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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EA, US
(併催)
2023-12-22
13:00
福岡 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 [ポスター講演]エピ犠牲層エッチングを用いたエピ圧電層/音響ブラッグ反射器構造の作製
渡海 智柳谷隆彦早大US2023-60
B AW (Bulk Acoustic 共振子の圧電層に単結晶薄膜を用いることで、Q 値や耐電力性が向上することが期待で... [more] US2023-60
pp.24-29
ED 2023-12-07
14:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製
近藤 駿成蹊大/産総研)・中野武雄モハメッド シュルズ ミヤ成蹊大)・長尾昌善村田博雅産総研ED2023-41
我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法(t-HPPMS)を用いたスピント型エミ... [more] ED2023-41
pp.11-14
CPM 2023-08-01
10:05
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
反応性スパッタリングによるTiおよびV系MAX合金薄膜形成と物性評価
上田和貴若松和伸齊藤丈靖岡本尚樹阪公立大CPM2023-20
現在、最先端の半導体デバイスの配線材料はCuが主流であるが、Cuは周囲に容易に拡散して電気特性を劣化させるため、拡散防止... [more] CPM2023-20
pp.33-35
SDM, ED, CPM
(共催)
2022-05-27
14:40
ONLINE オンライン開催 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用
福島孝晃ホセ ピエドラ ロレンサナ土谷 塁飛沢 健石川靖彦豊橋技科大ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17
SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性... [more] ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17
pp.13-16
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2021-10-08
15:35
ONLINE オンライン開催 Pt/Co/CoO/アモルファスTiOx構造における電圧誘起保磁力変化
野崎友大田丸慎吾甲野藤 真野﨑隆行久保田 均福島章雄湯浅新治産総研MRIS2021-9
近年、磁気抵抗メモリ(MRAM)にも適用可能な低消費電力な書き込みの手段として、電圧による磁気異方性制御(VCMA)効果... [more] MRIS2021-9
pp.13-16
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2021-06-11
10:00
宮城 東北大通研
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
NiOおよびCu2O下地膜上に成膜したコバルトフェライト薄膜の磁気特性
岩動大樹東北大)・神島謙二柿崎浩一埼玉大MRIS2021-4
コバルトフェライト(CFO)に垂直磁気異方性を発現させることを目的として、配向制御用下地膜上にCFOを積層し、その結晶構... [more] MRIS2021-4
pp.18-21
CPM 2021-03-03
10:45
ONLINE オンライン開催 高濃度ビスマス置換磁性ガーネットスパッタリング膜の磁区構造と乱数生成器への応用
中村出海吉田秋太郎水戸慎一郎東京高専CPM2020-61
自己相関のない真の乱数を生成するために,様々な物理乱数生成器が提案されているが,高品質な物理乱数を手軽かつ高速に生成する... [more] CPM2020-61
pp.22-25
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
14:30
ONLINE オンライン開催 スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上
形岡遼志小泉晴比古岩山 章三宅秀人三重大ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,二次元層状物質で,歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている.従来,h-BNは有機金... [more] ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
15:20
ONLINE オンライン開催 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価
伊庭由季乃正直花奈子窪谷茂幸上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)に周期300 nmと深さ12... [more] ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
pp.91-94
SCE 2019-08-09
13:05
茨城 産業技術総合研究所 Nb3Ge超伝導薄膜の作製と評価
川上 彰寺井弘高NICT)・鵜澤佳徳国立天文台SCE2019-13
A15型結晶構造を有するNb3Ge薄膜は,最高で23 Kの超伝導転移温度を示し,ギャップ周波数は2 THzに達すると考え... [more] SCE2019-13
pp.27-30
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
09:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ペロブスカイト/微結晶Siタンデム型太陽電池におけるリコンビネーション層の開発
張 松石河泰明來福 至ティフェン ブルジェト浦岡行治奈良先端大)・エリック ジョンソンマーティン フォロディナイヴァン ボンナシュペール ロカ イ カバロカスエコール・ポリテクニークEID2016-9 SDM2016-90
近年、太陽電池の更なる高効率化に向けてタンデム型太陽電池の研究が進んでいる。二種類の太陽電池間におけるリコンビネーション... [more] EID2016-9 SDM2016-90
pp.1-6
SDM 2016-06-29
16:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成
大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大SDM2016-46
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] SDM2016-46
pp.75-78
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価
吉岡敏博小川淳史弓削政博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-15 SDM2015-98
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] EID2015-15 SDM2015-98
pp.27-30
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
14:45
京都 京都大学 GaSnO薄膜の特性評価
加藤雄太西本大樹松田時宜木村 睦龍谷大EID2014-28 SDM2014-123
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] EID2014-28 SDM2014-123
pp.79-82
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-12-12
09:50
愛媛 愛媛大学 室温作製Co/Pt積層膜の磁気特性の積層構造依存性
土屋垂穂本多直樹内田裕久東北工大)・斎藤 伸日向慎太朗東北大MR2014-38
高垂直磁気異方性膜の室温作製のため、原子層積層によるL11規則化Co-Pt積層膜のスパッタ作製を検討した。コリメータを用... [more] MR2014-38
pp.59-64
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-07-17
14:55
東京 東京工業大学 スパッタ磁気テープにおける面記録密度148Gb/in2の基礎的検証
立花淳一遠藤哲雄平塚亮一井上 悟ソニー)・David BermanPierre-olivier JubertHGST)・Teya TopuriaChie C PoonWayne IwainoIBM AlmadenMR2014-12
ポリマー基板上にCoPtCr-SiO2垂直磁気記録膜を成膜した磁気テープを作製し,市販のハードディスク用のSingle ... [more] MR2014-12
pp.23-28
SDM 2013-12-13
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価
福永圭吾畑山智亮矢野裕司岡本尚文谷 あゆみ石河泰明冬木 隆奈良先端大SDM2013-119
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] SDM2013-119
pp.19-23
SDM 2013-12-13
10:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製
山本悠貴西村英紀岡村隆徳福永圭吾冬木 隆奈良先端大SDM2013-121
n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にド... [more] SDM2013-121
pp.31-35
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-12-12
16:15
愛媛 愛媛大学 積層スパッタ堆積による垂直磁気異方性Co/Pt膜の作製
土屋垂穂本多直樹東北工大MR2013-30
原子層積層コリメータスパッタ堆積により,高磁気異方性Co/Pt積層膜の低温作製を検討した.基板温度が高いほど,また,Ar... [more] MR2013-30
pp.33-38
CPM 2013-10-25
11:50
新潟 新潟大ときめいと 高密度プラズマ環境下のガスフロースパッタ法によるカーボン薄膜の作製
石井琢馬佐藤祐二渡邊貴晴石井 清佐久間洋志宇都宮大CPM2013-107
種々の方式のプラズマCVD法により単結晶を含めて良質なダイヤモンド薄膜が作製できるようになっているが,スパッタ法ではダイ... [more] CPM2013-107
pp.67-71
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