Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2012-98
［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ 量子輸送，新材料，原子・分子モデリング，その他 ～
○鎌倉良成（阪大）
pp. 1 - 4
SDM2012-99
［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ コンパクトモデル、デバイス(ばらつき、信頼性) ～
○飯塚貴弘（広島大）
pp. 5 - 7
SDM2012-100
［招待講演］SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ～ 低抵抗，高耐熱によるシステムの小型化 ～
○中村 孝・明田正俊・中野佑紀・大塚拓一・花田俊雄（ローム）
pp. 9 - 10
SDM2012-101
随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法
○野村勝也・近藤継男・石川 剛・川本敦史・松森唯益・杉山隆英（豊田中研）
pp. 11 - 14
SDM2012-102
［招待講演］高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 ～ 1/f（低周波）から熱雑音（100 MHz超）まで ～
○大毛利健治（筑波大）
pp. 15 - 19
SDM2012-103
ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性
○陳 杰智・平野 泉・辰村光介・三谷祐一郎（東芝）
pp. 21 - 24
SDM2012-104
20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価
○山本真大・廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大）
pp. 25 - 30
SDM2012-105
低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討
○佐藤大貴・大村泰久（関西大）
pp. 31 - 36
SDM2012-106
経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算
○渡辺龍太・鎌倉良成（阪大）
pp. 37 - 42
SDM2012-107
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ～ KMCとNEGFによる研究 ～
○森 伸也（阪大）・植松真司（慶大）・三成英樹・ミリニコフ ゲナディ（阪大）・伊藤公平（慶大）
pp. 43 - 46
SDM2012-108
立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション
○図師知文（早大/JST）・大毛利健治・山田啓作（筑波大/JST）・渡邉孝信（早大/JST）
pp. 47 - 52
SDM2012-109
現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション
○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST）
pp. 53 - 58
SDM2012-110
カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析
○鈴木 研・大西正人・三浦英生（東北大）
pp. 59 - 61
SDM2012-111
Tunnel FETの非局所モデリング ～ デバイスモデルと回路モデル ～
○福田浩一・森 貴洋・水林 亘・森田行則・田邊顕人・昌原明植・安田哲二・右田真司・太田裕之（産総研）
pp. 63 - 68
SDM2012-112
弾道・準弾道輸送円筒形GAA-MOSFETの回路コンパクトモデルとシミュレーション
○程 賀（名大）・宇野重康（立命館大）・沼田達宏・中里和郎（名大）
pp. 69 - 73
SDM2012-113
トンネル型トランジスタを用いたシステムLSIとSEAセル型DRAMの設計法
○鈴木良輔・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 75 - 80
SDM2012-114
積層型Chain構造PRAM
○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 81 - 86
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．