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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-06-21
17:20
愛知 名古屋大学 VBL3F SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御
木村圭佑田岡紀之西村駿介大田晃生牧原克典宮﨑誠一名大SDM2022-31
金属ナノシート(MNS)を用いたデバイスが検討されているが、SiO2上のMNSの表面形態や結晶相制御についての理解は十分... [more] SDM2022-31
pp.27-30
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2020-10-05
13:55
ONLINE オンライン開催 強磁性粒界材を有するグラニュラキャップ層を用いたCoPt基フルグラニュラ媒体の反転磁界および表面制御
タム キム コング櫛引了輔鎌田知成田中貴金属)・斉藤 伸東北大MRIS2020-2
様々なGd2O3含有量のCoPt-Gd2O3グラニュラキャップ層(CL)を備えたフルグラニュラ媒体の磁気特性と微細組織を... [more] MRIS2020-2
pp.6-11
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
16:15
愛知 名古屋工業大学 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価
塩島謙次橋爪孝典福井大)・堀切文正田中丈士サイオクス)・三島友義法政大ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68
pp.27-32
SDM 2017-10-25
16:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
前田康貴劉 野原廣木瑞葉大見俊一郎東工大SDM2017-54
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] SDM2017-54
pp.25-30
OME 2016-12-26
14:55
沖縄 浦添市産業振興センター 電解反応を用いた金属表面の機能化とその応用
市野良一名大OME2016-55
金属の耐食性皮膜としてZn-Ni-P,Zn-Ni-Bを電解法で作製した.作成した皮膜は,浴温度,電解電位などの実験条件に... [more] OME2016-55
pp.7-10
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-12-09
11:20
愛媛 愛媛大学 L10-FePt薄膜の表面形態と結晶性に及ぼす下地層の影響
清水智貴中村将大落合亮真中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MR2016-40
L10構造を持つFePt薄膜を高密度記録媒体などのデバイスに応用するためには,膜表面平坦性を制御する必要がある.しかしな... [more] MR2016-40
pp.63-67
SDM 2016-10-27
10:25
宮城 東北大学未来研 SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響
前田康貴廣木瑞葉大見俊一郎東工大SDM2016-74
フレキシブルデバイスやTFTなどへの応用が期待されている代表的なp型有機半導体のペンタセンは、薄膜の結晶性が下層材料の表... [more] SDM2016-74
pp.31-34
CPM 2016-07-23
10:25
愛媛 愛媛大学工学部本館3階会議室 原料交互供給法による酸化スズナノワイヤーの成長と形状制御
寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専CPM2016-29
スズ(Sn)粉末と水(H2O)を原料,Au 薄膜を触媒とする大気圧 CVD 法において,Sn と H2O を時間的に分離... [more] CPM2016-29
pp.21-26
R 2016-06-17
14:50
東京 機械振興会館 無電解ニッケルめっきの製造条件による皮膜形態とその硬化挙動
水内理映子久里裕二小谷和也東芝R2016-12
無電解ニッケルめっきは、耐食性に優れる、複雑形状への適用が容易、他の硬質めっきと比較しコストが低い等の理由から、工業的に... [more] R2016-12
pp.19-24
SDM 2015-10-30
13:50
宮城 東北大学未来研 HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
前田康貴劉 野原大見俊一郎東工大SDM2015-80
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは下層材料や堆積温度により、グレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] SDM2015-80
pp.49-52
EMD, CPM, OME
(共催)
2013-06-21
16:55
東京 機械振興会館 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたZnO膜の成長 ~ ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み ~
竹澤和樹中村友紀小柳貴寛加藤孝弘長岡技科大)・片桐裕則大石耕一郎神保和夫長岡高専)・安井寛治長岡技科大EMD2013-23 CPM2013-38 OME2013-46
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと反応させ形成した高エネ... [more] EMD2013-23 CPM2013-38 OME2013-46
pp.89-94
EMD 2012-12-01
14:50
千葉 千葉工業大学 Effect of Current Load on Fretting of Au-plated contacts
Wanbin Ren・○Peng WangShengjun XueHarbin Inst. of Tech.EMD2012-87
The fretting corrosion behavior of Au-plated contacts is stu... [more] EMD2012-87
pp.133-140
CPM 2012-10-26
13:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果
小柳貴寛竹澤和樹加藤孝弘長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・安井寛治長岡技科大CPM2012-94
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_{2}Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エ... [more] CPM2012-94
pp.7-11
OME 2012-10-17
16:40
東京 機械振興会館 B1F 3号室 静電塗布法を用いたフラーレン誘導体薄膜の成膜
高木健次武志一正福田武司埼玉大/理研)・鎌田憲彦埼玉大)・朱 正明山形 豊理研)・田島右副理研/埼玉大OME2012-54
ウェットプロセスでp-nもしくはp-i-n積層型有機薄膜太陽電池を形成する為には、p型とn型の有機材料を溶解する溶媒を選... [more] OME2012-54
pp.45-48
OME 2010-10-22
13:50
東京 NTT武蔵野研究開発センター 静電塗布法を利用した太陽電池用有機材料の平坦化技術
浅野 俊高木健次福田武司埼玉大/理研)・朱 正明理研)・本多善太郎鎌田憲彦埼玉大)・田島右副青山哲也埼玉大/理研)・山形 豊理研OME2010-48
ウェットプロセスでバルクヘテロジャンクション型有機太陽電池を形成する為には、p型とn型の両材料を溶解する溶媒を選択する必... [more] OME2010-48
pp.11-14
OME 2010-05-27
13:00
東京 機械振興会館 自己組織化膜形成による酸化金属電極の表面修飾
金 性湖梅本祐也大塚華恵田中邦明・○臼井博明東京農工大OME2010-17
有機デバイスの電極として一般的に用いられるITOと有機薄膜の界面特性を制御する目的で,ITO表面に自己組織化膜(SAM)... [more] OME2010-17
pp.1-6
OME 2009-09-03
13:00
東京 機械振興会館 ビニルカルバゾール蒸着重合膜形成における表面開始剤SAM膜の効果
梅本祐也金 性湖田中邦明・○臼井博明東京農工大OME2009-36
一般に蒸着膜は基板に物理的に吸着しているため界面が不安定であるが,本研究では表面開始蒸着重合の手法を用い,基板表面に化学... [more] OME2009-36
pp.1-6
SDM 2007-10-05
15:00
宮城 東北大学 シリコン表面の原子オーダー平坦化技術
諏訪智之黒田理人寺本章伸大見忠弘東北大SDM2007-190
本研究において、1200℃のArガス雰囲気中で(100)面のシリコンウェハを熱処理することにより、様々な原子オーダのステ... [more] SDM2007-190
pp.57-59
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-24
14:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ZnO薄膜の高品質化とUVディテクタへの応用
林 隆雄中村篤志天明二郎静岡大)・ナバーロ トーバー,アルバロムニョス メリノ,エリアスマドリード工科大
リモートプラズマ励起MOCVD法によりZnO薄膜を成長した。II族原料としてDEZn、VI族原料として酸素ガスを用い、酸... [more]
MW, SCE
(共催)
2005-04-27
16:15
東京 機械振興会館 超伝導薄膜のハイパワーマイクロ波特性の測定法
小原春彦幸坂 紳産総研
超伝導薄膜の表面抵抗のマイクロ波パワー依存性を誘電体共振器法を用いて測定した.測定系は,最大出力が20Wの進行波管(TW... [more] SCE2005-10 MW2005-10
pp.51-54
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