| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-11-19 to:2009-11-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 09:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長 ○原 航平・直井美貴・酒井士郎（徳島大）  ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107 |
サファイア基板上に有機金属気相成長（MOCVD）法を用いて成長したGaN上にタンタル（Ta）マスクを形成し，再度，MOC... [more] | ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107 pp.1-4 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 09:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製 ○佐々木 斉・後藤裕輝・碓井 彰（古河機械金属） ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108 |
サファイヤ基板上HVPE成長により{11-22}面GaN層の作製を試みた。2インチｍ面サファイヤ基板上に、MOCVD法に... [more] | ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 09:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性 ○島原佑樹・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109 |
減圧MOVPE法によりAlN/sapphire基板を下地としたAlGaN膜の成長を，反射光を用いたその場観察によって成長... [more] | ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109 pp.9-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 ○神村淳平・岸野克巳・菊池昭彦（上智大/JST） ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 |
[more] | ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 pp.13-18 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ ○荒木 努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 |
InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビ... [more] | ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 pp.19-24 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 11:15 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 ○山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 |
InN成長のための新しいRF-MBE（radio-frequency plasma-assisted molecular... [more] | ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 pp.25-29 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 11:40 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構 ○尾沼猛儀・羽豆耕治（東北大）・宗田孝之（早大）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大） ED2009-134 CPM2009-108 LQE2009-113 |
有機金属化学気相エピタキシー法により$c$面サファイア基板上に成長された、転位密度の異なるAlN薄膜の励起子エネルギー領... [more] | ED2009-134 CPM2009-108 LQE2009-113 pp.31-34 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:05 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 ○金田昭男・上田雅也・船戸 充・川上養一（京大） ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 |
ELO-GaN テンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの... [more] | ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 pp.35-38 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:30 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 |
InGaN 発光ダイオードにおける, 注入キャリア数の増加に対して, 光出力が線形に増加しない原因を解明するために, 本... [more] | ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 pp.39-42 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 ○小林 篤・下元一馬・上野耕平・梶間智文・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST） ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 |
ZnO結晶は?族窒化物結晶と構造的に類似性が高く，また，大面積バルク結晶も容易に入手できることから，無極性面窒化物薄膜の... [more] | ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 pp.43-46 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 ○白石賢二・岩田潤一（筑波大/JST）・小幡輝明（筑波大）・押山 淳（東大/JST） ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 |
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] | ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 pp.47-50 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 ○鳥居義親・奥迫拓也・高見慎也・梶川靖友（島根大） ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 |
分子線蒸着法によりガラス基板上に基板温度240℃及び350℃でGa組成x = 0～1のGaxIn1-xAs多結晶を約1μ... [more] | ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 pp.51-56 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 15:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 ○永田賢昌・飯田大輔・永松謙太郎・竹田健一郎・松原哲也・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 |
高In 組成GaInN は高効率多接合型太陽電池，高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LD への応用... [more] | ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 pp.57-60 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 15:45 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・高木康文・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した．GaN/AlGaNおよびAl... [more] | ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 pp.61-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 16:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | UVレーザダイオードの動作電圧の低減 ○市川友紀・竹田健一郎・小木曽裕二・永田賢吾・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・吉田治正・桑原正和・山下陽滋・菅 博文（浜松ホトニクス） ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 |
?族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet : UV)レーザダイオード(Lase... [more] | ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 pp.65-69 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 16:45 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作 ○本田 徹・野崎 理・坂井直之・野口和之（工学院大） ED2009-143 CPM2009-117 LQE2009-122 |
[more] | ED2009-143 CPM2009-117 LQE2009-122 pp.71-74 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 17:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 ○永田賢吾・市川友紀・竹田健一郎・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 |
Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて，異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化し... [more] | ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 pp.75-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 17:35 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて ～ 発光素子から太陽電池への展開 ～ ○草部一秀・石谷善博・吉川明彦（千葉大） ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 |
InNの物性を活かした光デバイス開発には、（1) InNおよび高In組成窒化物混晶のｐ型伝導制御、および(2) 構造的完... [more] | ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 pp.81-84 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 18:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaN系表面ナノ構造光検出器 ○張 晶・直井美貴・酒井士郎（徳島大）・深野敦之・田中 覚（SCIVAX） ED2009-146 CPM2009-120 LQE2009-125 |
[more] | ED2009-146 CPM2009-120 LQE2009-125 pp.85-89 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 09:30 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長 ○藤田浩平・奥浦一輝・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研） ED2009-147 CPM2009-121 LQE2009-126 |
減圧HVPE法において周期溝加工AlNテンプレートを用いることにより高品質AlN厚膜を成長できた。溝加工テンプレートは通... [more] | ED2009-147 CPM2009-121 LQE2009-126 pp.91-94 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]