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講演検索結果
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 205件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-12
10:45
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]NANDフラッシュメモリーインターフェースの概要と最新の研究開発動向
都井 敬キオクシアICD2024-11
多様な機械学習アプリケーションやビッグデータ解析などに使用されるデータ量の爆発的な増加により、ストレージシステムの広帯域... [more] ICD2024-11
p.36
ICD 2024-04-12
13:25
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]5-Bit/2Cell(X2.5), 7-Bit/2Cell(X3.5), 9-Bit/2Cell(X4.5) NAND型フラッシュメモリ:ハーフビット技術
柴田 昇内川浩典澁谷泰良仲井健理栁平康輔井上裕文キオクシアICD2024-13
高信頼性及び高性能を確保し低コスト化のため、X3.5(7bits/2cells)フラッシュメモリを提案する。7ビットは、... [more] ICD2024-13
p.42
SDM 2024-01-31
13:35
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術
田上政由キオクシアSDM2023-76
近年、3D積層デバイスは、性能向上(performance)、電力低減(power)、面積削減(area)、コスト削減(... [more] SDM2023-76
pp.9-12
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2023-11-17
09:35
熊本 くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
差動対の電流制御によるコンパレータのオフセット電圧のばらつき制御手法とその応用
坂口 平小松 聡東京電機大VLD2023-67 ICD2023-75 DC2023-74 RECONF2023-70
コンパレータのオフセット電圧のばらつきを制御する手法を提案する.提案手法は従来のStrongARMコンパレータに対して,... [more] VLD2023-67 ICD2023-75 DC2023-74 RECONF2023-70
pp.192-197
SDM 2023-10-13
14:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討
小林清輝東海大SDM2023-56
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では,シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] SDM2023-56
pp.13-20
HIP, HCS
(共催)
HI-SIGCOASTER
(連催) [詳細]
2023-05-15
15:35
沖縄 沖縄産業支援センター
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
フラッシュラグ効果における非対称な位置ずれの時空間特性解析
深田明弘横井健司防衛大HCS2023-17 HIP2023-17
フラッシュラグ効果については様々な説明が試みられているが、現象全体の解明には至っていない。これまでの我々の研究では、運動... [more] HCS2023-17 HIP2023-17
pp.79-84
ICD 2023-04-11
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read
田中智晴MMJICD2023-9
メモリセル当たり4ビット(QLC)の記憶方式を用いた、1Tビットの記憶容量の3D-NANDフラッシュメモリを示す。本メモ... [more] ICD2023-9
p.17
DC 2023-02-28
15:50
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
入力電圧範囲を制御可能な確率的フラッシュADC
坂口 平小松 聡東京電機大DC2022-90
本研究では入力電圧範囲を所望の電圧範囲に制御可能な確率的フラッシュ ADCを提案する。確率的フラッシュ ADCとはコンパ... [more] DC2022-90
pp.45-50
SDM 2023-01-30
14:10
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ
本庄弘明西岡浩一三浦貞彦・○永沼 博渡辺俊成那須野 孝谷川高穂野口靖夫井上博文安平光雄池田正二遠藤哲郎東北大SDM2022-81
A solder reflow capable eflash-type MRAM was realized by int... [more] SDM2022-81
pp.9-12
EE 2023-01-20
10:25
福岡 九州工業大学(戸畑キャンパス 附属図書館AVホール)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
NANDフラッシュ用ブースト・コンバータの高速昇圧動作設計
金山湧司丹沢 徹静岡大EE2022-44
SSD(Solid-state drive)の書込みや消去にはワード線容量負荷を高電圧まで充電するための昇圧回路が用いら... [more] EE2022-44
pp.101-106
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-08
11:45
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 [招待講演]3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討
諸岡 哲石川貴之小村政則加藤竜也小山幸紀韓 業飛菅原陽平桑原大輔新屋敷悠介村山昭之西山勝哉杉前紀久子小倉達郎竹田 裕刈谷奈由太合木悠佑小沼将大神谷優太山下博幸滋賀秀裕板垣清太郎田中里英子前田高志大谷紀雄藤原 実キオクシアSDM2022-36 ICD2022-4
3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セ... [more] SDM2022-36 ICD2022-4
p.12
CCS, NLP
(共催)
2022-06-09
13:00
大阪 大阪大学 豊中キャンパス シグマホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
条件付きエントロピーを用いたSDNにおけるDDoS攻撃検知法
田 啓文宮田純子芝浦工大NLP2022-1 CCS2022-1
Software Defined Network環境において,それぞれのネットワーク攻撃が検知するために,攻撃の特徴を解... [more] NLP2022-1 CCS2022-1
pp.1-6
ED 2022-04-21
11:00
ONLINE オンライン開催 閾値補償を備えたTIQコンパレータベースのフラッシュ型A/Dコンバータ
橋本悠平範 公可電通大ED2022-5
TIQコンパレータを用いたA/Dコンバータはプロセスや温度の変動に弱く,基準電圧の値が容易に変化してしまうことが知られて... [more] ED2022-5
pp.15-18
HIP, VRSJ
(連催)
2021-02-18
14:05
ONLINE オンライン開催 消失した残像の再出現
胡 羽姗伊藤裕之九大HIP2020-76
本研究では、陰性残像を対象として、残像の消失後の再出現に関して心理物理学的な手法で調べた。瞬きと様々なフラッシュの条件に... [more] HIP2020-76
pp.20-24
SDM 2020-01-28
15:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing
石丸一成キオクシアSDM2019-87
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] SDM2019-87
p.19
HIP 2019-12-20
10:45
宮城 東北大学電気通信研究所 利き手が身体性注意に与える影響
岩井喬祐Chia-huei Tseng栗木一郎塩入 諭東北大HIP2019-75
身体近傍に潜在的に向けられる注意(身体性注意)の存在が指摘されている.本研究では,身体の運動が身体性注意に与える影響につ... [more] HIP2019-75
pp.57-60
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
09:40
愛媛 愛媛県男女共同参画センター FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定
田中一平宮川尚之木村知也今川隆司越智裕之立命館大VLD2019-36 DC2019-60
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] VLD2019-36 DC2019-60
pp.63-68
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法
阿部真輝竹内 健中大ICD2019-30 IE2019-36
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネ... [more] ICD2019-30 IE2019-36
pp.7-12
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
15:45
愛媛 愛媛県男女共同参画センター QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計
高井良貴福地 守松井千尋木下怜佳竹内 健中大ICD2019-41 IE2019-47
NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより,容量密度を大きくし,ビットコストを低減させてきた... [more] ICD2019-41 IE2019-47
pp.59-63
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:45
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題
三谷祐一郎関 春海浅野孝典中崎 靖東芝メモリR2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
pp.35-38
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