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電子部品・材料研究会 (CPM)  (検索条件: 2012年度)

「from:2012-10-26 to:2012-10-26」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2012-10-26
13:00
新潟 まちなかキャンパス長岡 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたCVD法によるZnO膜の堆積特性
安井寛治三浦仁嗣田原将巳里本宗一長岡技科大
 [more]
CPM 2012-10-26
13:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析
永冨瑛智山口直也竹内智彦里本宗一加藤孝弘安井寛治長岡技科大CPM2012-93
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと気相中で反応させ形成した... [more] CPM2012-93
pp.1-5
CPM 2012-10-26
13:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果
小柳貴寛竹澤和樹加藤孝弘長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・安井寛治長岡技科大CPM2012-94
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_{2}Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エ... [more] CPM2012-94
pp.7-11
CPM 2012-10-26
14:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討
名越克仁富口祐輔清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大CPM2012-95
本研究では,市販ターゲットを用い,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積... [more] CPM2012-95
pp.13-16
CPM 2012-10-26
14:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製 ~ 窓層堆積条件検討による効率の改善 ~
田中久仁彦相澤卓実打木久雄長岡技科大CPM2012-96
 [more] CPM2012-96
pp.17-21
CPM 2012-10-26
15:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 Cu2ZnSnS4を用いた三次元構造太陽電池の作製
黒川真登田中久仁彦加藤 実長沼萌壮長橋由樹打木久雄長岡技科大CPM2012-97
 [more] CPM2012-97
pp.23-28
CPM 2012-10-26
15:40
新潟 まちなかキャンパス長岡 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製
佐久間広太田中久仁彦相澤卓実中野裕也打木久雄長岡技科大CPM2012-98
 [more] CPM2012-98
pp.29-32
CPM 2012-10-26
16:05
新潟 まちなかキャンパス長岡 CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化
樋口健人鷲尾 司神保和夫片桐裕則長岡高専CPM2012-99
CZTS化合物ターゲットを用いたRFスパッタ法によりCZTSプリカーサを作製し,異なる硫化保持時間で気相硫化することによ... [more] CPM2012-99
pp.33-37
CPM 2012-10-26
16:40
新潟 まちなかキャンパス長岡 Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長
中澤日出樹鈴木大樹成田次理山本陽平弘前大CPM2012-100
 [more] CPM2012-100
pp.39-44
CPM 2012-10-26
17:05
新潟 まちなかキャンパス長岡 MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状
高木達也宮原 亮・○高野 泰静岡大CPM2012-101
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし... [more] CPM2012-101
pp.45-48
CPM 2012-10-26
17:30
新潟 まちなかキャンパス長岡 Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成
野矢 厚武山眞弓佐藤 勝徳田 奨北見工大CPM2012-102
あらまし Ni/Si固相反応系におけるシリサイド形成を調べた。通常この系では反応温度の増加に伴ってNi2Si→NiSi... [more] CPM2012-102
pp.49-53
CPM 2012-10-26
17:55
新潟 まちなかキャンパス長岡 Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ~ Va遷移金属の拡散挙動 ~
武山真弓野矢 厚北見工大CPM2012-103
LSIにおいて、Cu配線と層間絶縁膜との間には、優れたバリヤ特性を有するバリヤが必要不可欠である。しかしながら、これまで... [more] CPM2012-103
pp.55-60
CPM 2012-10-27
09:10
新潟 まちなかキャンパス長岡 コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製
横本拓也荒井 崇小坂孝之岡島和希山上朋彦阿部克也榊 和彦信州大CPM2012-104
コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた
反応性スパッタリング法によりCuAlO$_{2}$薄膜の... [more]
CPM2012-104
pp.61-64
CPM 2012-10-27
09:35
新潟 まちなかキャンパス長岡 熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜用下地膜の検討
小林和晃清水英彦岩野春男福嶋康夫川上貴浩新潟大CPM2012-105
本研究では,マグネトロンスパッタ法により,室温にて酸化Al下地膜を堆積させた後,対向ターゲット式スパッタ法により室温にて... [more] CPM2012-105
pp.65-69
CPM 2012-10-27
10:00
新潟 まちなかキャンパス長岡 プラスチック基板上に作製したITO膜及び有機EL素子の機械的特性
松井博章清水英彦岩野春男福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大CPM2012-106
本研究では,PEN基板上に様々な条件で作製したITO膜や有機EL素子を用いて機械的特性の検討を行った。その結果,ITO膜... [more] CPM2012-106
pp.71-76
CPM 2012-10-27
10:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 YVO4:Bi黄色蛍光体のエネルギー移動過程
阿部泰雅谷口浩太八木純平加藤有行長岡技科大CPM2012-107
黄色蛍光体YVO_4:BiのPLおよびPLEの温度依存性を測定した.その結果,450 nm付近の母体発光の強度が温度上昇... [more] CPM2012-107
pp.77-80
CPM 2012-10-27
11:00
新潟 まちなかキャンパス長岡 グラフェン層間化合物の作製と評価
山本 寛市川博亮佐藤祥吾岩田展幸日大CPM2012-108
本研究の目的はCVD法によって単層グラフェンを作製すること,そしてグラファイトあるいは低層グラフェンのFeCl3インタカ... [more] CPM2012-108
pp.81-86
CPM 2012-10-27
11:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討
浅田裕司山下将弘山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2012-109
ナノカーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し,CNT濃... [more] CPM2012-109
pp.87-90
CPM 2012-10-27
11:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価
加藤孝弘西方 翼小瀧侑央末松久幸安井寛治長岡技科大)・川上 彰NICTCPM2012-110
 [more] CPM2012-110
pp.91-96
CPM 2012-10-27
12:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-111
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,... [more] CPM2012-111
pp.97-100
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