13:00-13:05	開会あいさつ　（ 5分 ）
11月30日(木) 午後  EDセッション 1 座長: 山本 佳嗣（三菱電機） 13:05 - 14:45
(1)	13:05-13:30	単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54	○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大）
(2)	13:30-13:55	四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55	○滝本将也・間瀬　晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大）
(3)	13:55-14:20	ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56	○久保俊晴・江川孝志（名工大）
(4)	14:20-14:45	ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57	○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原　直紀（富士通）
	14:45-14:55	休憩　（ 10分 ）
11月30日(木) 午後  EDセッション2 座長: 久保 俊晴（名工大） 14:55 - 16:10
(5)	14:55-15:20	電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58	○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田　博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
(6)	15:20-15:45	Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59	○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野　浩（名大）
(7)	15:45-16:10	MOVPEを用いた（0001）面上への低炭素ＧａＮの成長 ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60	○渡邉浩崇・新田州吾・藤元直樹・川崎晟也・隈部岳瑠・大西一生・本田善央・天野　浩（名大）
	16:10-16:20	休憩　（ 10分 ）
11月30日(木) 午後  LQEセッション1 座長: 山口 敦史（金沢工大） 16:20 - 17:35
(8)	16:20-16:45	自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61	○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸　充・川上養一（京大）
(9)	16:45-17:10	半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62	○福重翔吾・松田祥伸・船戸　充・川上養一（京大）
(10)	17:10-17:35	光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価 ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63	○藤澤孝博・Hu Nan・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大）
12月1日(金) 午前  LQEセッション2 座長: 藤田 和上（浜松ホトニクス） 09:30 - 11:10
(11)	09:30-09:55	ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善 ED2023-24 CPM2023-66 LQE2023-64	○土佐宏樹・森　恵人・山口敦史（金沢工大）
(12)	09:55-10:20	ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定 ED2023-25 CPM2023-67 LQE2023-65	○神野翔綺・山口敦史・森　恵人（金沢工大）・草薙　進・蟹谷裕也・冨谷茂隆・工藤喜弘（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(13)	10:20-10:45	一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66	○森　恵人・山口敦史（金沢工大）・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(14)	10:45-11:10	BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価 ED2023-27 CPM2023-69 LQE2023-67	○中野貴之・高橋祐吏・太田悠斗・清水勇希・井上　翼・青木　徹（静岡大）
	11:10-11:20	休憩　（ 10分 ）
12月1日(金) 午前  CPMセッション 座長: 寺迫 智昭（愛媛大学） 11:20 - 12:35
(15)	11:20-11:45	可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成 ED2023-28 CPM2023-70 LQE2023-68	○森　耀平・Baskar Malathi・中村篤志（静岡大）
(16)	11:45-12:10	熱処理を施したZnOナノロッド層を有するPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性 ED2023-29 CPM2023-71 LQE2023-69	廣田　楓・中堀将人・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
(17)	12:10-12:35	PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合におけるキャリア輸送機構 ED2023-30 CPM2023-72 LQE2023-70	○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
	12:35-14:00	休憩　（ 85分 ）
12月1日(金) 午後  LQEセッション3 座長: 平山 秀樹（理研） 14:00 - 15:40
(18)	14:00-14:25	その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御 ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71	○小林憲汰・渡邊琉加・西川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山　智（名城大）
(19)	14:25-14:50	ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製 ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72	○渡邊琉加・小林憲汰・柳川光樹・竹内哲也・上山　智・岩谷素顕（名城大）
(20)	14:50-15:15	縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73	○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山　章・岩谷素顕・上山　智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）
(21)	15:15-15:40	III族窒化物半導体光・電子デバイスの サーマルマネージメントへ向けて ED2023-34 CPM2023-76 LQE2023-74	○石谷善博・地﨑匡哉・ティーアイ カインシュウェ・林　伯金・浅地竜也・馬　蓓（千葉大）
	15:40-15:50	休憩　（ 10分 ）
12月1日(金) 午後  LQEセッション4 座長: 三好 実人（名古屋工大） 15:50 - 17:10
(22)	15:50-16:15	MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75	○大石悠翔・肖　世玉・上杉謙次郎・秋山　亨・玉野智弘・三宅秀人（三重大）
(23)	16:15-16:40	ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76	○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山　章・上山　智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）
(24)	16:40-17:05	230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現 ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77	○牟田実広・大神裕之・毛利健吾・河島宏和（日本タングステン）・前田哲利・アジマル カーン・鹿嶋行雄・松浦恵里子・中村勇稀・住司　光・桐原大河（理研）・藤川紗千恵・矢口裕之（埼玉大）・祝迫　恭（日本タングステン）・平山秀樹（理研）
	17:05-17:10	閉会あいさつ　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	大石 敏之 (佐賀大学） TEL : 0952-28-8645 E- :oi104cc-u 堤 卓也(NTT) TEL: 046-240-3180 E-:
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	寺迫 智昭 (愛媛大学） TEL: 089-927-9789 E-: amze-u
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	田中 信介（富士通（株）） TEL 080-2203-4544 E-: n- 西島 喜明(横浜国立大学） TEL 045-339-4107 E-: y
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2023-11-07 08:49:49