Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2012-63
プロセスばらつきを考慮した低電圧動作混合連想度キャッシュ構造
○鄭 晋旭・中田洋平・奥村俊介・川口 博・吉本雅彦（神戸大）
pp. 1 - 6
SDM2012-64
読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM
○吉本秀輔・寺田正治・梅木洋平・奥村俊介（神戸大）・川澄 篤・鈴木利一・森脇真一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大）
pp. 7 - 12
SDM2012-65
SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大）
pp. 13 - 16
SDM2012-66
［依頼講演］エネルギー効率からみたパワーゲーティングとDVFSの比較
○井上淳樹・吉田英司（富士通研）
pp. 17 - 21
SDM2012-67
［招待講演］0.5V動作低エネルギー回路と応用
○篠原尋史（半導体理工学研究センター）
pp. 23 - 28
SDM2012-68
［依頼講演］超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術
○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大）
pp. 29 - 32
SDM2012-69
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大）
pp. 33 - 36
SDM2012-70
10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整
○太田健介・齋藤真澄・田中千加（東芝）・内田 健（東工大）・沼田敏典（東芝）
pp. 37 - 42
SDM2012-71
3次元積層LSIシステムに向けた超並列通信バス方式によるチップ間インターコネクト技術
○居村史人・根本俊介・渡辺直也・加藤史樹・菊地克弥・仲川 博（産総研）・萩本有哉・内田裕之・大森貴志・日比康守・松本祐教（トプスシステムズ）・青柳昌宏（産総研）
pp. 43 - 48
SDM2012-72
三次元積層LSIチップにおける基板ノイズの層間評価
○高木康将・荒賀佑樹・永田 真（神戸大）・Geert Van der Plas・Jaemin Kim・Nikolaos Minas・Pol Marchal・Michael Libois・Antonio La Manna・Wenqi Zhang・Julien Ryckaert・Eric Beyne（IMEC）
pp. 49 - 54
SDM2012-73
［招待講演］システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション
○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合）
pp. 55 - 58
SDM2012-74
4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ
○木下勝治・笹子佳孝・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・藤崎芳久・草場壽一・森本忠雄・高濱 高・峰 利之・島 明生・與名本欣樹・小林 孝（日立）
pp. 59 - 63
SDM2012-75
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析
○周藤悠介・山本修一郎・菅原 聡（東工大）
pp. 65 - 70
SDM2012-76
積層型Chain構造PRAMを用いた読出し方法
○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 71 - 76
SDM2012-77
低電力トンネル型トランジスタを用いたシステムLSI/メモリの設計法
○鈴木良輔・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 77 - 81
SDM2012-78
［招待講演］ナノカーボン配線 ～ 微細金属配線代替を目指して ～
○梶田明広・和田 真・斎藤達朗・北村政幸・山崎雄一・片桐雅之・伊東 伴・西出大亮・松本貴士・磯林厚伸・鈴木真理子・坂田敦子・渡邉勝仁・佐久間尚志・酒井忠司（超低電圧デバイス技研組合）
pp. 83 - 87
SDM2012-79
［招待講演］マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
○永井秀一・根来 昇・福田健志・河井康史・上田哲三・田中 毅・大塚信之・上田大助（パナソニック）
pp. 89 - 92
SDM2012-80
［招待講演］バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC
○小泉 弘・富樫 稔・野河正史・大友祐輔（NTT）
pp. 93 - 98
SDM2012-81
［招待講演］圧電フィルムによるエネルギーハーベスティングと2V有機トランジスタ回路を搭載した靴の中敷き型万歩計
石田光一・黄 ツン靖・本田健太郎・篠塚康大・更田裕司・横田知之（東大）・ツィーシャング ウテ・クラーク ハーゲン（マックス・プランク研）・グレゴリー トルティシエ・関谷 毅・○高宮 真・年吉 洋・染谷隆夫・桜井貴康（東大）
pp. 99 - 104
SDM2012-82
薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ
○小野内雅文・大津賀一雄・五十嵐康人・池谷豊人・森田貞幸（ルネサス エレクトロニクス）・石橋孝一郎（電通大）・柳沢一正（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 105 - 110
SDM2012-83
0.45-V Input Higher Than 90% Efficiency Buck Converter with On-Chip Gate Boost
○Xin Zhang・Po-Hung Chen（Univ. of Tokyo）・Yoshikatsu Ryu（STARC）・Koichi Ishida（Univ. of Tokyo）・Yasuyuki Okuma・Kazunori Watanabe（STARC）・Takayasu Sakurai・Makoto Takamiya（Univ. of Tokyo）
pp. 111 - 114
SDM2012-84
［招待講演］大容量非接触メモリカードのための高効率、高速応答、低EMI無線給電回路
○石黒仁揮・篠田亮太・冨田和寿・長谷川雄哉（慶大）
pp. 115 - 120
SDM2012-85
［招待講演］357Mb/sスループットを実現する1V 90nm TransferJet(TM)向けSoC
○田村昌久・近藤史隆・渡部勝己・青木泰憲・四戸雄介・内野浩基・橋本有平・西山文浩・宮地宏明（ソニー）・永瀬郁穂・上薗 格・寿村理恵（ソニーセミコンダクタ）・前川 格（ソニー）
pp. 121 - 125
SDM2012-86
多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機
○浦野雄貴・松原岳志（慶大）・林 勇（半導体理工学研究センター）・アブル ハサン ジョハリ・小平 薫・徐 照男・黒田忠広・石黒仁揮（慶大）
pp. 127 - 132
SDM2012-87
38uW間欠サンプリング受信回路と52uW F級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps，315MHz帯無線トランシーバ
○井口俊太（東大）・斎藤 晶（半導体理工学研究センター）・本田健太郎・鄭 雲飛（東大）・渡辺和紀（半導体理工学研究センター）・桜井貴康・高宮 真（東大）
pp. 133 - 138
SDM2012-88
タイミング最適化非同期クロック生成器を搭載した40nm超低電圧SAR ADC
○関本竜太・志方 明・吉岡健太郎・黒田忠広・石黒仁揮（慶大）
pp. 139 - 144
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．