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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2023-07-31 15:10 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討 ○三浦豊生・佐藤 勝・武山真弓（北見工大）  CPM2023-14 |
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ... [more] | CPM2023-14 pp.11-12 |
| SDM | 2022-11-11 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して ○江藤剛治（阪大）・下ノ村和弘・安藤妙子・松長誠之・廣瀬 裕（立命館大）・志村考功・渡部平司（阪大）・鎌倉良成（阪工大）・武藤秀樹（リンクリサーチ） SDM2022-71 |
シリコン（Si）イメージセンサの理論的限界時間分解能は11.1psである1)．それ以下の時間分解能をスーパー時間分解（S... [more] | SDM2022-71 pp.32-39 |
| CPM | 2021-10-27 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2021-31 |
近年，フラッシュメモリより動作速度が速く，消費電力を低くすることができる抵抗変化メモリが注目されている．しかしながら，低... [more] | CPM2021-31 pp.43-45 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2021-05-27 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 |
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] | ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 pp.11-14 |
| CPM | 2021-03-03 13:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 ○川合祐貴・山本和輝・大塚 祐・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2020-69 |
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] | CPM2020-69 pp.52-54 |
| CPM | 2020-10-29 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製 ○佐藤 勝・川合祐貴・向井高幸・武山真弓（北見工大） CPM2020-21 |
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は... [more] | CPM2020-21 pp.38-40 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2020-10-05 14:20 |
ONLINE | オンライン開催 | SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究 ○浦下宗輝・小野澤 隼・北川涼太・冨田誠人・春本高志・史 蹟・中村吉男・高村陽太・中川茂樹（東工大） MRIS2020-3 |
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては，磁化反転時に... [more] | MRIS2020-3 pp.12-15 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 ○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 |
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は，人工シナプスを実現可能... [more] | ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 pp.29-34 |
| ICD | 2018-04-19 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］アナログ型抵抗変化ニューロデバイス・システムのソフト・ハード一体型研究開発 ○秋永広幸・島 久・内藤泰久（産総研）・浅井哲也（北大） ICD2018-5 |
我々は、アナログ型抵抗変化デバイス(Resistive Analog Neuro Device; RAND)を用いて、消... [more] | ICD2018-5 p.15 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2018-03-08 13:55 |
島根 | 隠岐の島文化会館 | メモリスタ論理による誤り訂正符号回路の設計と評価 ○石坂 守（奈良高専）・新谷道広・井上美智子（奈良先端大） CPSY2017-146 DC2017-102 |
抵抗変化型メモリ（Resistive RAM, ReRAM）は，高集積，高速，低消費電力の観点から，フラッシュメモリを代... [more] | CPSY2017-146 DC2017-102 pp.257-262 |
| MBE, NC, NLP (併催) |
2018-01-27 11:45 |
福岡 | 九州工業大学 | ReRAMニューロンデバイスによるニューラルパルスコーディング ○中田一紀（広島市大） NLP2017-98 |
ニューロモルフィックシステムや機械学習アルゴリズムのハードウェア実装の研究が進展している．最近では，それらの応用において... [more] | NLP2017-98 pp.63-68 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-07 09:25 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | ビアスイッチクロスバを用いた再構成可能デバイスのプログラム制約を考慮する配線手法 ○山口航誠・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2017-39 DC2017-45 |
本稿では, ビアスイッチを用いた再構成可能アーキテクチャにおける，スイッチのプログラミングに関する制約を考慮した配線手法... [more] | VLD2017-39 DC2017-45 pp.73-78 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 13:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係 ○塩見俊樹・萩原祐仁・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） |
[more] | |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-30 14:35 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法 ○鶴見洸太・田中誠大・竹内 健（中大） CPM2016-89 ICD2016-50 IE2016-84 |
IoT向けのメモリやデータストレージとして，高速かつ低電力動作可能なReRAMが注目されている。IoT向けデバイスは小型... [more] | CPM2016-89 ICD2016-50 IE2016-84 pp.69-74 |
| ICD | 2016-04-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM ○高島大三郎・遠藤真人（東芝）・島崎一浩・齋 学（東芝マイクロエレクトロニクス）・谷野雅章（東芝情報システム） ICD2016-2 |
本論文では、容量性結合によるデータ書込技術を用いた7Tr. SRAMについて述べる。従来SRAM固有の電流衝突を引き起こ... [more] | ICD2016-2 pp.7-12 |
| ICD | 2016-04-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大） ICD2016-5 |
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている．しかし、その長期信頼... [more] | ICD2016-5 pp.21-26 |
| ICD | 2016-04-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 ○田中誠大・石井智也・蜂谷尚悟・寧 渉洋・竹内 健（中大） ICD2016-6 |
バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして，低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReR... [more] | ICD2016-6 pp.27-32 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-01 14:40 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 隣接線の信号遷移による遅延変動を用いる半断線故障の判別法について ○伊勢幸太郎・四柳浩之・橋爪正樹（徳島大）・樋上喜信・高橋 寛（愛媛大） VLD2015-42 DC2015-38 |
IC 内で発生する半断線故障は抵抗成分を持ち,故障の影響は微小遅延として顕在化する.また,トランジスタのばらつきの影響に... [more] | VLD2015-42 DC2015-38 pp.31-36 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
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