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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2014-10-24
15:20
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH2アニールの効果
狩野巧生赤羽桂幸小林悠太山上朋彦上村喜一信州大CPM2014-109
TEOSを用いた熱CVD法により4H-SiC(0001)Si面にSiO2膜を形成し、作製したSiO2/SiCキャパシタの... [more] CPM2014-109
pp.25-28
CPM 2014-09-04
14:20
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 プラズマ直接窒化法によるSiC表面の窒化処理と窒化層の熱的安定性
赤羽桂幸狩野巧生荻野航弥小林悠太山上朋彦上村喜一信州大CPM2014-77
 [more] CPM2014-77
pp.13-16
CPM 2013-10-24
15:50
新潟 新潟大ときめいと アルコールを原料とした熱CVD法によるCNTの作製
久保直希山田渓介山上朋彦上村喜一信州大CPM2013-98
カーボンナノチューブ(CNT)は、その機械的、熱的および化学的性質に起因して多くの分野で研究されている。真空ナノエレクト... [more] CPM2013-98
pp.27-30
CPM 2013-10-25
11:25
新潟 新潟大ときめいと 絶縁膜中に分散させたCNT冷陰極の開発
浅田裕司山上朋彦上村喜一信州大CPM2013-106
ナノカーボン材料を用いた簡便なプロセスによる冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構... [more] CPM2013-106
pp.63-66
CPM 2013-08-01
14:30
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 Si基板表面炭化によるCubic-SiC膜形成機構の考察
渡邉幸宗上村喜一信州大CPM2013-42
ワイドバンドギャップ材料のSiCは高耐圧素子向けに開発が盛んになされている.本研究では,比較的低温で形成できる立方晶構造... [more] CPM2013-42
pp.17-20
CPM 2013-08-01
15:05
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 ロータリエンコーダの高精度化
藤本高志多摩川精機)・上村喜一信州大CPM2013-43
 [more] CPM2013-43
pp.21-24
CPM 2012-10-27
11:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討
浅田裕司山下将弘山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2012-109
ナノカーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し,CNT濃... [more] CPM2012-109
pp.87-90
CPM 2011-10-27
09:55
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製
逸見充則井口裕哉酒井崇史杉田暁彦山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2011-119
TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さ... [more] CPM2011-119
pp.51-54
CPM 2011-08-10
13:50
青森 弘前大学 文京町キャンパス SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
酒井崇史逸見充則村田裕亮鈴木真一郎山上朋彦林部林平・○上村喜一信州大CPM2011-58
SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し,これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面... [more] CPM2011-58
pp.11-14
CPM 2010-10-29
09:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価
鈴木真一郎村田裕亮逸見充則山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2010-100
純N$_{2}$またはNH$_{3}$雰囲気での直接窒化法を用いて,SiC表面上に窒化層を形成させた.形成させた窒化層表... [more] CPM2010-100
pp.47-50
CPM 2010-10-29
09:50
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価
村田裕亮鈴木真一郎小林尚平山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2010-101
n型SiC上にNH_3による直接窒化法で窒化膜を形成してMIS構造を作製した。電流電圧特性から理想係数nを求めた。得られ... [more] CPM2010-101
pp.51-54
CPM 2010-07-30
10:55
北海道 道の駅しゃり 会議室 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
斉藤裕史山上朋彦林部林平大池 匠山下将弘・○上村喜一信州大CPM2010-39
陰極表面に対して水平に配置されたカーボンナノチューブ(CNT)からの電界電子放出特性を検討するために無限長直線電荷と同時... [more] CPM2010-39
pp.45-48
CPM 2009-10-29
16:15
富山 富山県立大学 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価
斉藤裕史萩野達也松本純樹山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2009-93
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、電界増幅係数を高く保ったまま安定な冷陰極を構成できることを提案した... [more] CPM2009-93
pp.17-20
CPM 2009-08-10
15:30
青森 弘前大学 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
鈴木真一郎仙石 昌辻 拓真逸見充則村田裕亮山上朋彦林部林平・○上村喜一信州大CPM2009-35
MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜/SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ$10... [more] CPM2009-35
pp.9-12
CPM 2008-10-31
11:20
新潟 新潟大学 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源
斉藤裕史山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2008-87
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、高効率な電子放出源を作製することを提案した。導体表面に垂直配向させ... [more] CPM2008-87
pp.71-74
CPM 2008-08-04
14:25
北海道 室蘭工業大学 スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
宮崎 慶田口義之斉藤裕史宮永琢也山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2008-42
スパッタ堆積した炭素薄膜の電界電子放出特性について検討した.比較的高い圧力下で堆積することにより,閾値電界の低い電界電子... [more] CPM2008-42
pp.5-8
CPM 2007-11-17
10:15
新潟 長岡技術科学大学 バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製
石田芳樹陳 晨萩原正宜塩沢宏章仙石 昌林部林平山上朋彦上村喜一信州大CPM2007-118
我々はこれまでにRFプラズマ窒化法によりSiC表面に窒化絶縁膜を形成してSiC-MIS構造を作製する方法を提案し,窒化膜... [more] CPM2007-118
pp.69-72
CPM 2006-11-09
15:45
石川 金沢大学 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用
塩野晃宏中久木政秀小林勲生山上朋彦林部林平信州大)・小畑元樹シチズンファインテック)・阿部克也上村喜一信州大
 [more] CPM2006-118
pp.31-35
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
16:00
京都 京都大学 SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
山口哲生石田芳樹陳 晨萩原正宜林部林平山上朋彦阿部克也・○上村喜一信州大
 [more] ED2006-173 CPM2006-110 LQE2006-77
pp.113-116
CPM 2005-11-11
15:10
福井 福井大学 プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価
山口哲生劉 穎慎石田芳樹山上朋彦林部林平阿部克也上村喜一信州大
SiCのMOSデバイス応用において大きな問題となっている熱酸化膜中の炭素起因欠陥を抑制し,良質なMIS構造を形成すること... [more] CPM2005-156
pp.25-28
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