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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-06-22 13:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大）  SDM2021-22 |
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて，イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] | SDM2021-22 pp.1-6 |
| SDM | 2021-06-22 17:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 ○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2021-29 |
化学溶液洗浄したGe(111)上にAlを真空蒸着したAl/Ge(111)において、真空熱処理の温度や時間がAl表面に形成... [more] | SDM2021-29 pp.27-31 |
| SDM | 2020-10-22 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大） SDM2020-19 |
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて，イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] | SDM2020-19 pp.25-29 |
| SDM | 2018-10-18 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討 ○前田康貴・朴 鏡恩・小松勇貴・大見俊一郎（東工大） SDM2018-60 |
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] | SDM2018-60 pp.41-45 |
| CPM | 2018-08-10 11:25 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Zr系金属ガラス表面の元素組成と化学結合状態 ○郡山春人・藤森敬典・遠田義晴（弘前大）・富樫 望（アダマンド並木精密宝石） CPM2018-19 |
Zr系金属ガラスであるVit 105合金(Zr_{52.5}Cu_{17.9}Ni_{14.6}Al_{10}Ti_{5... [more] | CPM2018-19 pp.53-56 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] | ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 pp.73-76 |
| CPM | 2017-10-27 13:30 |
長野 | 信州大学 長野(工学)キャンパス Ｅ７棟 3階 研修室 | 化学気相堆積した窒化ホウ素炭素膜の形成条件の検討 ○小坂舞人・浦上法之・橋本佳男（信州大） CPM2017-67 |
ワイドバンドギャップエネルギーを有する炭素系化合物半導体の実現に向けて、化学気相堆積法によりグラファイト状窒化炭素へホウ... [more] | CPM2017-67 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 09:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価 ○河村祐亮・石河泰明・内山俊祐（奈良先端大）・野瀬嘉太郎（京大）・浦岡行治（奈良先端大） EID2016-10 SDM2016-91 |
FeS2-pyriteを用いたヘテロ接合型太陽電池の実現を目的として，フラックス法によって作製したFeS2バルク結晶にN... [more] | EID2016-10 SDM2016-91 pp.7-10 |
| SDM | 2016-06-29 14:45 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 ○グェンスァン チュン・藤村信幸・竹内大智・大田晃生・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（名大） SDM2016-41 |
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] | SDM2016-41 pp.49-52 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 ○杉浦洋平・網谷良介・多次見大樹（工学院大）・尾沼猛儀（東京高専）・山口智広・本田 徹（工学院大） ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 |
六方晶(0001)GaN(Ga面)の表面フェルミ準位変化について、X線光電子分光法(XPS)を用い、表面酸化物量と関連づ... [more] | ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 pp.13-15 |
| SDM | 2012-10-25 15:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 ○岡田葉月・小松 新・渡辺将人（東京都市大）・泉 雄大・室 隆圭介（高輝度光科学研究センター）・澤野憲太郎・野平博司（東京都市大） SDM2012-90 |
我々は、SPring-8のBL27SUでSiO2/SiCの角度分解X線光電子分光(AR-XPS)測定とエッチングにより酸... [more] | SDM2012-90 pp.5-9 |
| SDM | 2012-03-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研） SDM2011-179 |
光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。... [more] | SDM2011-179 pp.19-24 |
| SDM | 2011-10-21 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 ○沼尻侑也・山下晃司・小松 新（東京都市大）・ザデ ダリューシュ・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・野平博司（東京都市大） SDM2011-106 |
我々はHF，自然酸化，(NH4)2S，またはHMDS(Hexamethydisilazane)という表面処理がIn0.5... [more] | SDM2011-106 pp.53-58 |
| ED | 2011-07-30 10:15 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化 ○石田瑛之・吉田洋大・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） ED2011-49 |
色素増感太陽電池の発電効率はTiO2層上の色素の吸着量に依存する。これまで、色素吸着量を増やすために、高い比表面積を持つ... [more] | ED2011-49 pp.59-62 |
| SDM | 2011-07-04 10:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 ○大野真也・井上 慧・森本真弘・新江定憲・豊島弘明（横浜国大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・尾形祥一（横浜国大）・安田哲二（産総研）・田中正俊（横浜国大） SDM2011-54 |
面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Sin+(n=1-4)... [more] | SDM2011-54 pp.23-27 |
| SDM | 2011-07-04 12:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-58 |
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] | SDM2011-58 pp.47-50 |
| SDM | 2011-07-04 14:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-61 |
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] | SDM2011-61 pp.63-68 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM, ED (共催) (第二種研究会) |
2011-06-29 - 2011-07-01 |
海外 | Legend Hotel | Clear Difference between the Chemical Structure of SiO2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals and Oxygen Molecules ○Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.） |
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| SDM | 2011-02-07 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 ○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大） SDM2010-221 |
我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バ... [more] | SDM2010-221 pp.31-35 |
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