Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2007] | [2008] | [2009] | [2010] | [2011] | [2012] | [2013] | [Japanese] / [English]
SDM2010-124
複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法
○金 鎮明・名倉 徹（東大）・高田英裕・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ）・池田 誠・浅田邦博（東大）
pp. 1 - 4
SDM2010-125
レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発
江渕剛志・小松義英・三浦成友・千葉智子・岩田 徹・○道正志郎・吉河武文（パナソニック）
pp. 5 - 10
SDM2010-126
チョッパアンプを用いた電圧平均化フィードバックを適用した高精度オンチップRC発振器
○徳永祐介・崎山史朗・道正志郎（パナソニック）
pp. 11 - 16
SDM2010-127
A 2.7mW 4th-Order Active Gm-RC Bandpass Filter with 60MHz Center Frequency and Digital/Analog Tuning Techniques
○Jingbo Shi・Takayuki Konishi・Toru Kashimura・Shoichi Masui（Tohoku Univ）
pp. 17 - 22
SDM2010-128
時間軸信号処理を用いたAD変換方式の検討
○高山雅夫・三木拓司・道正志郎（パナソニック）
pp. 23 - 28
SDM2010-129
デジタルメモリ効果補正を用いた10bit-300MHzダブルサンプリングパイプラインADCの開発
○三木拓司・森江隆史・尾関俊明・道正志郎（パナソニック）
pp. 29 - 34
SDM2010-130
静的消費電流ゼロのプルアップ回路
○上野達也（山武）
pp. 35 - 37
SDM2010-131
高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ
○柳川善光・小埜和夫・小田部 晃・関口知紀（日立）
pp. 39 - 44
SDM2010-132
エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ～ Power Gating編 ～
○井上淳樹（富士通研）
pp. 45 - 49
SDM2010-133
エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ～ DVFS編 ～
○井上淳樹（富士通研）
pp. 51 - 54
SDM2010-134
ペタスケールコンピュータ用128GFLOPS/58W SPARC64VIIIfxプロセッサの電力解析および電力削減手法
○川辺幸仁（富士通研）・岡野 廣・菅 竜二・吉田利雄・山崎 巌・櫻井仁士・本藤幹雄・松井宣幸・山下英男・中田達己・丸山拓巳・浅川岳夫（富士通）
pp. 55 - 58
SDM2010-135
［招待講演］MEMS/BEANSが可能にするグリーンテクノロジー
○三木則尚（慶大/BEANS）
pp. 59 - 64
SDM2010-136
［招待講演］マイクロエネルギーシステムに向けたMEMS技術の展開
○鈴木雄二（東大）
pp. 65 - 69
SDM2010-137
［招待講演］光ファイバ給電による広域センサネットワーク
○田中洋介・黒川隆志（東京農工大）
pp. 71 - 76
SDM2010-138
高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法
○田中丸周平（東大）・江角 淳・伊東充吉・李 凱（シグリード）・竹内 健（東大）
pp. 77 - 82
SDM2010-139
単一セル自己昇圧法による10V動作，書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD
○宮地幸祐・野田晋司・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大）
pp. 83 - 88
SDM2010-140
NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）
○畑中輝義・石田光一・安福 正（東大）・宮本晋示・中井弘人（東芝）・高宮 真・桜井貴康・竹内 健（東大）
pp. 89 - 94
SDM2010-141
［招待講演］実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発
○前田展秀・金 永ソク（東大）・彦坂幸信・恵下 隆（富士通セミコンダクター）・北田秀樹・藤本興治（東大）・水島賢子（富士通研）・鈴木浩助（大日本印刷）・中村友二（富士通研）・川合章仁・荒井一尚（ディスコ）・大場隆之（東大）
pp. 95 - 97
SDM2010-142
ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究
○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 99 - 104
SDM2010-143
酸化物導電膜チャネルを用いた積層型FeRAMの検討
○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 105 - 110
SDM2010-144
DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析
○平本俊郎・鈴木 誠・更屋拓哉・清水 健（東大）・西田彰男・蒲原史朗・竹内 潔・最上 徹（MIRAI-Selete）
pp. 111 - 114
SDM2010-145
プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大）
pp. 115 - 120
SDM2010-146
A 65nm Bistable Cross-coupled Dual Modular Redundancy Flip-Flop Capable of Protecting Soft Errors on the C-element
Jun Furuta（Kyoto Univ.）・Chikara Hamanaka・○Kazutoshi Kobayashi（Kyoto Inst. of Tech.）・Hidetoshi Onodera（Kyoto Univ.）
pp. 121 - 124
SDM2010-147
不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用
○井口智明・丸亀孝生・棚本哲史・杉山英行・石川瑞恵・斉藤好昭（東芝）
pp. 125 - 129
SDM2010-148
MOSダブルゲート/ CNTトランジスタを用いた論理回路の設計法
○林 隆程・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 131 - 136
SDM2010-149
SGTを用いたシステムLSIのパターン設計法
○小玉貴大・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 137 - 142
SDM2010-150
「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）
pp. 143 - 148
SDM2010-151
極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価
○柳 永勲・遠藤和彦・大内真一（産総研）・亀井貴弘（明大）・塚田順一・山内洋美・石川由紀（産総研）・林田哲郎（明大）・坂本邦博・松川 貴（産総研）・小椋厚志（明大）・昌原明植（産総研）
pp. 149 - 154
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．