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減
○松田慶太・川崎 健・中田 健・五十嵐武司・八重樫誠司(ユーディナデバイス)
pp. 57 - 61

ED2007-168
4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討
○寺田 豊・鈴江隆晃・石川博康・江川孝志(名工大)
pp. 63 - 66

ED2007-169
AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析
○中島 敦・堀尾和重(芝浦工大)
pp. 67 - 72

ED2007-170
AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用
○田島正文・小谷淳二・田村隆博・橋詰 保(北大)
pp. 73 - 76

ED2007-171
AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討
○児玉和樹・西田猛利・塩島謙次・葛原正明(福井大)
pp. 77 - 80

ED2007-172
Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
○柏原 康・高木重徳・増田和俊・松下景一・小野寺 賢・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男(東芝)
pp. 81 - 84

ED2007-173
ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
○徳田 豊・松岡陽一・妹尾 武(愛知工大)・上田博之・石黒 修・副島成雅・加地 徹(豊田中研)
pp. 85 - 88

ED2007-174
青色発光InGaN微結晶の作製条件
○蟹江 壽・明石健一(東京理科大)
pp. 89 - 92

ED2007-175
新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製
○橋本直樹・結城明彦・斉藤英幸(千葉大)・王 新強(JST)・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦(千葉大/JST)
pp. 93 - 96

ED2007-176
Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長
○中島由樹・本田善央・山口雅史・澤木宣彦(名大)
pp. 97 - 102

ED2007-177
窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製
○馬淵 彰・平野隆義・杉浦 隆・箕浦秀樹(岐阜大)
pp. 103 - 107

ED2007-178
高In組成(1~0.5)InAlNの常圧MOVPE成長
○宝珍禎則・橋本明弘・山本あき勇(福井大)
pp. 109 - 112

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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