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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 中澤 日出樹 (弘前大)
副委員長 寺迫 智昭 (愛媛大)
幹事 番場 教子 (信州大), 武山 真弓 (北見工大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 廣瀬 文彦 (山形大), 中村 雄一 (豊橋技科大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛西 誠也 (北大)
副委員長 新井 学 (名大)
幹事 大石 敏之 (佐賀大), 山本 佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐 小山 政俊 (阪工大), 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 西村 公佐 (KDDI総合研究所)
副委員長 山口 敦史 (金沢工大)
幹事 田中 信介 (富士通), 西島 喜明 (横浜国大)
幹事補佐 望月 敬太 (三菱電機)

日時 2023年11月30日(木) 13:00 - 17:35
2023年12月 1日(金) 09:30 - 17:10
議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
会場名 アクトシティ浜松 研修交流センター 51研修交流室 
住所 〒430-7790 静岡県浜松市中区板屋町111-1
交通案内 JR浜松駅から徒歩10分
https://www.actcity.jp/visitor/seminar/
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(LQE研究会, ED研究会, CPM研究会)についてはこちらをご覧ください

  13:00-13:05 開会あいさつ ( 5分 )
11月30日(木) 午後  EDセッション 1
座長: 山本 佳嗣(三菱電機)
13:05 - 14:45
(1) 13:05-13:30 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 川出智之米谷宜展田中さくら江川孝志三好実人名工大
(2) 13:30-13:55 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 滝本将也間瀬 晃小嶋智輝江川孝志三好実人名工大
(3) 13:55-14:20 ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 久保俊晴江川孝志名工大
(4) 14:20-14:45 ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 尾崎史朗熊崎祐介岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通
  14:45-14:55 休憩 ( 10分 )
11月30日(木) 午後  EDセッション2
座長: 久保 俊晴(名工大)
14:55 - 16:10
(5) 14:55-15:20 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 吉村遥翔今林弘毅福井大)・堀切文正成田好伸藤倉序章住友化学)・太田 博三島友義法政大)・塩島謙次福井大
(6) 15:20-15:45 Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 伊藤佑太渡邉浩崇出来真斗新田州吾田中敦之本田善夫天野 浩名大
(7) 15:45-16:10 MOVPEを用いた(0001)面上への低炭素GaNの成長 ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60 渡邉浩崇新田州吾藤元直樹川崎晟也隈部岳瑠大西一生本田善央天野 浩名大
  16:10-16:20 休憩 ( 10分 )
11月30日(木) 午後  LQEセッション1
座長: 山口 敦史(金沢工大)
16:20 - 17:35
(8) 16:20-16:45 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 宮脇啓嘉松田祥伸船戸 充川上養一京大
(9) 16:45-17:10 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 福重翔吾松田祥伸船戸 充川上養一京大
(10) 17:10-17:35 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価 ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63 藤澤孝博Hu Nan小嶋智輝江川孝志三好実人名工大
12月1日(金) 午前  LQEセッション2
座長: 藤田 和上(浜松ホトニクス)
09:30 - 11:10
(11) 09:30-09:55 ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善 ED2023-24 CPM2023-66 LQE2023-64 土佐宏樹森 恵人山口敦史金沢工大
(12) 09:55-10:20 ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定 ED2023-25 CPM2023-67 LQE2023-65 神野翔綺山口敦史森 恵人金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也冨谷茂隆工藤喜弘ソニーセミコンダクタソリューションズ
(13) 10:20-10:45 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66 森 恵人山口敦史金沢工大)・牧野智大大原真穂濱口達史幸田倫太郎ソニーセミコンダクタソリューションズ
(14) 10:45-11:10 BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価 ED2023-27 CPM2023-69 LQE2023-67 中野貴之高橋祐吏太田悠斗清水勇希井上 翼青木 徹静岡大
  11:10-11:20 休憩 ( 10分 )
12月1日(金) 午前  CPMセッション
座長: 寺迫 智昭(愛媛大学)
11:20 - 12:35
(15) 11:20-11:45 可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成 ED2023-28 CPM2023-70 LQE2023-68 森 耀平Baskar Malathi中村篤志静岡大
(16) 11:45-12:10 熱処理を施したZnOナノロッド層を有するPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性 ED2023-29 CPM2023-71 LQE2023-69 廣田 楓中堀将人・○寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大
(17) 12:10-12:35 PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合におけるキャリア輸送機構 ED2023-30 CPM2023-72 LQE2023-70 寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大
  12:35-14:00 休憩 ( 85分 )
12月1日(金) 午後  LQEセッション3
座長: 平山 秀樹(理研)
14:00 - 15:40
(18) 14:00-14:25 その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御 ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71 小林憲汰渡邊琉加西川大智竹内哲也岩谷素顕上山 智名城大
(19) 14:25-14:50 ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製 ED2023-32 CPM2023-74 LQE2023-72 渡邊琉加小林憲汰柳川光樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大
(20) 14:50-15:15 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 西林到真近藤涼輔松原衣里山田凌矢井本圭紀服部光希岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・三宅秀人三重大)・三好晃平難波江宏一ウシオ電機)・山口顕宏西進商事
(21) 15:15-15:40 III族窒化物半導体光・電子デバイスの サーマルマネージメントへ向けて ED2023-34 CPM2023-76 LQE2023-74 石谷善博地﨑匡哉ティーアイ カインシュウェ林 伯金浅地竜也馬 蓓千葉大
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
12月1日(金) 午後  LQEセッション4
座長: 三好 実人(名古屋工大)
15:50 - 17:10
(22) 15:50-16:15 MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75 大石悠翔肖 世玉上杉謙次郎秋山 亨玉野智弘三宅秀人三重大
(23) 16:15-16:40 ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 井本圭紀近藤涼輔山田凌矢服部光希西林到真松原衣里岩山 章上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大
(24) 16:40-17:05 230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現 ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77 牟田実広大神裕之毛利健吾河島宏和日本タングステン)・前田哲利アジマル カーン鹿嶋行雄松浦恵里子中村勇稀住司 光桐原大河理研)・藤川紗千恵矢口裕之埼玉大)・祝迫 恭日本タングステン)・平山秀樹理研
  17:05-17:10 閉会あいさつ ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 寺迫 智昭 (愛媛大学)
TEL: 089-927-9789
E--mail: amze-u 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 大石 敏之 (佐賀大学)
TEL : 0952-28-8645
E--mail :oi104cc-u
堤 卓也(NTT)
TEL: 046-240-3180
E--mail:  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 信介(富士通(株))
TEL 080-2203-4544
E--mail: n-

西島 喜明(横浜国立大学)
TEL 045-339-4107
E--mail: y 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2023-11-07 08:49:49


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