| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-01-29 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs ○入沢寿史・小田 穣・池田圭司・守山佳彦・三枝栄子・W Jevasuwan・前田辰郎（産総研）・市川 麿・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・宮本恭幸（東工大）・手塚 勉（産総研）  SDM2013-137 |
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] | SDM2013-137 pp.9-12 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］ミリ波帯CMOS伝送線路-導波管変換器の設計 ○國武寛司・高野恭弥・本良瑞樹・片山光亮・天川修平・吉田 毅・藤島 実（広島大） ICD2013-130 |
近年，CMOSプロセスを用いたミリ波帯回路が実現されている．ミリ波帯システムに集積回路を応用するには，導波管インターフェ... [more] | ICD2013-130 p.73 |
| SDM | 2013-12-13 17:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価 ○中澤成哉・南園悠一郎・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2013-133 |
4H-SiC (0001) MOS界面には応答速度の著しく異なる2種類の界面準位が存在することが確認されている. 本研究... [more] | SDM2013-133 pp.101-105 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 ○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大） ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 |
原子層堆積（ALD）によるAl2O3層を有するInAlN MOS構造について、その電気的特性に対する作製プロセスの影響を... [more] | ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 pp.101-105 |
| SDM | 2013-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-98 |
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] | SDM2013-98 pp.51-56 |
| ED | 2013-08-09 09:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 ○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） ED2013-45 |
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた．GaSb/GaAs界... [more] | ED2013-45 pp.37-42 |
| SDM | 2013-06-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 ○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-45 |
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には，良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成，お... [more] | SDM2013-45 pp.7-11 |
| SDM | 2013-06-18 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2013-48 |
Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high... [more] | SDM2013-48 pp.25-28 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| SDM | 2013-06-18 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC酸化メカニズム解明への試み ～ Si酸化との共通点/異なる点 ～ ○土方泰斗・八木修平・矢口裕之（埼玉大） SDM2013-62 |
SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには，SiC酸化メカニズムのより一層の理解が... [more] | SDM2013-62 pp.91-96 |
| SDM | 2013-06-18 17:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 ○梅田享英（筑波大）・岡本光央・小杉亮治（産総研）・荒井 亮・佐藤嘉洋（筑波大）・原田信介・奥村 元（産総研）・牧野高紘・大島 武（原子力機構） SDM2013-64 |
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）はノーマリーオフ，高パワー密度，超低損失のパワーデバイスとして... [more] | SDM2013-64 pp.101-105 |
| SDM | 2012-12-07 10:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-118 |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] | SDM2012-118 pp.19-23 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大） ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] | ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 pp.37-40 |
| SDM | 2012-10-26 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価 ○ゴベール フィリップ・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-92 |
[more] | SDM2012-92 pp.15-20 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
[more] | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 ○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大） ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った．ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] | ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 pp.49-52 |
| ICD | 2012-04-23 12:30 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発 ○柴田 昇・神田和重・久田俊記・磯部克明・佐藤 学・清水有威・清水孝洋・杉本貴宏・小林智浩・犬塚和子・金川直晃・梶谷泰之・小川武志・中井 潤（東芝）・亀井輝彦（サンディスク） ICD2012-1 |
世界最小の19nmのデザインルールを用いて64Gb多値（2bit/cell）NANDフラッシュメモリーを開発した。片側 ... [more] | ICD2012-1 pp.1-5 |
| ICD | 2012-04-23 13:20 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発 ○亀井輝彦・Yan Li・Seungpil Lee・大和田 健・Hao Nguyen・Qui Nguyen・Nima Mokhlesi・Cynthia Hsu・Jason Li・Venky Ramachandra・東谷政昭・Tuan Pham・渡邉光恭（サンディスク）・本間充祥・渡辺慶久（東芝） ICD2012-2 |
19nm製造プロセスを用い、シングルチップとしては最大容量となる128Gb 3-bit/cell NAND型フラッシュメ... [more] | ICD2012-2 pp.7-12 |
| SDM | 2011-12-16 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2011-134 |
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] | SDM2011-134 pp.11-15 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]