研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
ICD |
2024-04-12 10:45 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館 9階第2研修室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]NANDフラッシュメモリーインターフェースの概要と最新の研究開発動向 ○都井 敬(キオクシア) ICD2024-11 |
多様な機械学習アプリケーションやビッグデータ解析などに使用されるデータ量の爆発的な増加により、ストレージシステムの広帯域... [more] |
ICD2024-11 p.36 |
ICD |
2024-04-12 13:25 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館 9階第2研修室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[依頼講演]5-Bit/2Cell(X2.5), 7-Bit/2Cell(X3.5), 9-Bit/2Cell(X4.5) NAND型フラッシュメモリ:ハーフビット技術 ○柴田 昇・内川浩典・澁谷泰良・仲井健理・栁平康輔・井上裕文(キオクシア) ICD2024-13 |
高信頼性及び高性能を確保し低コスト化のため、X3.5(7bits/2cells)フラッシュメモリを提案する。7ビットは、... [more] |
ICD2024-13 p.42 |
SDM |
2024-01-31 13:35 |
東京 |
金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術 ○田上政由(キオクシア) SDM2023-76 |
近年、3D積層デバイスは、性能向上(performance)、電力低減(power)、面積削減(area)、コスト削減(... [more] |
SDM2023-76 pp.9-12 |
VLD, DC, RECONF, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2023-11-17 09:35 |
熊本 |
くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
差動対の電流制御によるコンパレータのオフセット電圧のばらつき制御手法とその応用 ○坂口 平・小松 聡(東京電機大) VLD2023-67 ICD2023-75 DC2023-74 RECONF2023-70 |
コンパレータのオフセット電圧のばらつきを制御する手法を提案する.提案手法は従来のStrongARMコンパレータに対して,... [more] |
VLD2023-67 ICD2023-75 DC2023-74 RECONF2023-70 pp.192-197 |
SDM |
2023-10-13 14:30 |
宮城 |
東北大学未来情報産業研究館5F |
[招待講演]不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝(東海大) SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では,シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] |
SDM2023-56 pp.13-20 |
HIP, HCS (共催) HI-SIGCOASTER (連催) [詳細] |
2023-05-15 15:35 |
沖縄 |
沖縄産業支援センター (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
フラッシュラグ効果における非対称な位置ずれの時空間特性解析 ○深田明弘・横井健司(防衛大) HCS2023-17 HIP2023-17 |
フラッシュラグ効果については様々な説明が試みられているが、現象全体の解明には至っていない。これまでの我々の研究では、運動... [more] |
HCS2023-17 HIP2023-17 pp.79-84 |
ICD |
2023-04-11 11:00 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館10階第4会議室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read ○田中智晴(MMJ) ICD2023-9 |
メモリセル当たり4ビット(QLC)の記憶方式を用いた、1Tビットの記憶容量の3D-NANDフラッシュメモリを示す。本メモ... [more] |
ICD2023-9 p.17 |
DC |
2023-02-28 15:50 |
東京 |
機械振興会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
入力電圧範囲を制御可能な確率的フラッシュADC ○坂口 平・小松 聡(東京電機大) DC2022-90 |
本研究では入力電圧範囲を所望の電圧範囲に制御可能な確率的フラッシュ ADCを提案する。確率的フラッシュ ADCとはコンパ... [more] |
DC2022-90 pp.45-50 |
SDM |
2023-01-30 14:10 |
東京 |
機械振興会館(B3-1) |
[招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ 本庄弘明・西岡浩一・三浦貞彦・○永沼 博・渡辺俊成・那須野 孝・谷川高穂・野口靖夫・井上博文・安平光雄・池田正二・遠藤哲郎(東北大) SDM2022-81 |
A solder reflow capable eflash-type MRAM was realized by int... [more] |
SDM2022-81 pp.9-12 |
EE |
2023-01-20 10:25 |
福岡 |
九州工業大学(戸畑キャンパス 附属図書館AVホール) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
NANDフラッシュ用ブースト・コンバータの高速昇圧動作設計 ○金山湧司・丹沢 徹(静岡大) EE2022-44 |
SSD(Solid-state drive)の書込みや消去にはワード線容量負荷を高電圧まで充電するための昇圧回路が用いら... [more] |
EE2022-44 pp.101-106 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 11:45 |
ONLINE |
オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 |
[招待講演]3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討 ○諸岡 哲・石川貴之・小村政則・加藤竜也・小山幸紀・韓 業飛・菅原陽平・桑原大輔・新屋敷悠介・村山昭之・西山勝哉・杉前紀久子・小倉達郎・竹田 裕・刈谷奈由太・合木悠佑・小沼将大・神谷優太・山下博幸・滋賀秀裕・板垣清太郎・田中里英子・前田高志・大谷紀雄・藤原 実(キオクシア) SDM2022-36 ICD2022-4 |
3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セ... [more] |
SDM2022-36 ICD2022-4 p.12 |
CCS, NLP (共催) |
2022-06-09 13:00 |
大阪 |
大阪大学 豊中キャンパス シグマホール (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
条件付きエントロピーを用いたSDNにおけるDDoS攻撃検知法 ○田 啓文・宮田純子(芝浦工大) NLP2022-1 CCS2022-1 |
Software Defined Network環境において,それぞれのネットワーク攻撃が検知するために,攻撃の特徴を解... [more] |
NLP2022-1 CCS2022-1 pp.1-6 |
ED |
2022-04-21 11:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
閾値補償を備えたTIQコンパレータベースのフラッシュ型A/Dコンバータ ○橋本悠平・範 公可(電通大) ED2022-5 |
TIQコンパレータを用いたA/Dコンバータはプロセスや温度の変動に弱く,基準電圧の値が容易に変化してしまうことが知られて... [more] |
ED2022-5 pp.15-18 |
HIP, VRSJ (連催) |
2021-02-18 14:05 |
ONLINE |
オンライン開催 |
消失した残像の再出現 ○胡 羽姗・伊藤裕之(九大) HIP2020-76 |
本研究では、陰性残像を対象として、残像の消失後の再出現に関して心理物理学的な手法で調べた。瞬きと様々なフラッシュの条件に... [more] |
HIP2020-76 pp.20-24 |
SDM |
2020-01-28 15:45 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing ○石丸一成(キオクシア) SDM2019-87 |
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] |
SDM2019-87 p.19 |
HIP |
2019-12-20 10:45 |
宮城 |
東北大学電気通信研究所 |
利き手が身体性注意に与える影響 ○岩井喬祐・Chia-huei Tseng・栗木一郎・塩入 諭(東北大) HIP2019-75 |
身体近傍に潜在的に向けられる注意(身体性注意)の存在が指摘されている.本研究では,身体の運動が身体性注意に与える影響につ... [more] |
HIP2019-75 pp.57-60 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 09:40 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之(立命館大) VLD2019-36 DC2019-60 |
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] |
VLD2019-36 DC2019-60 pp.63-68 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 14:15 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法 ○阿部真輝・竹内 健(中大) ICD2019-30 IE2019-36 |
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネ... [more] |
ICD2019-30 IE2019-36 pp.7-12 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 15:45 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 ○高井良貴・福地 守・松井千尋・木下怜佳・竹内 健(中大) ICD2019-41 IE2019-47 |
NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより,容量密度を大きくし,ビットコストを低減させてきた... [more] |
ICD2019-41 IE2019-47 pp.59-63 |
LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:45 |
宮城 |
東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) |
[招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 ○三谷祐一郎・関 春海・浅野孝典・中崎 靖(東芝メモリ) R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 |
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] |
R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 pp.35-38 |