Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2007-31
低コストプロセスで作製した0.10umGaAs MESFET
○渡邉昌崇・福士大地・矢野 浩・中島 成（ユーディナデバイス）
pp. 1 - 5
ED2007-32
ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～
○天清宗山・井上 晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥 友希・石川高英（三菱電機）
pp. 7 - 11
ED2007-33
デルタドープGaAs構造における局在スピンの研究
○J.p. Noh・鄭 大原・A. z. m. Touhidul Islam・大塚信雄（北陸先端大）
pp. 13 - 16
ED2007-34
InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付
○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大）
pp. 17 - 20
ED2007-35
2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長
○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村 悠・森 雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大）
pp. 21 - 25
ED2007-36
Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成
○斉藤光史・森 雅之・山下勇司・丹保豊和・前澤宏一（富山大）
pp. 27 - 32
ED2007-37
コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性
○高橋新之助・三浦 司・山下浩明（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）
pp. 33 - 37
ED2007-38
MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード
○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林 隆（NTT）
pp. 39 - 43
ED2007-39
共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討
○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京）
pp. 45 - 50
ED2007-40
導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御
○山口雅史・横井美典（名大）・高木英俊（宇部高専）・澤木宣彦（名大）
pp. 51 - 56
ED2007-41
［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展
○塩島謙次（福井大）
pp. 57 - 60
ED2007-42
光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化
○塩崎奈々子・橋詰 保（北大）
pp. 61 - 65
ED2007-43
AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大）
pp. 67 - 70
ED2007-44
低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
○野本一貴・田島 卓（法政大）・三島友義（日立電線）・佐藤政孝・中村 徹（法政大）
pp. 71 - 74
ED2007-45
Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性
○佐藤政孝・宮川晋悟・工藤尚宏・永田翔平・田島 卓・中村 徹（法政大）
pp. 75 - 78
ED2007-46
バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性
○小野修一・新井 学（新日本無線）
pp. 79 - 83
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．