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H: ヒューマンCG
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(第二種) B: 通信
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超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
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人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
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電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
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光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SDM
,
ICD
(共催)
ITE-IST
(連催)
[詳細]
2018-08-09
12:45
北海道
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151
10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
○
五十嵐満彦
・
内田優希
・
高沢義生
・
塚本康正
・
澁谷宏治
・
新居浩二
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2018-47 ICD2018-34
[more]
SDM2018-47
ICD2018-34
pp.109-113
ICD
,
CPM
,
ED
,
EID
,
EMD
,
MRIS
,
OME
,
SCE
,
SDM
(共催)
QIT
(併催)
[詳細]
2017-01-31
15:25
広島
みやじま杜の宿(広島)
ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
○
石井雄一郎
・
薮内 誠
・
澤田陽平
・
森本薫夫
・
塚本康正
(
ルネサス エレクトロニクス
)・
良田雄太
・
柴田 健
・
佐野聡明
(
ルネサス システムデザイン
)・
田中信二
・
新居浩二
(
ルネサス エレクトロニクス
)
EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R...
[more]
EMD2016-86
MR2016-58
SCE2016-64
EID2016-65
ED2016-129
CPM2016-130
SDM2016-129
ICD2016-117
OME2016-98
pp.87-92
SDM
2016-01-28
14:30
東京
機械振興会館
[招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例
○
新居浩二
・
薮内 誠
(
ルネサス エレクトロニクス
)・
横山佳巧
(
ルネサス システムデザイン
)・
石井雄一郎
・
岡垣 健
・
森本薫夫
・
塚本康正
(
ルネサス エレクトロニクス
)・
田中浩司
・
田中美紀
(
ルネサス システムデザイン
)・
田中信二
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2015-125
[more]
SDM2015-125
pp.21-25
SDM
,
ICD
(共催)
2015-08-24
15:50
熊本
熊本市
16nm FinFETの容量解析と性能・面積検討
○
岡垣 健
・
渋谷宏治
・
森本薫夫
・
塚本康正
・
新居浩二
・
小野沢和徳
(
REL
)
SDM2015-64 ICD2015-33
[more]
SDM2015-64
ICD2015-33
pp.37-40
ICD
2015-04-16
13:00
長野
信州大学
[依頼講演]20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム
○
藪内 誠
・
塚本康正
・
森本薫夫
・
田中美紀
・
新居浩二
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2015-1
[more]
ICD2015-1
pp.1-4
ICD
2015-04-16
13:25
長野
信州大学
[依頼講演]自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM
田中信二
・
石井雄一郎
・
薮内 誠
(
ルネサス エレクトロニクス
)・
佐野聡明
(
ルネサス システムデザイン
)・
田中浩司
・
塚本康正
・○
新居浩二
・
佐藤広利
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2015-2
[more]
ICD2015-2
pp.5-8
SDM
2015-01-27
15:55
東京
機械振興会館
[招待講演]16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM
○
藪内 誠
・
森本薫夫
・
塚本康正
・
田中信二
・
田中浩司
・
田中美紀
・
新居浩二
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2014-144
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術...
[more]
SDM2014-144
pp.37-40
SDM
,
ICD
(共催)
2013-08-02
09:50
石川
金沢大学 角間キャンパス
低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
○
新居浩二
・
薮内 誠
・
藤原英弘
・
塚本康正
・
石井雄一郎
(
ルネサス エレクトロニクス
)・
松村哲哉
(
日大
)・
松田吉雄
(
金沢大
)
SDM2013-76 ICD2013-58
[more]
SDM2013-76
ICD2013-58
pp.53-57
SDM
,
ICD
(共催)
2013-08-02
10:25
石川
金沢大学 角間キャンパス
0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
○
梅本由紀子
・
新居浩二
・
石川次郎
・
薮内 誠
・
塚本康正
・
田中信二
・
田中浩司
・
森 和孝
・
柳沢一正
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2013-77 ICD2013-59
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi...
[more]
SDM2013-77
ICD2013-59
pp.59-64
ICD
2013-04-12
15:30
茨城
産業技術総合研究所 つくばセンター
[依頼講演]デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減
○
前田徳章
・
小松成亘
・
森本薫夫
・
田中浩二
・
塚本康正
・
新居浩二
・
島崎靖久
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2013-21
モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタン...
[more]
ICD2013-21
pp.109-114
ICD
2012-12-18
09:55
東京
東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール
SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
○
藤原英弘
・
藪内 誠
・
塚本康正
・
中野裕文
・
大和田 徹
・
河合浩行
・
新居浩二
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2012-114
[more]
ICD2012-114
pp.91-95
ICD
2012-04-24
11:15
岩手
つなぎ温泉清温荘(岩手県)
[招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
○
石井雄一郎
・
塚本康正
・
新居浩二
・
藤原英弘
・
薮内 誠
・
田中浩司
・
田中信二
・
島崎靖久
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2012-11
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ...
[more]
ICD2012-11
pp.55-60
SDM
,
ICD
(共催)
2011-08-26
15:30
富山
富山県民会館
動的基板制御による非対称SRAM
○
藪内 誠
・
塚本康正
・
藤原英弘
・
前川考志
・
五十嵐元繁
・
新居浩二
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2011-93 ICD2011-61
非対称MOS構造をアクセスTrに適用した横型SRAMを開発した。これは追加マスク無しで、Static Noise Mar...
[more]
SDM2011-93
ICD2011-61
pp.115-120
ICD
2010-04-22
09:50
神奈川
湘南工大
[招待講演]回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ~ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ~
○
新居浩二
・
薮内 誠
・
塚本康正
・
平野有一
・
岩松俊明
・
木原雄治
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2010-2
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm...
[more]
ICD2010-2
pp.7-12
ICD
2010-04-22
10:50
神奈川
湘南工大
[依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM
○
薮内 誠
・
新居浩二
・
塚本康正
・
中瀬泰伸
・
篠原尋史
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2010-3
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。
読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること...
[more]
ICD2010-3
pp.13-16
SDM
[詳細]
2008-11-14
13:50
東京
機械振興会館
[招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
○
新居浩二
・
薮内 誠
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
篠原尋史
(
ルネサステクノロジ
)
SDM2008-178
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ...
[more]
SDM2008-178
pp.55-60
ICD
,
SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京
機械振興会館
プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
○
薮内 誠
・
新居浩二
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
今岡 進
(
ルネサステクノロジ
)・
山上由展
・
石倉 聡
・
寺野登志夫
・
里見勝治
・
赤松寛範
(
松下電器
)・
篠原尋文
(
ルネサステクノロジ
)
SDM2008-131 ICD2008-41
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス...
[more]
SDM2008-131
ICD2008-41
pp.17-22
ICD
,
SDM
(共催)
2007-08-24
16:05
北海道
北見工業大学
同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM
○
石倉 聡
・
車田総希
・
寺野登志夫
・
山上由展
・
粉谷直樹
・
里見勝治
(
松下電器
)・
新居浩二
・
薮内 誠
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
大芦敏行
・
牧野博之
・
篠原尋史
(
ルネサステクノロジ
)・
赤松寛範
(
松下電器
)
SDM2007-168 ICD2007-96
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の8T型メモリセルを用いた新規2ポートSRAMを提案する。...
[more]
SDM2007-168
ICD2007-96
pp.145-148
ICD
2007-04-13
09:40
大分
大分県・湯布院・七色の風
[招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
○
Shigeki Ohbayashi
・
Makoto Yabuuchi
・
Kazushi Kono
(
Renesas Technology
)・
Yuji Oda
(
Shikino High-Tech
)・
Susumu Imaoka
(
Renesas Design
)・
Keiichi Usui
(
Daioh Electric
)・
Toshiaki Yonezu
・
Takeshi Iwamoto
・
Koji Nii
・
Yasumasa Tsukamoto
・
Masashi Arakawa
・
Takahiro Uchida
・
Hiroshi Makino
・
Koichiro Ishibashi
・
Hirofumi Shinohara
(
Renesas Technology
)
ICD2007-11
[more]
ICD2007-11
pp.59-64
ICD
,
SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道
北海道大学
超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
○
今岡 進
(
ルネサスデザイン
)・
新居浩二
(
ルネサステクノロジ
)・
増田康浩
(
ルネサスデザイン
)・
薮内 誠
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
五十嵐元繁
・
冨田和朗
・
坪井信生
・
牧野博之
・
石橋孝一郎
・
篠原尋史
(
ルネサステクノロジ
)
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ...
[more]
SDM2006-148
ICD2006-102
pp.133-136
22件中 1~20件目
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