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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2016-07-23 10:25 |
愛媛 | 愛媛大学工学部本館3階会議室 | 原料交互供給法による酸化スズナノワイヤーの成長と形状制御 ○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）  CPM2016-29 |
スズ(Sn)粉末と水(H2O)を原料，Au 薄膜を触媒とする大気圧 CVD 法において，Sn と H2O を時間的に分離... [more] | CPM2016-29 pp.21-26 |
| CPM | 2015-11-06 14:00 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | BT固溶BKTセラミックスの微細構造および圧電特性 ○児玉智哉・番場教子（信州大） CPM2015-86 |
本研究では、(Bi0.5K0.5)TiO3(以下、BKT)セラミックスの粒径を増大させることで圧電定数d33の向上を試み... [more] | CPM2015-86 pp.15-18 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2015-06-19 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 大気圧CVD法による酸化スズ及び酸化ガリウムナノワイヤーの成長 ○寺迫智昭・倉重利規（愛媛大）・矢木正和（香川高専） EMD2015-14 CPM2015-24 OME2015-27 |
金属(スズもしくはガリウム)と水を原料，金(Au)を触媒に用いた大気圧化学気相堆積(CVD)法で成長温度，原料供給比及び... [more] | EMD2015-14 CPM2015-24 OME2015-27 pp.17-22 |
| SDM | 2015-06-19 14:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 ○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-50 |
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] | SDM2015-50 pp.63-68 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 16:40 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作 ○中尾 亮・荒井昌和・小林 亘・山本 剛・松尾慎治（NTT） OPE2014-150 LQE2014-137 |
メタモルフィック成長技術は，半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し，通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など... [more] | OPE2014-150 LQE2014-137 pp.59-64 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 14:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング ○南部優賢・山口敦史（金沢工大）・後藤裕輝・砂川晴夫・松枝敏晴（古河機械金属）・岡田愛姫子（早大）・篠原秀敏・後藤博史（東芝機械）・水野 潤（早大）・碓井 彰（古河機械金属） ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108 |
白色LEDにおいて大電流領域で効率が低下する現象（Droop現象）を抑制する１つの手法として，下地のGaN膜（基板）の高... [more] | ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108 pp.33-38 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 17:45 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製 ○藤井拓郎・佐藤具就・武田浩司・長谷部浩一・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 |
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] | OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 pp.135-140 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 11:35 |
北海道 | 小樽経済センター | BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ ○井上大輔・李 智恩・平谷拓生・厚地祐輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30 |
集積回路の微細化に伴う配線遅延や発熱の増大を解決する方法として、銅電気グローバル配線を光配線に代替するオンチップ光配線技... [more] | R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30 pp.17-22 |
| SDM | 2014-06-19 11:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御 ○浅野孝典（名大）・田岡紀之（IHP Microelectronics）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-47 |
立体ゲート構造を有するGe MOS型トランジスタに向けて、Ge(110)表面を有するGeまたはGe1－xSnx薄膜が注目... [more] | SDM2014-47 pp.21-25 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 11:10 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 ○小森大資・笹島浩希・鈴木智行・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 |
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] | ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 pp.7-10 |
| SDM | 2014-02-28 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］導電性下地上でのカーボンナノチューブの低温・稠密成長 ○野田 優（早大）・羅 ヌリ（早大/東大）・白井 聖・野村桂甫（東大）・長谷川 馨（早大） SDM2013-171 |
半導体集積回路の集積度の向上に伴い、より高い電流密度に耐えられる配線材料が求められており、カーボンナノチューブ(CNT)... [more] | SDM2013-171 pp.35-38 |
| R | 2013-10-18 14:20 |
福岡 | kyutechプラザ | 温度ストレス劣化に対する数学モデル ○廣瀬英雄・作村建紀（九工大） R2013-66 |
温度ストレスによって劣化する電気絶縁体を対象にストレスと劣化の度合いを表す数学モデルの構築を試みる．温度ストレスによる劣... [more] | R2013-66 pp.13-18 |
| ED | 2013-08-09 11:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-49 |
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] | ED2013-49 pp.61-65 |
| CPM | 2013-08-01 14:30 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | Si基板表面炭化によるCubic-SiC膜形成機構の考察 ○渡邉幸宗・上村喜一（信州大） CPM2013-42 |
ワイドバンドギャップ材料のSiCは高耐圧素子向けに開発が盛んになされている．本研究では，比較的低温で形成できる立方晶構造... [more] | CPM2013-42 pp.17-20 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 13:50 |
東京 | 中央大学 | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2013-7 |
L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] | MR2013-7 pp.7-12 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2013-06-21 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長 ○中村拓未・黒田卓司・岩田展幸・山本 寛（日大） EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 |
c面およびr面LiNbO3(LNO)基板のアニール最適条件探索を行った。c面では温度700ºC～950ºC、5～12時間... [more] | EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 pp.71-76 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-03-08 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 | (100)立方晶単結晶基板上にエピタキシャル成長した3d強磁性遷移金属薄膜の構造解析 ○大竹 充・二本正昭（中大） MR2012-51 |
3d強磁性遷移金属（Fe，Co，Ni）およびこれらの合金の薄膜をMgO，SrTiO3，および，GaAsの(100)単結晶... [more] | MR2012-51 pp.39-44 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2013-01-24 16:50 |
愛知 | ウィンクあいち | 減圧CVD法によるグラフェン成長制御 ○前坂考哉・佐藤英樹・三宅秀人・平松和政（三重大） OME2012-89 |
本研究では，単層カーボンナノチューブの低温成長法として知られている，エタノールを原料とする減圧CVD(LP-CVD)法の... [more] | OME2012-89 pp.31-35 |
| OME | 2012-10-17 15:40 |
東京 | 機械振興会館 B1F 3号室 | 準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果 ○鵜澤裕彰・神谷真司・酒井正俊・國吉繁一・山内 博・工藤一浩（千葉大） OME2012-51 |
本研究では、代表的な有機半導体材料であるペンタセンの電界による選択成長を目指し、準熱平衡条件下の結晶成長における外部電界... [more] | OME2012-51 pp.31-34 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 14:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 固相反応法によるβ-FeSi2薄膜の作製と整流デバイスへの応用 ○籾山克章・鹿又健作・鈴木貴彦・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） |
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